Входные характеристики полярного транзистора включенного в схему с общим эмиттером.
При
входная характеристика биполярного
транзистора представляет собой прямую
ветвь вольтамперной характеристики
диода.
При
увеличивается объемный заряд коллекторном
p-n
переходе,
он расширяется за счет высокоомной
p-области
и это приводит к сужению базовой области
и уменьшению базового тока.
h-параметр биполярного транзистора.
h-параметры применяются при исследование схем с использованием биполярных транзисторов для расчета приращений или переменных составляющих сигнала.
точки 1 и 2
Входное сопротивление
точки 3 и 4
Коэффициент усиления
напряжения
точки 5 и 6
Коэффициент усиления потока
точки 7 и 8
Выходная проводимость
1. Режим отсечки транзистора
Эмиттерный и коллекторный p-n-переходы смещаются в обратном направлении.
2. Активный режим
Эмиттерный p-n-переход смещен в прямом направлении
Коллекторный p-n-переход в обратном
3. Режим насыщения
Эмиттерный и коллекторный p-n-переходы смещены в обратном направлении
При
увеличении
уменьшается напряжение на прямо смещенном
коллекторном переходе, при этом ток
«коллекторного перехода» уменьшается
а основной ток коллектора резко падает.
Биполярные транзисторы различают:
1. по типу использованного материала
2. по технологии изготовления
3.по частоте до 3 МГц – низкочастотные
до 30 МГц – среднечастотные
до 300 МГц – высокочастотные
> 300 МГц – сверх высокочастотные
4. по допустимой рассеиваемой мощности
до 0,5 Вт – маломощные транзисторы
до 1,0 Вт – среднего уровня мощности
> 1,5 Вт – мощные транзисторы
5. по напряжению
до 100 В Н.В транзисторы
до 1000 В Среднего уровня напряжения
> 1000 В В.В. транзисторы
В справочнике а биполярные транзисторы задают Ic,max, Uce,max, h, α, β, Rτ, Rc.
Полевой транзистор с изолированным затвором.
Полевой транзистор – полупроводниковый прибор с управляемым каналом для тока создаваемый носителями заряда одного знака.
Устройство и принцип действия транзистора с затвором в виде p-n-перехода.
Основу полевого транзистора с проводимостью, например n-типа, составляют пластины полупроводникового материала с двух сторон которого образованы p-области.
p-области соединены между собой и к ним подводится вывод который называется затвор. К самой пластине подводится два вывода: один называется исток, из этого вывода носители заряда втекают в канал, второй вывод называется сток, в этот вывод носители зарядов вытекают из канала.
Между D и S подают низковольтное управляющее напряжение, которое смещает p-n G S в обратном направлении.
Между D и S падают высокое рабочее напряжение, которое смещает p-n-переход G D в обратном направлении.
1.
При
увеличении
увеличивается объемный заряд в
p-n-переходе.
Он расширяется за счет высокоомной
n-области,
при этом сечение канала уменьшается, а
сопротивление увеличивается.
2.
рис. а
При
=0
и
объемный заряд сосредоточенный в
p-n-переходе
увеличивается от истоку к стоку, за счет
этого сечение канала уменьшается в
направлении то истока к стоку.
3.
При
и
можно эффективно изменять ток стока за
счет изменения
.
В первой
области выходных характеристик (рис.а)
сечение канала почти не изменяется,
линейно возрастает при возрастании
.
Во второй области выходных характеристик (рис.а) зоны объединенные носителями смыкаются в районе стока и поэтому при увеличении сечение канала уменьшается, а сопротивление канала возрастет и несмотря на увеличение то возрастает незначительно.
В третей области выходных характеристик происходит пробой p-n-перехода между стоком и затвором и резкое увеличение .
сток-затворная
характеристика
при =0 называют напряжение затвор.
Лекция№5
Тиристоры.
Тиристор - четырёхслойный полупроводниковый прибор с проводимостью p-n-p-n типа, обладающий двумя устойчивыми состояниями:
Состояние высокой проводимости
Состояние низкой проводимости