
- •Краткая история возникновения электроники. Области применения электроники.
- •Устройство материи согласно Стандартной модели.
- •Вакуумная электроника.
- •Мощные генераторные лампы
- •Газоразрядные приборы. Схема включение тиратрона тлеющего разряда.
- •Газонаполненные разрядники. Схема включения разрядника.
- •Конденсаторы. Условное графическое обозначение, эквивалентная схема.
- •Основные характеристики конденсаторов.
- •Характеристики, конструкция и область применения ионисторов.
- •Пьезоэлектрические компоненты, основные параметры и область использования.
- •Эффект Зеебека.
- •Полупроводниковые материалы.
- •Электрические переходы в полупроводниках.
- •Виды пробоев полупроводникового диода.
- •Лазеры.
- •Биполярные транзисторы.
- •Графический расчёт усилительного каскада.
- •Режим работы транзистора и усилителя класса b.
- •Режим работы транзистора и усилителя класса аb.
- •Многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы.
- •Структуры и условные графические обозначение полевых транзисторов.
- •Структура, условное графическое обозначение и принцип работы динистора.
- •Структура, условное графическое обозначение и принцип работы симистора.
- •Igbt-транзисторы.
- •Характеристики операционных усилителей.
- •Классификация операционных усилителей.
- •Логические элементы. Основные логические функции.
- •Классификация электронных транзисторных физических реализаций логических элементов.
- •Надежность полупроводниковых компонентов.
- •Механизмы отказов различных типов компонентов
- •Мажоритарный элемент.
- •Борьба с электромагнитными помехами.
- •Щадящие режимы работы компонентов.
- •Диодные ограничители.
- •Мультивибраторы.
- •Одновибраторы.
- •Блокинг-генераторы.
- •Генератор Пирса.
- •Триггеры.
- •Счётчики.
- •Регистры и регистровая память.
- •Устройства отображения информации.
- •Стабилизаторы напряжения.
Щадящие режимы работы компонентов.
Дополнительного увеличения надёжности оборудования можно достичь посредством выбора щадящих режимов работы отдельных устройств, поскольку подавляющее большинство отказов происходит вследствие электрических и тепловых перегрузок. Разумеется, выбор нового режима работы должен производиться для групп взаимосвязанных компонентов, причём правильный выбор позволит повысить срок службы критических компонентов, по каким-либо причинам избежавших отбраковочных испытаний. В общем случае, невозможно оценить все внешние факторы, воздействующие на систему в реальных условиях эксплуатации, поэтому выбор щадящего режима может стать своеобразным буфером против всех неучтённых факторов. Твёрдых правил выбора коэффициента снижения параметров не существует. В основе его принципа лежит степень надёжности конечного оборудования и связанные с этим затраты. Следует также помнить, что наложение неоправданно жёстких требований значительно увеличивает стоимость проекта, поэтому не стоит это делать в системах, не имеющих повышенных требований к надёжности.
Диодные ограничители.
Сопротивление
нагрузки должно быть намного больше
сопротивления ограничителя R
,
а внутреннее сопротивление источника
синусоидального сигнала. Для обеспечения
протекания тока на интервале от 0 до
,
где
- напряжение на диоде включённом в
проводящем направлении, величина
которого порядка 0,6В.
Схема ограничителя
сверху на нулевом уровне и осциллограммы
её работы приведены на рисунке. Для
обеспечения нормальной работы схемы
необходимо выполнение тех же условий,
что и для ограничителя снизу.
Схема ограничителя уровня сверху
и снизу
на произвольных уровнях представляют
собой комбинацию двух рассмотренных
схем включённых последовательно.
Параллельный диодный ограничитель
снизу
на произвольном уровне:
Схема двухстороннего ограничителя на
произвольных уровнях:
Транзисторный усилитель ограничитель.
Усилитель-ограничитель
представляет транзисторный ключ, который
из активного режима переключается в
режим отсечки и насыщения, ограничивая
сигнал снизу и сверху (двухсторонний
ограничитель, режим работы по постоянному
току в точке С) рис.. Для ограничителя
сверху рабочая точка выбирается в режиме
насыщения («А»), снизу – в режиме отсечки
(точка «В»).
Электронные ключи.
Электронные
ключи входят в состав многих импульсных
устройств. Основу любого электронного
ключа составляет активный элемент
(полупроводниковый диод, транзистор),
работающий в ключевом режиме. Ключевой
режим характеризуется двумя состояниями
ключа: "Включено" - "Выключено".
На рисунке приведены упрощённая схема
и временные диаграммы транзисторного
ключа. При этом предполагается, что
сопротивление разомкнутого ключа
бесконечно велико, а сопротивление
равно нулю.
Ключи
на полевых транзиторах: Полевой
транзистор в области малых напряжений
сток-исток ведет себя как омическое
сопротивление, величина которого может
изменяться в десятки тысяч раз при
изменении управляющего напряжения
затвор —исток Ugs.
На рис.
изображена схема последовательного
ключа.
Если в этой схеме управляющее напряжение
Uупр
установить меньшим, чем минимально
возможное входное напряжение, по крайней
мере на величину порогового напряжения
Up,
полевой
транзистор закроется и выходное
напряжение станет равным нулю. Если
необходимо, чтобы транзистор был открыт,
напряжение Ugs
следует поддерживать равным нулю. Ключ
на МОП - транзисторе имеет лучшие
характеристики. Его можно перевести в
открытое состояние, подавая управляющее
напряжение большее, чем максимальное
входное положительное напряжение,
причем и в таком режиме работы ток затвор
- канал будет равен нулю.