Простые и сложные микросхемы

В настоящее время стандартизированные количественные и качественные меры определения сложности микросхем, согласно ГОСТ 17.021-88, степень интеграции ИМС определяется как показатель степени сложности ИС , характеризующийся числом содержащихся в ней элементов или компонентов. Для характеристики степени интеграции используют коэффициент К = lg N (где N – число элементов).

Количественная степень интеграции определяется числом логических элементов, то есть вентилей.

Под качественной оценкой сложности микросхем понимают : определение зависит не только от числа элементов и компонентов в МС, но и технологии изготовления, а также функции назначения интегральных схем. По степени интеграции при качественной оценке ИМС делятся на МИС (1-2), СИС (2-3), БИС, СБИС.

Заказная ИМС – это ИМС, разработанная на основе стандартных или специально созданных элементов и узлов, созданных по функциональной схеме заказчика и предназначенных для определенной аппаратуры.

Полузаказная ИМС – разрабатывается на основе базовых, в том числе матричных кристаллов, и предназначена для определенной аппаратуры.

К ИМС частного применения относятся ИМС, предназначенные для использования в конкретной аппаратуре и изготавливаемые на предприятии ее производящем.

Микросборка – это микроэлектронные изделия, выполняющие определенную функцию и состоящие из элементов, компонентов и ИМС, а также других ЭРЭ, находящихся в различных сочетаниях.

По технологическому исполнению микросборка не отличается от ГИС, но в отличие от ГИС они не выпускаются как самостоятельные изделия, а только для частного применения для конкретной аппаратуры.

Микроблок – микроэлектронные изделия, которые могут содержать ИМС и микросборки.

Технологические основы микроэлектроники

Технологические основы микроэлектроники составляют процессы для формирования полупроводниковых и пленочных структур.

К ним относятся :

1. нанесение слоев из различных материалов на поверхность полупроводниковых пластин и диэлектрических подложек : эпитаксия, наращивание, напыление.

2. перераспределение атомов в объеме 1 фазы для легирования полупроводников с целью создания локальных областей с различным типом электропроводимости (диффузия, ионное легирование)

3. перераспределение атомов и удаление вещества для локальной обработки (литографии)

Особенностью структуры ИМС и главной черты процесса отражает 2 группа.

По своему назначению к месту занимаемому в общем процессе производства, все операции объединяют в самостоятельные частные технологические процессы, которые можно разделить на 3 группы :

1. заготовительные процессы (получение монокристаллических полупроводниковых слитков, определение типа электропроводимости и заданного удельного сопротивления, резка слитков на пластины, обработка их поверхности с микро- и макро- геометрией, а также качеством поверхностного слоя, изготовление отдельных деталей и узлов в корпусе ИС )

2. обрабатывающие процессы (объединение всех процессов необходимых для формирования структур в групповых пластинах и их контроля на функционирование – процессы окисления, диффузии примеси, эпитаксия, ионная имплантация , литография и химическая обработка)

3. сборочно-контрольная (разделение групповой пластины на отдельные кристаллы, монтаж кристаллов в корпусах, герметизация, контроль и классификация, механические и климатические испытания, окраска, маркировка и упаковка)