
- •1. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия.
- •2. Усилительный каскад по схеме оэ. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
- •2. Усилительный каскад по схеме об. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1. Вах идеального и реального p-n-перехода.
- •2. Усилительный каскад по схеме ок. Параметры и характеристики усилительного каскада
- •1. Выпрямительные диоды,параметры,характеристики.
- •2. Дифференциальный усилительный каскад на биополярных транзисторах. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1.Импульсные диоды,параметры, характеристики
- •2. Способы питания биополярного транзистора в усилительных каскадах
- •1. Стабилитроны. Параметры и характеристики.
- •2. Способы питания полевого транзистора (пт) в усилительных каскадах
- •1. Схема с общим истоком
- •2. Схема с общим затвором
- •3. Схема с общим стоком. Истоковый повторитель
- •1.Туннельные и обращенные диоды, параметры и характеристики.
- •2. Усилительный каскад по схеме ои. Параметры и характеристики усилительного каскада
- •1. Работа биполярного транзистора в ключевом режиме.
- •2. Усилительный каскад по схеме ос. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом, параметры и характеристики.
- •1. Мдп транзистор с встроенным каналом, параметры и характеристики.
- •2. Неинвертирующий усилительный каскад на оу. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1. Мдп транзистор с индуцированным каналом, параметры и характеристики.
- •2. Дифференциальный каскад на оу. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1. Работа полевого транзистора в ключевом режиме.
- •2. Логарифмирующие и антилогарифимирующие преобразовательные каскады на оу. Параметры и характеристики каскадов.
- •1. Двухэлектродный тиристор (динистр), параметры и характеристики.
- •1. Трехэлектродный тиристор (тринистр), параметры и характеристики.
- •Основные параметры тиристоров.
- •2. Однотактный усилительный каскад мощности на биполярных транзисторах. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1.1. Фотодиоды
- •1.2.Фототранзистор
- •2. Усилительный каскад по схеме оэ. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •2. Усилительный каскад по схеме оэ. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1. Вах идеального и реального p-n-перехода.
- •2. Обратная ветвь.
- •2. Усилительный каскад по схеме ок. Параметры и характеристики усилительного каскада
- •1.1. Параметры и характеристики транзистора в схеме оэ.
- •1.2. Эквивалентные схемы биполярных транзисторов.
- •1) Эквивалентные схемы с h-параметрами.
- •2) Гибридная п-образная эквивалентная схема.
- •3) Эквивалентная схема идеализированного транзистора.
- •2. Усилительный каскад по схеме ои. Параметры и характеристики усилительного каскада
- •1.1. Параметры и характеристики транзистора в схеме об.
- •1.2. Эквивалентные схемы биполярных транзисторов.
- •1) Эквивалентные схемы с h-параметрами.
- •2) Гибридная п-образная эквивалентная схема.
- •3) Эквивалентная схема идеализированного транзистора.
- •2. Усилительный каскад по схеме ос. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1. Принцип работы биополярного транзистора. Режим работы.
- •2. Дифференциальный каскад на оу. Параметры и характеристики усилительного каскада.
1.2. Эквивалентные схемы биполярных транзисторов.
1) Эквивалентные схемы с h-параметрами.
h11 → входное сопротивление;
h12 → коэффициент ОС по переменному напряжению;
h21 → коэффициент передачи тока;
h22 → выходная проводимость.
Эквивалентная схема:
Для схемы с ОЭ → hij э
Для схемы с ОБ → hij б
Б и Э – для больших сигналов.
2) Гибридная п-образная эквивалентная схема.
(для схемы ОЭ)
(постоянная составляющая коллекторного тока).
т.б1 находится внутри объемной базы;
rб1б → сопротивление (объемное базы);
rб1к → влияние модуляции эффективной толщины базы;
Сэ → эмиттерная ёмкость (барьерная и диффузионная), в основном вторая.
предельная частота передачи тока в схеме с ОЭ.
Ск → коллекторная ёмкость. Барьерная. 0,15÷2пФ.
rкэ → сопротивление внешней утечки между коллектором и Э.
генератор тока → связывает выходной ток с напряжением на эмиттерном переходе.
3) Эквивалентная схема идеализированного транзистора.
p-n → диоды;
αNI1 → коллекторный ток;
α1I2 → эмиттерный ток.
2. Усилительный каскад по схеме ос. Параметры и характеристики усилительного каскада.
Рис. 3. Схема каскада с общим стоком
Усилительный каскад ОС охвачен 100-процентной последовательно-параллельной (последовательной по напряжению) ООС. Это означает, что выходной сигнал и сигнал обратной связи равны. Последнее возможно только в том случае, если в схеме отсутствует резистор в цепи стока, как показано на рис.3. Для определения коэффициента усиления каскада, охваченного 100-процентной ООС, воспользуемся известным выражением для коэффициента передачи по напряжению, полагая коэффициент обратной связи равным единице (В=1) . Из полученного выражения видно, каскад ОС не усиливает напряжение (КООС<1). |
Основные свойства каскада ОС |
1. Каскад не инвертирует фазу входного сигнала. 2. Каскад не усиливает напряжение. Усиливает мощность. 3. Каскад имеет большое входное сопротивление RВХ (обычно около 1 МОм. 4. Выходное сопротивление каскада составляет обычно единицы Ом. 5. При прочих равных условиях каскад ОИ имеет более широкую полосу пропускания, чем каскад ОИ, но более узкую, чем каскад ОЗ.
|
Основные формулы каскада |
Коэффициент усиления тока в таких каскадах не рассматривается. Коэффициент усиления напряжения определяется формулой , где при UСИ=const – крутизна характеристики прямой передачи транзистора, . Входное
сопротивление каскада ОС
Выходное сопротивление каскада ОС
|
БИЛЕТ № 20
1. Принцип работы биполярного транзистора. Режимы работы.
2. Дифференциальный каскад на ОУ. Параметры и характеристики усилительного каскада.
3. Файл A_UOB1-05.CIR.