
- •Конспект лекций
- •Оглавление
- •Элементы зонной теории твердых тел
- •Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- •Литература…………………………………………………………. .73
- •Приложение 2 Фазовая и групповая скорости, фононы………….. 87
- •1. Элементы зонной теории твердых тел
- •1.1 Электронный газ в периодическом потенциальном поле
- •1.2. Зоны Бриллюэна
- •1.3. Эффективная масса электрона
- •1.4. Зонная схема кристаллических тел - проводники, диэлектрики, полупроводники
- •2. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- •2.1. Собственные и примесные полупроводники
- •2.2. Зависимость концентрации свободных носителей в полупроводнике от положения уровня Ферми
- •2.3. Уровень Ферми и равновесная концентрация носителей в невырожденных собственных полупроводниках
- •2.4. Положение уровня Ферми и концентрация носителей в примесных полупроводниках
- •2.5. Неравновесные носители, рекомбинация носителей
- •2.6. Поверхностная рекомбинация
- •2.7. Уравнение непрерывности
- •3. Электропроводность твердых тел
- •3.1. Движение электронов под действием внешнего поля
- •3.2. Зависимость подвижности носителей заряда от температуры
- •3.3. Электропроводность чистых металлов
- •3.4. Электропроводность собственных полупроводников
- •3.5. Электропроводность примесных полупроводников
- •3.6. Диффузионные уравнения
- •4. Контактные явления
- •4.1. Контакт электронного и дырочного полупроводников
- •4.2. Равновесное состояние р-n-перехода
- •4.3. Зонная диаграмма р-n-перехода при положении внешнего поля
- •4.4. Вах тонкого р-n-перехода
- •5. Поверхностные явлении
- •5.1. Поверхностные состояния
- •5.2. Эффект поля. Мдп-структуры
- •5.3. Вольт-фарадная характеристика
- •6. Полевые транзисторы
- •6.1. Общие сведения
- •6.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •6.3 Статические характеристики
- •6.4. Основные параметры мдп-транзисторов
- •6.5 Полевые транзисторы с управляющим
- •7. Электрофизические свойства p-n-переходов и структур металл-диэлектрик-полупроводник
- •7.1. Барьерная и диффузионная емкость p-n-перехода
- •7.2. Механизмы пробоя p-n-переходов
- •7.3. Механизмы переноса заряда через тонкие диэлектрические пленки
- •Сильно-полевая туннельная инжекция и инжекционная модификация.
- •Литература
- •Прямоугольный барьер полубесконечной толщины
- •Приложение 2 Фазовая и групповая скорости, фононы
1.3. Эффективная масса электрона
Известно:
, (1.3.1)
. (1.3.2)
Кинетическая энергия свободного электрона равна Ek=E
. (1.3.3)
Подставим (1.3.2)
тогда
(1.3.4)
D1
D
C1
C
B
K
E
Рис. 1.6
E
D1
D
01
-2/
-/
2/
/
0
K
C1
C
B
Рис. 1.7
K
E
-/ax
/ax
Рис. 1.8
Зона проводимости
Ec
Ev
Eg
валентная зона
0
k
k
[111]
[100]
Рис. 1.9
Продифференцируем Ek по k:
, (1.3.5 )
отсюда
. (1.3.6)
Подставим (1.3.6) в (1.3.2)
. (1.3.6)
Формула (1.3.6) справедлива не только для свободного электрона, но и для электрона, находящегося в потенциальном поле.
Пусть энергия зонного электрона изменяется под некоторым внешним воздействии.
dE=FVdt . (1.3.7)
где F - внешняя сила
Подставим (1.3.6) в (1.3.7)
, (1.3.8)
отсюда
. (1.3.9)
Продифференцируем (1.3.6) по времени
. (1.3.10)
Подставим (1.3.9) в (1.3.10)
. (1.3.11)
где а - ускорение.
Формула (1.3.11) связывает ускорение и силу, т.е. она выражает второй закон Ньютона F=ma; a=F/m.
Из (1.3.11) следует, что под действием внешней силы электрон в периодическом поле кристалла движется так, как двигался бы свободный электрон, обладающий массой
. (1.3.12)
Масса m* называется эффективной массой электрона. Приписывая электрону, находящемуся в периодическом поле кристалла массу m*, мы можем считать этот электрон свободным и описывать его движение во внешнем поле так, как описывается движение свободного электрона. Эффективная масса, отражающая особенности движения электрона в периодическом поле, является своеобразной функцией. Она может быть как положительной, так и отрицательной, а по абсолютному значению как меньше, так и больше массы покоя электрона. Эффективная масса свободного электрона равна массе покоя.
При движении электрона в периодическом потенциальном поле кристалла работа внешней силы может переходить как в кинетическую, так и потенциальную энергию электрона.
. (1.3.13)
Если часть работы внешней силы F=-q переходит в потенциальную энергию, то скорость электрона возрастает медленнее, чем у свободного электрона и следовательно его эффективная масс больше массы покоя. Если вся работа внешней силы переходит в потенциальную энергию, то скорость электрона изменяться не будет, и он будет вести себя, как частица с бесконечно большой массой.
В потенциальную энергию может переходить не только работа внешней силы, но и кинетическая энергия электрона. Скорость электрона будет в этом случае уменьшаться, т.е. он ведет себя как частица с отрицательной массой.
Возможен
случай, когда в кинетическую энергию
может переходить не только работа
внешней силы, но и потенциальная энергия,
тогда скорость электрона будет расти
быстрее, чем у свободного, т.е. его
эффективная масса будет меньше массы
покоя. На рис. 1.10 показаны зависимости
E,
V,
m*
от волнового вектора k.
Вблизи дна разрешенной зоны энергия
m*
электрона положительна, а у потолка
зоны отрицательна. Точка А - точка
перегиба зависимости E(k),
в этой точке
достигает максимума, а вторая производная
равна
0, а m*.
Поскольку k
вектор, то m*
зависит от направления движения электрона
в кристалле.