1. Работа полевого транзистора в ключевом режиме.

Uси=Еп-IcRc

Ic=f(Uc) при Uзи=0

Время фронта – время, за которое U меняется от начального значения до 0,9Umax

Идеализируем транзистор:

Imax увеличивается, значит t2 уменьшается

Rэкв=r||Rc ( приблизительно равно r)

Uси стремится к Uси насыщения

Uси.нач.=RIcнач* exp(-t**/ )+E-IcначR

Если увеличить Icнач, то tфр уменьшится

Заряд и разряд конденсатора – через транзистор

2. Логарифмирующие и антилогарифимирующие преобразовательные каскады на оу. Параметры и характеристики каскадов.

Логарифмическое звено используется для компрессии сигнала в компандерных системах шумоподавления, а также является базовым элементом для вычисления произведения двух чисел.

1. Для положительного сигнала

1. Для отрицательного сигнала

К - постоянная Больцмана, q - заряд элемента.

При Т° =300К j T =26 мВ

Io - обратный ток диода.

Т.к. j А=0, то Uвых полностью приложено к диоду.

При малых входных сигналах характеристика линейна, а при больших - логарифмическая амплитудная характеристика.

На практике характеристика исключает перегрузку усилителя при большом динамическом диапазоне и используется в радиолокации при отражении сигналов от целей. Логарифмирующее звено с диодом имеет динамический диапазон:

Dc=103..104. На практике вместо диода включают соответствующий транзистор с общей базой для расширения динамического диапазона.

RбR , Rогр Rнагр. ном. ОУ

Rогр предотвращает перегрузку ОУ в режиме логарифмирования.

Ск - корректирующая емкость, которая ограничивает полосу усилителя и повышает его устойчивость.

АНТИЛОГАРИФМИРУЮЩЕЕ ЗВЕНО

Выполняет роль экспандера (растяжение сигнала).

Uвых=Kexp(Uвх/j T )

Uвых найдем используя выражение для коэффициента усиления инвертирующего ОУ.

К - постоянная Больцмана, q - заряд элемента.

1. Для положительного сигнала

2. Для отрицательного сигнала

Rб=Roc Rкэ

Для повышения устойчивости включают корректирующую емкость Ск.

БИЛЕТ № 13

1. Двухэлектродный тиристор, параметры и характеристики.

2. Интегрирующие и дифференцирующие преобразовательные каскады. Параметры и характеристики каскадов.

3. Файл A_UOD1-05.CIR.

1. Двухэлектродный тиристор (динистр), параметры и характеристики.

Тиристорами называются полупроводниковые приборы с тремя (и более) р-n-переходами, предназначенными для использования в качестве электронных ключей в схемах переключения электриче­ских токов.

В зависимости от конструктивных особенностей и свойств ти­ристоры делят на диодные (динисторы) и триодные (тиристоры).

Динисторы подразделяют на: запираемые в обратном направ­лении; проводящие в обратном направлении; симметричные.

Условные обозначения динисторов:

Симметричные динисторы:

Простейшие динисторы, запираемые в обратном направлении, обычно изготовляются из кремния и содержат четыре чередую­щихся р- и n-области:

Область р₁, в которую попадает ток из внешней цепи, назы­вают анодом, область n₂ — катодом; области n₁ , p₂ - базами.

Если к аноду р₁ подключить плюс источника напряжения, а к катоду n₂ — минус, то переходы П1 и П3 окажутся открытыми, а переход П2 — закрытым. Его называют коллекторным переходом.

Так как коллекторный р-n-переход смещен в обратном на­правлении, то до определенного значения напряжения почти все приложенное напряжение падает на нем. Такая структура легко может быть представлена в виде двух транзисторов разной элект­ропроводности, соединенных между собой:

Эквивалентная схема:

Вольт-амперная характеристика динистора:

Ток, протекающий через динистор:

, - обратные токи коллекторных переходов транзисторов VT1, VT2

- коэффициенты передачи эмиттерного тока.

БИЛЕТ № 14

1. Трехэлектродный тиристор, параметры и характеристики.

2. Однотактные усилительные каскады мощности. Параметры и характеристики.

3. Файл A_UOD2-05.CIR