
- •21. Ширина области объемного заряда резкого p-n перехода.
- •22. Особенности плавных p-n переходов.
- •23. Прямое смещение p-n перехода. Граничные концентрации носителей в p-n переходе. Инжекция носителей. Случай тонкой базы.
- •24. Обратное смещение р-n-перехода. Граничные концентрации носителей в р-n- переходе. Экстракция носителей.
- •25. Уравнение статической вольт-амперной характеристики идеализированного р-n перехода.
- •26. Зависимость вах перехода от материала p- и n- областей и температуры.
- •27. Особенности вах реальных p—n - переходов.
- •28. Пробой p-n - перехода. Виды и механизмы пробоя p-n перехода.
- •29. Частотные и импульсные характеристики p-n - переходов. Барьерная и диффузионная емкость.
- •30. Контакт металл-полупроводник. Барьер Шоттки.
- •32.Омический контакт.
- •33. Гетеропереходы.
- •34. Полупроводниковые диоды. Система условных обозначений п/п приборов. Выпрямительные диоды. Стабилитроны.
- •35.Варикапы. Светоизлучающие диоды. Туннельные диоды.
- •36. Импульсные диоды. Переходные процессы при работе от генератора.
- •37. Импульсные диоды. Переходные процессы при работе от генератора напряжения.
- •39. Составляющие токов в структуре биполярного транзистора. Коэффициент передачи тока эмиттера и его зависимость от конструктивных параметров транзистора.
- •40. Особенности структуры и параметров дрейфовых транзисторов.
34. Полупроводниковые диоды. Система условных обозначений п/п приборов. Выпрямительные диоды. Стабилитроны.
Система обозначений имеет единую структуру. Основа: 7-значный буквенно-цифровой код. Первый элемент указывает на материал, из которого изготовлен прибор. Для приборов широкого применения – это буква, для приборов специального применения – цифра. Г или 1 – германий Ge, К или 2 – кремний Si, А или 3 – на основе GaAs. Второй элемент обозначения – буква, определяющая подкласс приборов. Т – транзистор (КТ, 1Т, ГТ и т.д.), Д – диод, С – стабилитрон и т.д. Третий элемент – цифра, определяющая один из основных характеризующих прибор признаков. 4, 5 и 6 элементы – трехзначное число, но может быть и двухзначное – определяет порядковый номер разработки технологического типа приборов. Седьмой элемент – буква, условно определяет классификацию приборов изготовленных по единой технологии по какому-то параметру. Например, КТ315A.
Выпрямительные диоды. Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления и преобразования тока и напряжения промышленной частоты (50÷2000 Гц) – низкочастотные диоды повышенной мощности (силовые диоды).
Рис. Использование выпрямительных диодов
Для сглаживания выходное напряжение подключают через фильтр, в простейшем случае – конденсатор Cф. Конденсатор в положительный полупериод – заряжается, а в отрицательный – разряжается через Rн, поддерживая на ней положительное напряжение.
Выпрямительные устройства – необходимые элементы цепей питания радиоэлектронной аппаратуры самой различной мощности. Поэтому для работы таких устройств необходима широкая номенклатура выпрямительных диодов с определенными параметрами для каждого конкретного применения. Выбор проводится по набору значений его паспортных параметров.
1.
Максимально допустимый средний прямой
ток Iпр
ср –
максимально допустимое среднее за
период значение тока, длительно
протекающего через диод. Этот ток
ограничен допустимой температурой p-n
перехода, а контролируется по температуре
корпуса диода. Нагрев зависит от плотности
протекающего тока. По величине прямого
тока выпрямительные диоды делятся на
три класса:1) малой мощности
мА.2)
средней мощности
А.3)
силовые мощные диоды
А
(10 А, 16 А, 25 А,…1600 А.)С этим связана и
система обозначений выпрямительных
диодов – вторая буква Д, первая цифра
1 – малой мощности, 2 – средней мощности.
Мощные диоды имеют индивидуальную
(фирменную) систему обозначений. Пример:
2Д203 или КД203 А, Б, В
А.ВЛ200
– на 200 А, Петербургский (Ленинградский)
завод им. В.И. Ленина
2.
Максимальное обратное рабочее напряжение
Uр
– определяет гарантированно надежную
работу при обратных напряжениях. Обычно
выбирают порядка
.
В.
Кроме рекомендуемого Uр,
в справочных данных, особенно у мощных
диодов, указываются предельные
максимальные импульсные напряжения
Uимп
доп:
.Знание
Uимп
доп
позволяет рассчитывать кратковременную
допустимую перегрузку диода по напряжению
при переходных процессах. Для этих
диодов приводятся и допустимые значения
импульсных токов, которые могут
кратковременно протекать через прибор.
