
- •1.Полупроводники
- •4. Варикапп.
- •4.Диод Шоттки (диод на горячих электронах)
- •2.Вольтамперная характеристика диода.
- •2.Схемы выпрямителей.
- •2. Диодные ограничители.
- •5. Пробои
- •3, Переходные процессы в диоде.
- •3,Частотные свойства диода.
- •46? Схема источника питания.
- •6. Светодиод.
- •8.Усилительный режим работы транзистора
- •9.Эквивалентная схема транзистора.
- •17.Топологические методы анализа цепей.
- •18. Усилитель с общим эмиттером
- •19.Работа схемы на низких, средних и
- •20.Эмиттерный повторитель.
- •21,Источник тока на транзисторе
- •24?Стабильность транзисторного каскада усилителя.
- •24Эквивалентная схема для расчёта
- •22,Режим класса a.
- •23,Режим класса b.
- •23,Режим класса ab.
- •25,Структурная схема усилителя.
- •25,Идеальный усилитель и его основные свойства.
- •26, Дифференциальный усилитель.
- •27,Обратные связи.
- •28,Инвертирующий усилитель
- •28,Неинвертирующий усилитель.
- •29?Повторитель напряжения.
- •30.Источник тока на операционном усилителе.
- •33.Интегрирующий и дифференцирующий
- •10, Полевые транзисторы.
- •10, Принцип действия и конструкция
- •12, Рабочие области характеристик полевых транзисторов
- •11, Методы смещения (задания рабочей точки)полевого транзистора.
- •14, Разновидности тиристоров.
2.Схемы выпрямителей.
Все выпрямители делятся на однополупериодные и двухполупериодные. Рассмотрим три типовые схемы однополупериодных (рисунок 6) и двухполупериодных (рисунки 7 и 8) выпрямителей.
Однополупериодные выпрямители:
Рисунок 6. Однополупериодный выпрямитель
В
результате работы такого выпрямителя
получается пульсирующее напряжение,
что видно из рисунка 6. Среднее значение
тока в этом случае равно:
Двухполупериодные выпрямители:
Рисунок 7. Двухполупериодный выпрямитель
Среднее
значение тока в этом случае равно:
Существует ещё одна схема двухполупериодного выпрямителя, называемая мостовой схемой:
Рисунок 8. Двухполупериодный выпрямитель (мостовая схема)
Отличие рассмотренных выше двухполупериодных выпрямителей состоит в неодинаковости времени молчания:
tмолч1< tмолч2
2. Диодные ограничители.
Существуют два типа диодных ограничителя – односторонние (рисунок 12) и двухсторонние (рисунок 13). Односторонние ограничивают напряжение только при положительной полуволне, а двухсторонние как при положительной, так и при отрицательной полуволнах.
Рисунок 12 Односторонний диодный ограничитель
Благодаря диодам выходное напряжение не может превысить 5,6В (в рассмотренном случае). Диод открывается тогда, когда Uвх > 5,6В в этом случае через резистор и диод потечёт ток. Uвых=5В + 0,6В=5,6В.
Рисунок 13. Двухсторонний диодный ограничитель
Работа двухстороннего диодного ограничителя аналогична работе одностороннего.
5. Пробои
Лавинный пробой. Это лавинообразное размножение носителей при приложении обратного напряжения. Он связан с увеличением напряжённости электрического поля. При этом в электрическом поле свободные носители приобретают большую энергию, достаточную для ударной ионизации вещества. Они вызывают появление новых носителей в валентной зоне, которые также размножаются. Возникает лавинообразный процесс возникновения носителей (ток). С увеличением температуры напряжение лавинного пробоя увеличивается. Температурный коэффициент напряжения пробоя (ТКUпроб) равен 0,1 %/град. Процесс пробоя начинается при разной концентрации носителей.
Туннельный пробой. С увеличением концентрации примеси в базе может возникнуть туннельный пробой. Сама ширина p-n перехода уменьшается и становится меньше длины свободного пробега носителей, что способствует возникновению туннельного эффекта. Это означает, что есть конечная вероятность туннелирования электронов из валентной зоны p области в зону проводимости n области, и при этом возникает туннельный ток. Напряжение туннельного пробоя приблизительно равно 5В. Туннельный пробой отличается от лавинного по знаку температурного коэффициента. С ростом температуры напряжение пробоя уменьшается.
Тепловой пробой. При достаточно большом обратном токе на диоде выделяется мощность P=UI и начинается перегрев p-n перехода, т.е. число носителей неограниченно возрастает, и диод выходит из строя. Тепловой пробой в кремниевых диодах возникает после лавинного или туннельного пробоев. В германиевых диодах он может возникнуть самостоятельно, т.к. обратный ток в германиевых диодах на порядок или два больше, чем в кремниевых.
Стабилитроны. Стабисторы. Параметрический
стабилизатор напряжения.
Стабилитрон – это диод в обратном включении.
Обозначение в схемах (рисунок 1):
Рисунок
1. Обозначение стабилитрона в схемах
Вольтамперная характеристика стабилитрона представлена на рисунке 2:
Рисунок 2. ВАХ стабилитрона
– сопротивление
стабилитрона.
ТКUст – температурный коэффициент стабилизации.
При выборе стабилитрона необходимо смотреть, чтобы сопротивление стабилитрона и температурный коэффициент стабилизации были как можно меньше. Чем меньше сопротивление стабилитрона, тем вертикальнее будет его характеристика.
Существуют прецизионные стабилитроны. Если взять стабилитрон и последовательно с ним включить диод (или несколько диодов) в прямом включении, то ТКUст0. Так получают прецизионные стабилитроны.
Стабистор – это диод в прямом включении.
Стабисторы используют при малых напряжениях стабилизации. При изготовлении стабисторов примесь берут так, чтобы прямое сопротивление было минимальным.
Схема параметрического стабилизатора напряжения представлена на рисунке 3:
Рисунок 3. Схема параметрического стабилизатора напряжения
Коэффициент стабилизации:
Иногда
в справочниках коэффициент стабилизации
даётся в процентах на вольт [
].Рассмотрим
ВАХ стабилитрона для определения
коэффициента стабилизации (рисунок 4):
Рисунок 4. ВАХ стабилитрона для определения коэффициента стабилизации
Отсюда можно найти коэффициент стабилизации.
Рабочую точку необходимо выбирать так, чтобы не выйти за пределы стабилизации.