
- •Краткая история возникновения электроники. Области применения электроники.
- •Устройство материи согласно Стандартной модели.
- •Вакуумная электроника.
- •Мощные генераторные лампы
- •Газоразрядные приборы. Схема включение тиратрона тлеющего разряда.
- •Газонаполненные разрядники. Схема включения разрядника.
- •Конденсаторы. Условное графическое обозначение, эквивалентная схема.
- •Основные характеристики конденсаторов.
- •Характеристики, конструкция и область применения ионисторов.
- •Пьезоэлектрические компоненты, основные параметры и область использования.
- •Эффект Зеебека.
- •Полупроводниковые материалы.
- •Электрические переходы в полупроводниках.
- •Виды пробоев полупроводникового диода.
- •Лазеры.
- •Биполярные транзисторы.
- •Графический расчёт усилительного каскада.
- •Режим работы транзистора и усилителя класса b.
- •Режим работы транзистора и усилителя класса аb.
- •Многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы.
- •Структуры и условные графические обозначение полевых транзисторов.
- •Структура, условное графическое обозначение и принцип работы динистора.
- •Структура, условное графическое обозначение и принцип работы симистора.
- •Igbt-транзисторы.
- •Характеристики операционных усилителей.
- •Классификация операционных усилителей.
- •Логические элементы. Основные логические функции.
- •Классификация электронных транзисторных физических реализаций логических элементов.
- •Надежность полупроводниковых компонентов.
- •Механизмы отказов различных типов компонентов
- •Мажоритарный элемент.
- •Борьба с электромагнитными помехами.
- •Щадящие режимы работы компонентов.
- •Диодные ограничители.
- •Мультивибраторы.
- •Одновибраторы.
- •Блокинг-генераторы.
- •Генератор Пирса.
- •Триггеры.
- •Счётчики.
- •Регистры и регистровая память.
- •Устройства отображения информации.
- •Стабилизаторы напряжения.
Графический расчёт усилительного каскада.
Усилительный каскад
должен содержать нелинейный управляющий
элемент (транзистор или лампу), источник
электрической энергии и вспомогательные
элементы. Во входную цепь включается
источник сигнала, а в выходную - нагрузка.
Полярность источника питания EК обеспечивает
работу транзистора в активном режиме.
Резисторы RБ и RК задают
требуемые постоянные составляющие
токов в цепях транзистора и постоянные
напряжения на его электродах - рабочую
точку транзистора.
От выбора рабочей точки зависит усиление
каскада, КПД, искажения сигнала. Для
того, чтобы источник сигнала и нагрузка
не влияли на режим работы транзистора
по постоянному току, включены разделительные
конденсаторы CР1 и CР2,
имеющие в рабочем диапазоне частот
малые сопротивления. Сопротивление
нагрузки RН >>
RК.
Для описания работы транзистора
воспользуемся семейством выходных
характеристик (рис. 3.31) iК=f(iБ,uКЭ). Учитывая,
что характеристика резистора RК подчиняется
закону Ома, получим:
,где
( EК -
uКЭ)
- падение напряжения на резисторе RК.
Это уравнение называется уравнением нагрузочной
линии.
Ее график имеет вид прямой линии,
проходящей через точку EК на
оси абсцисс и через точку EК /RК,
на оси ординат. Чем меньше RК,
тем более круто проходит нагрузочная
линия. Поскольку через транзистор
и RК протекает
один и тот же ток iК,
то его величина и напряжение uКЭ могут
быть найдены путем решения системы
уравнений:
.Эта
система уравнений может быть решена
графически, путем нахождения точек
пересечения нагрузочной линии с графиками
выходных характеристик транзистора.
Для определения параметров режима по
постоянному току примем eГ =0.
Тогда значения постоянной составляющей
тока коллектора IК (0) и
напряжения UКЭ (0) определяются
пересечением нагрузочной линии и
статической характеристики транзистора,
снятой при iБ =IБ (0),
- см. рис. 3.31, точка А.
При подаче на вход каскада напряжения eГ ток
базы будет изменяться относительно IБ (0)
по синусоидальному закону с амплитудой
и
рабочая точка будет перемещаться по
нагрузочной линии между точками B и C.
Соответственно будет изменяться ток
коллектора с амплитудой IКm около
значения IК (0)
и напряжение на коллекторе с
амплитудой UКm около
значения UКЭ (0).
