Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
payalnik_Avtosokhranennyy.docx
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.03.2025
Размер:
57.81 Кб
Скачать

1. Основные термины и определения. Специфика микросхемотехники. Классификация и условные обозначения интегральный микросхем (имс).

ИМС-это недел констр единица, изготовленная с применение технол методов микроэлектроники и выполнения определенных электр ф-ий. Микроэлектроника-это обл электр охватыающая проблемы исследования, конструирования, изготовление и применение электронных ус-в с с высокой степенью мильнитерализации. Микросхематехника(МСТ)-это раздел микроэлектроники охват исслов и разработку схематехники решений исспользуемых ИМС и РЭА(радиоэлектр аппаратуре)на их основе. Специфика микросхематехники: 1. Ограниченный диапазон сопротивлений(до десятков кОм); 2. Ограниченный диапазон областей(до десятков мкФ); 3. Отсутствие индуктивности; 4. Применение в схемах избыточного кол-ва активных эл-тов; 5.ИМС часто выполняем сложную законч ф-ию; 6. Близость расположенных эл-тов на кристалле и как следствие этого малый разброс пар в смежных элементов. Классификация ИМС: 1. По способу изготовления и получаемой при этом структуре: пленочные и полупроводниковые.

Полупроводниковые ИМС- это ИМС все эл-ты которых и мижэлементные соединения вып в объеме и на поверхности полупроводника. Пленочные ИМС- все эл-ты и мижлементные соединения которых выполнены в виде пленки. Если толщина пленки меньше 1 мкм, то тонкопленочные, элементы, которые формируются методом вакуумного напыления и осажд из газообр фазы на диэлекр подложку. В толстопленочной ИМС(толщина от 1 до 70 мкм) элементы изготовлены методом элетроф печати. Пленочная ИМС сод пассив эл-ты9резистры, конденсаторы) на основе пленочной ИМС изготовл гибритные ИМС. Гибритное ИМС-это пленочное ИМС на котором установленыы навесные эл-ты(кристаллы). 2. По виду обрабатывающего сигнала:-цифровые, -аналоговые. 3. По степени интеграции: K=lgNэл-число эл-тов в кристалле. K<1-малая степень интеграции, 1<K<=2-средняя степень интеграции, 2<K<=3-большая степень интеграции, К>3-сверхбольшая степень интеграции. 4. По типу основного активного компонента: -биполярные микросхемы, -МДП микросхемы. В соответствии с ГОСТ1868 обозначение ИМС сосотоит из 4-х элементов. 1.(цифра)-группа ИМС опр констр-технологическим исполнением и включаем следующее: 1,5,6,7-п/п ИМС, 2,4,8-гибритные ИМС, 3-просие ИМС. 2. Состоит из 2х или 3х цифр, и указывает на порядковый номер разработки данной серии ИМС. Под серией ИМС понимают совокупность типов ИМС, который выполняет различные ф-ии, имеют констр-технолог исполнение и предназначен для совместного применения. 3. Состоит из 2х букв, опр физическое назначение ИМС. 4. Состоит из 1ой или нескольких цифр и указывает на условный номер разр ИМС по функциональному признаку.

2. Основы алгебры логики.

В Булевой алгебре определяют 2 типа высказываний: -истинное(1), -ложное(0).

Существует 3 вида операций:

-отрицание(инверсия), операция «не», ,

-логическая сумма(дизъюнкция), операция «или», +,V,

-логическое умножение(конъюнкция), х, *, л.

Постулаты алгебры логики:

Если х=0, то х , x=1. х , =1, =0,

0+1=1, 1+1=1, 0*0=0, 0*1=0, 1*1=1 Переменная х принимает значения х{0;1}, называется логической переменной.

Свойства логической переменной:

x+х=х, х+ х+1=1, х+0=x, х*х=х, х* =0, х*1=х, х*0=0,

= х. Свойства нескольких логических переменных:

закон коммутативности (переместитель): x+y=y+x, xy=yx

закон ассоциативности (сочетать): x+y+z=(x+y)+z=x+(y+z),

x*y*z=(x*y)*z=x*(y*z)

закон дистрибутивности (распределитель): x*(y + z)=x*y + x*z, x+ (y*z)= (x+y)*(x+z)

закон поглощения: х+хy+xz+…+xw=x, x(x+y)=x

закон склеивания: xy+ y=y, (x+y)*( +y)=y

теорема де Моргана: = +…+

: =

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]