
- •1. Основные термины и определения. Специфика микросхемотехники. Классификация и условные обозначения интегральный микросхем (имс).
- •2. Основы алгебры логики.
- •3. Булевы функции.
- •4. Способы представления логических функций.
- •5. Карты Карно. Безразличные состояния.
- •6. Функционально полные системы элементов (фпсэ).
- •7. Основные характеристики и параметры лог элементов.
- •1 1.Элементы интегрально-инжекционной логики. Элементы эмиттерно-связанной логики (эсл).
- •12. Элементы на однотипных мдп транзисторах. Элементы на комплементарных мдп (кмдп) транзисторах.
- •13.Сравнение параметров базовых илэ основных типов логики.
1. Основные термины и определения. Специфика микросхемотехники. Классификация и условные обозначения интегральный микросхем (имс).
ИМС-это недел констр единица, изготовленная с применение технол методов микроэлектроники и выполнения определенных электр ф-ий. Микроэлектроника-это обл электр охватыающая проблемы исследования, конструирования, изготовление и применение электронных ус-в с с высокой степенью мильнитерализации. Микросхематехника(МСТ)-это раздел микроэлектроники охват исслов и разработку схематехники решений исспользуемых ИМС и РЭА(радиоэлектр аппаратуре)на их основе. Специфика микросхематехники: 1. Ограниченный диапазон сопротивлений(до десятков кОм); 2. Ограниченный диапазон областей(до десятков мкФ); 3. Отсутствие индуктивности; 4. Применение в схемах избыточного кол-ва активных эл-тов; 5.ИМС часто выполняем сложную законч ф-ию; 6. Близость расположенных эл-тов на кристалле и как следствие этого малый разброс пар в смежных элементов. Классификация ИМС: 1. По способу изготовления и получаемой при этом структуре: пленочные и полупроводниковые.
Полупроводниковые ИМС- это ИМС все эл-ты которых и мижэлементные соединения вып в объеме и на поверхности полупроводника. Пленочные ИМС- все эл-ты и мижлементные соединения которых выполнены в виде пленки. Если толщина пленки меньше 1 мкм, то тонкопленочные, элементы, которые формируются методом вакуумного напыления и осажд из газообр фазы на диэлекр подложку. В толстопленочной ИМС(толщина от 1 до 70 мкм) элементы изготовлены методом элетроф печати. Пленочная ИМС сод пассив эл-ты9резистры, конденсаторы) на основе пленочной ИМС изготовл гибритные ИМС. Гибритное ИМС-это пленочное ИМС на котором установленыы навесные эл-ты(кристаллы). 2. По виду обрабатывающего сигнала:-цифровые, -аналоговые. 3. По степени интеграции: K=lgNэл-число эл-тов в кристалле. K<1-малая степень интеграции, 1<K<=2-средняя степень интеграции, 2<K<=3-большая степень интеграции, К>3-сверхбольшая степень интеграции. 4. По типу основного активного компонента: -биполярные микросхемы, -МДП микросхемы. В соответствии с ГОСТ1868 обозначение ИМС сосотоит из 4-х элементов. 1.(цифра)-группа ИМС опр констр-технологическим исполнением и включаем следующее: 1,5,6,7-п/п ИМС, 2,4,8-гибритные ИМС, 3-просие ИМС. 2. Состоит из 2х или 3х цифр, и указывает на порядковый номер разработки данной серии ИМС. Под серией ИМС понимают совокупность типов ИМС, который выполняет различные ф-ии, имеют констр-технолог исполнение и предназначен для совместного применения. 3. Состоит из 2х букв, опр физическое назначение ИМС. 4. Состоит из 1ой или нескольких цифр и указывает на условный номер разр ИМС по функциональному признаку.
2. Основы алгебры логики.
В Булевой алгебре определяют 2 типа высказываний: -истинное(1), -ложное(0).
Существует 3 вида операций:
-отрицание(инверсия),
операция «не»,
,
-логическая сумма(дизъюнкция), операция «или», +,V,
-логическое умножение(конъюнкция), х, *, л.
Постулаты алгебры логики:
Если х=0, то х
,
x=1.
х
,
=1,
=0,
0+1=1, 1+1=1, 0*0=0, 0*1=0, 1*1=1 Переменная х принимает значения х{0;1}, называется логической переменной.
Свойства логической переменной:
x+х=х,
х+
х+1=1,
х+0=x,
х*х=х, х*
=0,
х*1=х, х*0=0,
=
х. Свойства нескольких логических
переменных:
закон коммутативности (переместитель): x+y=y+x, xy=yx
закон ассоциативности (сочетать): x+y+z=(x+y)+z=x+(y+z),
x*y*z=(x*y)*z=x*(y*z)
закон дистрибутивности (распределитель): x*(y + z)=x*y + x*z, x+ (y*z)= (x+y)*(x+z)
закон поглощения: х+хy+xz+…+xw=x, x(x+y)=x
закон склеивания: xy+ y=y, (x+y)*( +y)=y
теорема де Моргана:
=
+…+
:
=