При этом ток коллектора iК будет
находиться в фазе с током базы iБ,
а выходное напряжение uКЭ в
противо-фазе. ( Увеличению тока базы
соответствует увеличение тока коллектора
и уменьшение напряжения на коллекторе.
См. рис. 3.31). Для определения входного
напряжения uБЭ необходимо
воспользоваться входной характеристикой
транзистора i=f(uБЭ) при uКЭ=UК(0) рис.3.32.
(Строго говоря, при больших UКm может
потребоваться семейство входных
характеристик, снятых при различных uКЭ,
но , как правило, влиянием uКЭ на
входной ток можно пренебречь). Постоянному
току IБ(0)
соответствует постоянное напряжение UБ(0).
При изменении тока базы с амплитудой IБm входное
напряжение изменяется с амплитудой UБm. Обратим
внимание на то, что выходное напряжение
в данном каскаде (ОЭ) противофазно
входному. Графические расчеты могут
выполняться и без учета введенных ранее
ограничений.
Основными параметрами усилительного
каскада являются:
-
коэффициент усиления по напряжению;
-
коэффициент усиления по току;
-
коэффициент усиления по мощности;
-
входное сопротивление;
-
выходное сопротивление, г д е
-
выходное напряжение при RН
-
выходной ток при RН =
0;
-коэффициент
полезного действия.
h – параметры транзисторного четырёхполюсника.
Транзистор
с его внутренними параметрами,
определяемыми эквивалентной схемой,
представлен в виде линейного
четырехполюсника с соответствующими
зависимостями между входными и выходными
параметрами (U1,
I1,
U2,
I2).
В зависимости
от того, какие из этих величин взять за
независимые переменные, а какие – за
зависимые, линейный четырехполюсник
можно описать шестью различными системами
уравнений, однако наибольшее распространение
получила система, где за независимые
переменные принимаются входной ток и
выходное напряжение , а за зависимые –
выходной ток и входное напряжение.
Система
уравнений, связывающая между собой
зависимые и независимые переменные:
Физический
смысл коэффициентов h,
называемых
h
– параметрами:
Параметр
h11
определяется при коротком замыкании
на выходе U2
= 0:
входное
сопротивление при коротком замыкании
на выходе. Параметр h12
определяется при токе на входе I1
= 0:
– коэффициент
внутренней обратной связи по напряжению
при холостом ходе во входной цепи.
– коэффициент
передачи транзистора по току при коротком
замыкании на выходе;
– выходная
проводимость транзистора при холостом
ходе во входной цепи.
С учетом h
– параметров
эквивалентная схема транзистора выглядит
следующим образом:
На
высоких частотах между переменными
составляющими токов и напряжений
появляются фазовые сдвиги и параметры
становятся комплексными.
Для
различных схем включения транзистора
h –
параметры будут различны. Так для схемы
с общей базой входными и выходными
величинами являются U1
= Uэб
; I1
= Iэ
; U2
= Uкэ
; I2
= Iк
.
Так как
транзистор чаще усиливает сигнал
переменного тока, то и h
– параметры
по переменному току должны определяться
не как статические, а как динамические
(дифференциальные).
Для схемы
с общим эмиттером входными и выходными
величинами являются
Используя
семейства входных и выходных характеристик
транзистора h
– параметры
можно определить и графическим путем.
Так, для схемы с общим эмиттером семейства
входных и выходных характеристик
представлены на рис..
Семейства входных и выходных характеристик транзистора.
Режим работы транзистора и усилителя класса A.
Большинство усилителей мощности класса «А» работают в однотактном режиме. При этом постоянное напряжение смещения транзистора составляет половину запирающего, а амплитуда сигнала меньше напряжения смещения. Этим обусловлен недостаток усилителей класса "А" - маленькая выходная мощность. В результате такой работы транзисторов, постоянная составляющая протекающего тока, чуть больше амплитуды переменной составляющей, поэтому транзистор всегда открыт и находится в проводящем состоянии. Если на входе сигнала нет, то постоянный ток постоянно протекает и отдаёт большую часть энергии на нагрев (низкий КПД до 20%). Основное преимущество класса "А" - то, что рабочая область транзистора находится на линейном участке вольт - амперной характеристики и искажения усиливаемого сигнала минимальны. Усилители работающие в двухтактном режиме класса "А, способствуют дополнительному увеличению несимметричности правой и левой полуволны сигнала, это добавляет фазовые искажения и звук теряет разборчивость.