Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Осн технолог вироб 4.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.03.2025
Размер:
2.84 Mб
Скачать

2. Класифікація інтегральних мікросхем

Інтегральні мікросхеми поділяють на окремі класи за такими ознаками: технологією виготовлення, ступенем інтеграції, функціональним призначенням тощо.

І. За технологією виготовлення. Усі інтегральні мікросхеми поділяють на напівпровідникові, плівкові та гібридні.

  1. Напівпровідникові ІМС виготовляють у приповерхневому шарі монокристалів (кремнію, арсеніду галію) особливої чистоти. В окремих місцях монокристалу його структуру перебудовують так, що ці місця стають елементами складної системи, якою є ІМС. У напівпровідникових ІМС усі елементи та з'єднання виготовлені в об'ємі та на поверхні напівпровідникового монокристалу. Частина монокристалу розміром 1 мм2 перетворюється в складний електронний прилад, який замінює блок з 50—100 і більше звичайних радіотехнічних деталей.

  2. Плівкові ІМС виготовляють нанесенням різних речовин у вигляді плівок на поверхню підкладки, виготовленої із скла або кераміки.

Плівкові ІМС поділяють на тонкоплівкові (товщина плівкових елементів <1 мкм) та товстоплівкові (товщина >1 мкм).

Тонкоплівкові ІМС отримують осадженням плівок із різних речовин на нагріту до певної температури поліровану підкладку. Для отримання плівок найчастіше використовують алюміній, титан, титанат барію, оксид олова тощо.

У товстоплівкових ІМС елементи формують протискуванням спеціальних паст через трафарети із подальшим спіканням за високих температур. У таких структурах один із шарів містить резистори, другий — конденсатори, інші шари виконують роль провідників струму та інших елементів. Усі елементи з'єднані між собою й утворюють конкретний електронний пристрій.

3. Гібридні ІМС складаються із плівкових і напівпровідниковихелементів. Такі мікросхеми монтують на скляній або керамічнійпідкладці: пасивні елементи виготовляють у вигляді металевих і діелектричних плівок, активні "навішують" на плівкову схему. Такимчином отримують гібридні ІМС (ГІМС). Гібридні ІМС більшоїскладності називають великими, їх використовують в регуляторахелектричних двигунів.

На сьогодні найширше використовують напівпровідникові та гібридні ІМС. Складність інтегральної мікросхеми характеризується показником, який називають ступенем інтеграції.

II. За ступенем інтеграції інтегральні мікросхеми (ІМС) поділяють на малі (МІМС), середні (СІМС), великі (ВІМС) і надвеликі (НВІМС) (табл. 1).

Таблиця 1

Кількість елементів

Назва та позначення

Час створення

у мікросхемі

мікросхем

мікросхем

10-100

малі (МІМС)

початок 60-х років

102-103

середні (СІМС)

кінець 60-х — 70-ті роки

103-104

великі (ВІМС)

кінець 70-х років

104-105

над великі (НВІМС)

початок 80-х років

105—10б

надвеликі (мікропроцесори)

90-ті роки

III. За функціональним призначенням. Усі мікросхеми поділяються на аналогові та цифрові.

Аналогові мікросхеми служать для перетворення і оброблення сигналів, які змінюються за законом неперервної функції.

Цифрові інтегральні мікросхеми призначені для перетворення і оброблення сигналів, які змінюються за законом дискретної функції [1].