
- •Краткая история возникновения электроники. Области применения электроники.
- •Устройство материи согласно Стандартной модели.
- •Вакуумная электроника.
- •Мощные генераторные лампы
- •Газоразрядные приборы. Схема включение тиратрона тлеющего разряда.
- •Газонаполненные разрядники. Схема включения разрядника.
- •Конденсаторы. Условное графическое обозначение, эквивалентная схема.
- •Основные характеристики конденсаторов.
- •Характеристики, конструкция и область применения ионисторов.
- •Пьезоэлектрические компоненты, основные параметры и область использования.
- •Эффект Зеебека.
- •Полупроводниковые материалы.
- •Электрические переходы в полупроводниках.
- •Виды пробоев полупроводникового диода.
- •Лазеры.
- •Биполярные транзисторы.
- •Графический расчёт усилительного каскада.
- •Режим работы транзистора и усилителя класса b.
- •Режим работы транзистора и усилителя класса аb.
- •Многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы.
- •Структуры и условные графические обозначение полевых транзисторов.
- •Структура, условное графическое обозначение и принцип работы динистора.
- •Структура, условное графическое обозначение и принцип работы симистора.
- •Igbt-транзисторы.
- •Характеристики операционных усилителей.
- •Классификация операционных усилителей.
- •Логические элементы. Основные логические функции.
- •Классификация электронных транзисторных физических реализаций логических элементов.
- •Надежность полупроводниковых компонентов.
- •Механизмы отказов различных типов компонентов
- •Мажоритарный элемент.
- •Борьба с электромагнитными помехами.
- •Щадящие режимы работы компонентов.
- •Диодные ограничители.
- •Мультивибраторы.
- •Одновибраторы.
- •Блокинг-генераторы.
- •Генератор Пирса.
- •Триггеры.
- •Счётчики.
- •Регистры и регистровая память.
- •Устройства отображения информации.
- •Стабилизаторы напряжения.
Режим работы транзистора и усилителя класса b.
В режиме класса «В» амплитуда звукового сигнала меньше или равна напряжению смещения, а напряжение смещения равно напряжению запирания транзистора. В этом случае транзистор открывается только во время прихода положительной полуволны сигнала. Такие усилители мощности работают в двухтактном режиме и каждая полуволна сигнала поочерёдно (в режиме отсечки) проходит через свой тип транзистора. Поэтому, наличие "мёртвой" зоны при переходе через ноль приводит к искажениям типа "ступенька". Но, в отличие от класса «А» транзисторы заперты и постоянный ток не течёт если нет сигнала. КПД усилителей мощности этого класса максимум 75%. Недостаток данной схемы, это переходные искажения второго порядка, которые возникают в транзисторах разной проводимости и обусловлены различиями индивидуальных частотно - временных свойств n-p-n и p-n-p транзисторов.
Режим работы транзистора и усилителя класса аb.
Класс «АВ» - частичное объединение двух классов «А» и «В». При этом напряжение запирания транзистора меньше половины напряжения смещения, но амплитуда проходного сигнала не превышает напряжение смещения. В этом случае отрицательная полуволна сигнала частично искажается, а положительная проводится полностью. Но, общие искажение сигнала меньше чем в схеме класса «В» и протекающий ток меньше чем в классе «А». КПД таких усилителей в два раза выше, по сравнению с схемой класса "А" и составляет 50 - 70%. Основное достоинство класса "АВ" - это возможность выбора оптимального соотношения между величиной искажений и КПД, c помощью изменения напряжения смещения в определённых пределах. Отметим, что 99% всей выпускаемой аудио аппаратуры работает в этом классе.
Режим работы транзистора и усилителя класса C.
Класс «С» - это работа транзисторов при маленькой амплитуде напряжения запирания ниже, чем напряжение смещения. В этом случае амплитуда звукового сигнала меньше, чем напряжение смещения. В таком состоянии транзистор проводит только верхнюю часть положительной полуволны, что сильно искажает сигнал. Поэтому в аудио усилителях, этот класс не применяется. Такой режим работы транзисторов имеет высокий КПД (около 85%).
Режим работы транзистора и усилителя класса D.
Класс
"D" - это усилители сигнала с широтно
- импульсной модуляцией (ШИМ) и с частотно
- импульсной (ЧИМ), в которых звуковой
аналоговый сигнал преобразуется в
цифровую форму, а в выходном каскаде
происходит обратное преобразование. В
первом случае ширина синтезированных
импульсных сигналов пропорциональна
амплитуде входного (аналог) сигнала, во
втором - изменяемой величиной является
частота импульсов. В любом варианте при
изготовлении усилителя мощности класса
"D" получаем высокий коэффициент
нелинейных искажений, обусловленный
дополнительными процессами конвертации
усиливаемого сигнала. Класс "D"
имеет КПД - 90%.
Многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы.
Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ) широко используются в микросхемах. Число эмиттеров в них достигает от 3 до 8, и МЭТ можно рассматривать как совокупность транзисторов с общей базой и коллекторами (рис., а). Для подавления паразитных транзисторов n+-р-n+ - типа расстояния между соседними эмиттерами должны быть больше диффузионной длины носителей в базовом слое (=10 мкм). Многоколлекторный биполярный транзистор (MKT) представлен на рис.,в. Он представляет собой МЭТ, работающий в инверсном режиме. Общим эмиттером служит общий эпитаксиальный слой, а коллектором является сильно легированные небольшие области n+. При конструировании MKT основное внимание уделяется обеспечению высокого коэффициента передачи тока от общего эмиттера к каждому из n+ - коллекторов. Поэтому скрытый слой максимально приближают к базовому слою, a n+ - области располагают близко друг к другу. Транзисторы этого типа широко применяются в интегральных схемах ИТЛ, ТТЛ и ТТЛШ - логики.