
- •1. Интерференция световых волн. Условия max и min.
- •2. Интерференция света в тонких пленках.
- •3. Явление дифракции. Условия ее наблюдения. Метод зон Френеля.
- •4. Дифракционная решетка.
- •5. Поляризация при отражении и преломлении. Закон Брюстера.
- •6. Двойное лучепреломление. Поляроиды. Закон Малюса.
- •7. Интерференция поляризованного света.
- •8. Вращение плоскости поляризации.
- •9. Фотоэффект (внешний).
- •11. Некогерентное рассеивание волн. Комптон-эффект.
- •13. Законы теплового излучения.
- •1. З. Кирхгофа
- •14. Функция Кирхгофа.
- •1. Интегральная и спектральная лучеиспускательная способность тела.
- •15. Гипотеза де Бройля. Свойство волн де Бройля.
- •16. Вероятностный смысл волн де Бройля.
- •22. Туннельный эффект.
- •22. Туннельный эффект.
- •23. Модель атома Резерфорда. Линейчатый спектр атома водорода
- •19. Свободная частица в квантовой механике.
- •24. Теория Бора для водородоподобных систем.
- •25. Спектр щелочных металлов.
- •26. Водородоподобные системы.
- •27. Тонкая структура спектров. Спин электрона.
- •28. Принцип Паули. Периодическая система.
- •29. Молекулы и их спектры.
- •33. Энергетический спектр электрона в твердом теле.
- •32. Колебание кристаллической решетки. Фононы. Теплоемкость кристаллической решетки.
- •35. Статистика Ферми-Дирога.
- •36. Свойство электронного газа в твердом теле. Теплоемкость и теплопроводность твердых тел.
- •37. Электропроводность металлов.
- •38. Электропроводность собственных полупроводников.
- •40. Работа выхода электронов из твердого тела.
- •41. Контактная разность потенциалов термоэлектричества.
- •42. Явление сверхпроводимости
- •30. Спонтанные и внутренние переходы плазмы.
- •18. Уравнение Шредингера.
- •21. Прохождение частицы через потенциальный барьер.
- •17. Соотношение неопределенностей.
- •20. Частица в одномерной потенциальной яме с бесконечно-высокими стенками.
40. Работа выхода электронов из твердого тела.
е, в случае неполного заполнения ими ВЗ, или в случае перекрывания ВЗ и ЗП, могут свободно перемещаться внутри тв. Тела. Однако, их выход за пределы тв. Тела(когда он обладает W>W поверхности тв. Тела).-если е будет нах-ся выше нулевого энергетич. Уровня. Выход за пределы тв. Тела затруднен для е некоторым поверхн. Потенциальным барьером на поверхности тела.
Предположим, что е покинул тело, тогда на пов-ти появл. Положит. Заряд, кот. Должен взаимодействовать с этим покинувшим е, стремясь его удержать в тв. Теле. Для того, чтобы окончательно покинуть тв. Тело нужно затратить некоторую работу на преодоление электромагнитн. Силы->нужно увелич. W е, эта работа и определяет высоту этого барьера на поверхности тв. Тела.
1 случай. Металл. –в большинстве ВЗ и ЗП перекрываются. иллюстрация
Термодинамич. A вых.
Если Т=0К, тогда
Если
,
то
.
=>величиной
kT для металлов
принебрегают=>
-энергия
сродства.
2 случай. Собственный полупроводник.
иллюстрация
Термодинамич. Aвых. И W
сродства могут принимать различные
значения.
-энергия
сродства.
е
могут нах-ся и в ЗП.
Энергия
сродства опред-ет красноволновую границу
фотоэф. Для тв. Тела.
опред-ет
поток е, покидающих тв. Тело при его
нагреве вследствии явления термо-электронной
эмиссии. Темп. Тв. Тела опр-ся кол-ом
имитеруемых е. При достижении насыщения,
величина тока будет зависеть только от
темп. И не будет зависеть от величины
напряжения.
-
ток насыщения.
41. Контактная разность потенциалов термоэлектричества.
Потенц. W е в одном металле>чем во втором. Часть е из 1 металла после соединения этих 2ух метал. На более низкие уровни энергии во 2ом металле=>1 мет. Теряет часть е, заряжается положительно, а 2 заряж. Отрицательно. Иллюстрация.
внутр. Контакт. Разность потенциалов,
Внутр. Контактн. Разность потенциалов.
n1,2-концентрация в ВЗ для материалов 1, 2.
Термоэлектричество.
При нагреве
,возник.
Константная разность потенциалов
:
;
если мы находим результирующ. Величину
и обозначим соотв.
мы
должны сложить
и
:
42. Явление сверхпроводимости
-действ.
только для критической темп., при кот.
Металл переходит в сверхпроводящее
состояние. Явл-ие сверхпровод. Обнаружено
Камерлинг-Онессом в 1911г для ртути.
Охлажденная ртуть дл Темп<Темп. Критической-удельное сопротивл. Скачком изменяется до 0.
