Вопрос 1. Назначение, классификация, области применения и структурные схемы приемо-передающих устройств

Структурная схема радиопередающего устройства

Это устройства предназначенные для генерирования ВЧ колебаний, их усиления и модуляции.

Автогенератор служит для создания незатухающих колебаний (возбудитель частоты).

Усилитель - усиливает амплитуду входного сигнала.

Умножитель - служит для увеличения частоты колебаний.

Модулятор осуществляет изменение передаваемого сигнала под действием модулирующего.

Выходной каскад всегда самый мощный. Именно его КПД определяет потребляемую мощность всего передатчика. Он должен иметь max КПД.

Классификация РПДУ

По назначению *связные *радиолокационные *телевизионные *радиовещательные

По месту установки *наземные *мобильные *носимые *корабельные

По мощности *малый до10Вт *Средний до 1кВт *Большой до 10кВт *Сверхбольшой от 10кВт

По частоте

Структурная схема радиоприемного устройства

Билет 24

Вопрос 2. Методы борьбы с помехами

Помехой называется стороннее возмущение, действующее в системе передачи и препятствующее правильному приёму сигналов. Источники помех могут находиться как вне, так и внутри самой системы передачи

Технические методы *экранирование *заземление *балансировка *фильтрация *изоляция *разнесение и ориентация *регулировка величины полного сопротивления схемы *подавление ( в частотной или временной области)

Помехоустойчивость технического устройства (системы) — способность устройства (системы) выполнять свои функции при наличии помех. Её оценивают интенсивностью помех, при которых нарушение функций устройства ещё не превышает допустимых пределов. Эта общая формулировка должна быть уточнена применительно к различным условиям передачи, то есть должна быть установлена количественная мера помехоустойчивости.

Хз что тут надо….

Билет 5.

1.Типы активных элементов, статические характеристики, аппроксимация статических характеристик, их основные параметры.

Активными называются элементы цепи, которые отдают энергию в цепь, т.е. источники энергии. 

1. Биполярный транзистор - является распространенным активным элементом в современных интегральных микросхемах. Структура биполярного транзистора в интегральных микросхемах отличается от структуры дискретного транзистора изоляцией от подложки.

Биполярные транзисторы микросхем формируются на полупроводниковой подложке p-типа в изолированных от нее областях n-типа, называемых карманами. Изоляция карманов от подложки может быть выполнена несколькими способами. Самый идеальный способ изоляции с помощью диоксида кремния, однако, он является технологически сложным

2. Биполярный транзистор с диодом Шоттки 3. Полевой транзистор с изолированным затвором 4. Диод 5 Бескорпусные активные элементы

Особенности использования статических характеристик АЭ при их работе в генераторах рассмотрим на примере биполярного тран­зистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Проходные и выходные характеристики биполярного транзистора средней мощ­ности показаны на рис. 2.1.

На рис. 2.1, б видно, что плоскость выходных характеристик можно разделить на две области. В области l, практически соответ­ствующей активной области работы транзистора, выходное напряже­ние коллектор — эмиттер

е_вых = е_к._э влияет на выходной (коллектор­ный) ток i_вых = i_к значительно слабее, чем входное. В области 2, включающей в себя область насыщения и переходную область, влия­ние е_вых сравнимо с влиянием входного напряжения эмиттер - база

Рис. 2.1. Проходная и входная (а) и выходные (б) статические характеристики биполярного транзистора типа 2Т9113А

е_вх = е_б.э и даже преобладает. В плоскости проходных характеристик также можно выделить области 1 и 2. Однако проходная характери­стика, соответствующая типовым напряжениям коллектор—эмит­тер, при всех допустимых токах лежит в области 1. На рис. 2.1, а показан увеличенный в 10 раз ток базы. Это позволило показать зави­симость токов коллектора и базы от входного напряжения на одном графике при соотношении между этими токами, близком к реальному.

Сходство рассмотренных характеристик биполярных транзисто­ров, полевых транзисторов и электронных позволяет предложить единую форму их аппроксимации (рис. 2.2).

Рис. 2.2. Кусочно-линейная аппроксимация проходной и входной (а) и выходных (б) статических характеристик АЭ (на примере биполярного транзистора)

Проходные характеристики при всех значениях е_вых, лежащих в области 1, аппроксимируются кусочно-линейной функцией

(2.1)

Здесь Е', S — напряжение отсечки и крутизна проходной характери­стики.

Аппроксимация (2.1) определяет связь между i_вых и е_вх, пока ток меньше критического значения i_вых.кр для данного значения е_вых. Зависимость i_вых.кр от е_вых.кр аппроксимируется в плоскости выход­ных характеристик прямой линией:

(2.2)

где S_кр — крутизна граничной (критической) линии, которая соот­ветствует передаче управления током i_вых от е_вх к е_вых.

В области 2, в которой _., реальное значение выход­ного тока

Равенство выполняется при е_вх = е_вх._кр и е_вых = е_вых._кр

Из (2.1) и (2.2) следует, что е_вх.кр и е_вых.кр связаны равенством:

(2.3)

Уравнение (2.3) является условием граничного (критического) режима. Реальный ток всегда равен меньшему из токов и определяемых по (2.1) и (2.2), т.е.

. (2.4)

Из рис. 2.2, а видно, что в соответствии с проходной характери­стикой i_вых (е_вх; е_вых = const) ток при е_вх> Е' сначала растет с кру­тизной S, а после достижения граничного значения i_вых = i'_вых оста­ется постоянным, равным i’'_вых. На выходной характеристике i_вых (е_вх; е_вых = const) ток в области 1 (при больших е_вых, рис. 2.2, б) не зависит от е_вых и равен i'_вых , а по достижении граничной линии, проходящей через начало координат с наклоном S_rp, т.е. в области 2, падает с уменьшением е_вых по закону .

Хотя принятая аппроксимация, называемая полигональной или кусочно-линейной, кажется грубой, она все же дает приемлемую для инженерных расчетов точность. Более сложная и точная аппроксима­ция обычно не нужна из-за разброса реальных характеристик АЭ от экземпляра к экземпляру. Поэтому расчеты имеют приближенный характер и необходимо предусмотреть регулировку рассчитываемых каскадов для компенсации влияния этого разброса.

Билет 14