Эти параметры являются основными, по
которым подбираются диоды.
Другие параметры:
3.
Прямое падение напряжения на диоде при
заданном рабочем токе
В,
В.
4. Постоянный обратный ток диода при Up: Iобр – зависит от площади p-n перехода, т.е. от мощности. Для диодов средней мощности – десятки микроампер.
5. Максимально допустимая температура: Si 140÷190C, Ge 90÷100C.
6. Тепловое сопротивление переход-корпус Rтпк и тепловое сопротивление переход – среда Rтпс.
;
где
,
,
- температуры перехода, среды и корпуса.
Р – мощность, рассеиваемая диодом. По
отношению к выпрямительному устройству
это мощность потерь.
- таким образом при постоянных температурах
среды
и мощности P
температура перехода тем меньше, чем
меньше
.
Величина
обычно
порядка единиц, десятков C
на Вт.
C/Вт,
.
- зависит как от конструкции корпуса, так и от условий его охлаждения.
Выпрямительные
диоды обычно выполняют на основе Si.
Поэтому
- мало, а первая составляющая намного
меньше второй.
Так
как ток через диод очень сильно
(экспоненциально) зависит от напряжения,
то
для диодов из данного материала примерно
одинаково, то есть мощность потерь P
определяется в основном прямым током.
Для выпрямительных диодов малой мощности:
.
Для того, чтобы эта мощность не перегревала
p-n
переход его припаивают к массивному
корпусу диода, что образует хороший
тепловой контакт. Для диодов средней
мощности:
- не может быть рассеяна корпусом прибора,
поэтому необходимо устанавливать эти
диоды на радиаторы. Для облегчения такой
установки один из выводов диода выполняют
в виде массивного стержня с винтовой
нарезкой.
Стабилитроны. Как известно, туннельный и лавинный пробои имеют обратимый характер, при этом необходимо иметь ограничение мощности рассеиваемой p-n переходом для предотвращения теплового пробоя. На участке ВАХ, соответствующем участку как лавинного, так и туннельного пробоя напряжение от тока зависит слабо. Это используется в работе полупроводниковых стабилитронов – диодов рассчитанных на работу в режиме пробоя и предназначенных для стабилизации напряжения. Второй элемент обозначения - буква С
Рис. Схема включения стабилитрона
– балластный
(балласт) или гасящий резистор.
Рис. Стабилизация напряжения в схеме на основе стабилитрона
Основные параметры стабилитронов:
Напряжение стабилизации
В – определяется степенью легирования.
- минимально допустимый ток стабилизации. При
пробой нестабильный и наблюдается сильная зависимость напряжения от тока и большой уровень шумов.
- максимально допустимый ток через стабилитрон, определяется максимально допустимой мощностью рассеивания. Если
- развивается необратимый тепловой пробой.
- номинальный рекомендуемый рабочий ток, для которого приводятся справочные данные по остальным параметрам. Типичные значения
Рис. Параметры стабилитрона
Дифференциальное сопротивление
- единицы, десятки и сотни Ом. Чем меньше, тем лучше.
Статическое сопротивление
Коэффициент качества
- чем меньше, тем лучше.
Температурный коэффициент стабилизации
, размерность %/C.
для стабилитронов с
В , так как с ростом температуры напряжение туннельного пробоя уменьшается.
для стабилитронов с
В , так как с ростом температуры напряжение лавинного пробоя увеличивается. Типичные значения
. Последнее значение относится к так называемым термокомпенсированным стабилитронам. Такие стабилитроны работают при лавинном пробое и для компенсации роста
при увеличении T, последовательно со стабилитроном включают прямо смещенные p-n переходы, уменьшение прямого напряжения на которых с ростом T, компенсирует увеличение напряжения лавинного пробоя
- прецизионный стабилитрон.
Рис. Прецизионный стабилитрон
Для стабилизации малых напряжений, меньших 3В, используются так называемые стабисторы – стабилитроны, но работающие на вертикальном участке прямой ВАХ.
Рис. ВАХ стабистора Рис. Двунаправленный (двуханодный) стабилитрон
Третий
элемент обозначения – цифра, указывает
на рабочий ток стабилитрона: 1 – обычный,
2 – повышенной мощности, 4 и 5 цифры –
косвенно указывают на напряжение
.
Примеры:
2С133 или КС133
В;
КС168
В
Стабистор:
2С107
В,
2C113
В.