12. Элементы на однотипных мдп транзисторах. Элементы на комплементарных мдп (кмдп) транзисторах.

- транзистор с индуцированным nканалам. МДП транзистор со встроенным каналом проводит ток даже при нулевом потенциале на затворе, если потенциал стока выше потенциала истока. Транзистор VT2 включен в качестве нагрузки ключей VT1 и VT3 (вместо него можно было бы включить резистор, но это увеличило бы рассеивающую мощность). Основные транзисторы VT₁ и VT₂ включены последовательно, транзистор VT₃ выполняет роль нагрузки. В случае, когда на обоих входах элемента действует высокое напряжение U¹(х₁=1,   х₂ =1), оба транзистора VT₁ и VT₂ оказываются открытыми и на выходе устанавливается низкое напряжение U⁰. Во всех остальных случаях хотя бы один из транзисторов VT₁ или VT₂ закрыт и на выходе устанавливается напряжение U¹. Таким образом, элемент выполняет логическую функцию И-НЕ.

приведена схема элемента ИЛИ-НЕ. На его выходе устанавливается низкое напряжение U⁰, если хотя бы на одном из входов действует высокое напряжение U¹, открывающее один из основных транзисторов VT₁ и VT₂.

Элементы на комплементарных МДП (КМДП) транзисторах.

с хема представляет собой схему элемента ИЛИ-НЕ КМДП-технологии. В ней транзисторы VT₁ и VT₂ - основные, транзисторы VT₃ и VT₄ - нагрузочные. Пусть высокое напряжение U¹. При этом транзистор VT₂ открыт, транзистор VT₄ закрыт и независимо от уровня напряжения на другом входе и состояния остальных транзисторов на выходе устанавливается низкое напряжение U⁰. Элемент реализует логическую операцию ИЛИ-НЕ.

КМПД-схема характеризуется весьма малым потребляемым током (а следовательно, и мощности) от источников питания.

13.Сравнение параметров базовых илэ основных типов логики.

Тип логики	Pn, ep МВт	, ср мс	Аср, пДж	Uп, ср В	вх	вых
ТТЛ ТТЛШ	10…20	5…20 2…10	50…100 20…50	0,8…1 0,5…0,8	2…5	10
ЭСЛ	20…50	0,7…3	20…50	0,2…0,3	2…5	10…20
И2Л	0,01…10	10…100	0,2…2	0,02…0,05	1	3…5
МДП КМДП	1…10 0,01…0,1	20…200 50…100	50…200 0,5…50	2…3 1…2	2…5	100…200