Предположим, металл в узлах кот. Расположены положит. Заряжен. Ионы. В следств. Малого энергетич. Зазора между ВЗ и ЗП или их перекрывания е-проводимости могут свободно перемещаться по кристаллу.
е проводимости будут поляризовать кристал. Решетку, пытаясь сместить положит. Ионы к е. В результате происходит деформация решетки, и она увеличив. Плотность “+”зарядов в окрестностях поляризующих е-ов.=>поляризован. Область с повышенной плотностью поляризован. Заряда, в окрестн. А будет притягивать е, нах-ся в обл. В. Аналогичная обл. вокруг е В будут притягивать е обл. А, т.е. появл-ся некое электрич. Приближение между е-ми обл. А и В, в отличие от того, что они должны отталкиваться(классическая теория).Необходимо учитывать,что описываем. Нами взаимодействия, носят динамический хар-ер, т.к. е и поляриз. Нах-ся в постоянном движении в кристалле. А такое постоянное перемещение по кристаллу деформируемых областей приводит к возбуждению фононов(кванты колебат. Движения), кот. Также распространяются по кристаллу и также взаимодейст. С электронами. Фонон, возбужд. Е-ом, нах-ся в обл. А, может передать свою W-ию е-ну, нах=ся в обл. В,или наоборот такой обмен энергии е-ми, через фононы порождает так называемое обменное притяжение между е-ми, кот. При Т<Ткритич., оказыв. Значительно большим, чем электростатич. Отталкивании между е-ми.
3. Принципиальной особенностью такого
притяжения явл-ся его парный хар-ер. Ибо
т.о. взаимодейств. Только е с противоположно
направленными спинами и теперь, при
Т<Ткрит., свободные е в металле
разбиваются на пары, зарядом =2*заряд
электрона называющ-ся Куперовскими
парами. При этом, среднее расстояние
между е в такой паре составл. Величины
от
до
,что
в
раз
>межатомных расстояний в кристаллах
металлов. Образование куперовских пар
приводит к перестройке энергетического
спектра металла, т.к. неспаренные е
подчиняются статистике Ферми-Дирока,
а спаренные, для кот. Результирующ. Спин
=0, => они не испытыв. Принципа запрета
Паули, поэтому подчиняется квантовой
статистике базы Эйнштейна, они могут
занимать 1 состояние явл-ся энергетически
наиболее выгодным, т.к. обладает наименьшей
из допустимой статистикой энергией.
При обычной электропроводн., е могут
свободно менять свои состояния в ЗП,
при взаимодейств. С фононами или дефектами
решетки, результатом чего и явл-ся
электрическое сопротивление.
4.Куперовские пары, под действ. электр. Поля получают направленную скорость, а также некоторо. Приращение энергии, кот. Оказыв. Одинак. Для всех пар, т.к. вероятность перехода на другие энергетич. Уровни ничтожно мала, что явл-ся следствием статистики базы Эйншт-на., то изменение энергии пар за счет их взаимодействия с тепловыми колеб-ями решетки очень маловероятно=>это значит перенос зарядо по проводнику без сопротивления е в куперовских парах, также связаны между собой величина W между е куперов. Пар=от 2 до 5 млЭВ,
Этой же величиной W-ии
связаны Wп=kTкрит.,и
предельные значения плотности тока в
сверхпроводниках. Кинетические W-ии
купер. Пар растут и достигают значений,
сравнимых с энергией связи в парах.
Когда Wk становится равной
W-ии связи, купер. Пары
распадаются и явл-ие сверхпроводимости
исчезает. Предельная плотность тока,
при кот. Реализуется св-во сверхпрвод.,
кот. Назыв. Критич. Плотности тока,
достигает в современ. Сверхпроводн.
Значения :
,
что в
раз
> чем у самых хороших не сверхпроводящих
проводников.
5. Эффекты эл-ой индукции, запрещают возникновению магнитного поля в сверхпроводнике. Допустим, магнитное поле в сверхпроводн. =значению индукции какой-то В, Поле, будучи обусловленное внешним напряжен. Возросло. При этом, согласно законам электромагнетизма должен появиться индукционный ток. По правилу Ленца этот индукционный ток также создает магн. Поле, кот. Ослабляет внешнее магнитное поле. А поскольку сверхпроводниковые индукционные токи возник. Без сопротивления, то любое увелич-ие магн-го поля вызывает индукционный ток, кот. Полностью компенсирует внешнее поле. Этот компенсируюз. Индукцион. Ток, кот. Поддержив.-назыв. Экранируемым.
По мере увелич. индукции внешнего поля увелич. и этот экранирующ. Ток, тогда, когда плотность экранир. Тока достигает критич. Величины, сверх-проводн. Также исчезает. Для данного конекретного сверхпроводника критич. Ток и индукция уменьш. С увелич. Т по мере напряжения Ткрит., и ток и индукция стремятся к нулю.
Изготовл. электромагнитов. С помощью кот. Создаются сверх-сильные магнитные поля. Также сверхпровод. Материалы применяются в создании электро-генераторов их КПД высок.