4. Варикапп.

Обозначение в схемах (рисунок 1):

Рисунок 1. Обозначение варикаппа в схемах

У варикаппа может меняться ширина перехода. Это изменение приводит к изменению барьерной ёмкости прибора:

,где S – площадь пластин; l – ширина перехода (меняется).

Прибор работает при обратном напряжении. Функция изменения ёмкости от прикладываемого напряжения имеет вид (рисунок 2):

Рисунок 2. Функция изменения ёмкости варикаппа

от приложенного напряжения

Применение прибора – перестраиваемые резонансные контуры в радиоприёмниках, телеприёмниках и перестраиваемых по частоте генераторах.

4.Диод Шоттки (диод на горячих электронах)

В отличие о рассмотренных выше диодов диоды Шоттки образуются на основе контакта металл – полупроводник.

Обозначение в схемах (рисунок 1):

Рисунок 1. Обозначение диода Шоттки в схемах

При изготовлении таких диодов берётся полупроводник n типа (легированный), на него наносится плёнка высокоомного полупроводника n типа, а затем напыляется металл.

В этих диодах носителями являются электроны. Переход возникает на стыке металла и высокоомной плёнки. Работа выхода из полупроводника в металл меньше, чем из метала в полупроводник, в результате чего в приконтактной области формируется положительный заряд, т.е. переход. Этот заряд равен ∆φ=0,2В. Вольтамперная характеристика представлена на рисунке 2:

Рисунок 2. ВАХ диода Шоттки

Диоды Шоттки обладают повышенным быстродействием, т.к. не происходит накопления не основных носителей в базе, что поясняется на рисунке 3:

Рисунок 3. Переходной процесс в диоде Шоттки

Диоды Шоттки используются как быстродействующие диоды и в транзистор – транзисторной логике Шоттки (ТТЛШ).

Туннельный диод.

Обозначение туннельного диода в схемах представлено на рисунке 4:

Рисунок 4. Обозначение туннельного диода в схемах

При высокой (довольно высокой) концентрации носителей в базе переход обычного диода становится очень узким, и становится возможным туннельный эффект. Характеристика такого диода представлена на рисунке 5:

Рисунок 5. ВАХ туннельного диода

где:I_п – ток пика;I_в – ток впадины;U_п –напряжение пика;U_в –напряжение впадины;U_рр – напряжение раствора.

От 0 до 1 протекает туннельный эффект. При увеличении напряжения после точки 1 уровни расходятся. От 1 до 2 ток падает, т.к. меньшее число зон перекрываются. От 2 и дальше ток растёт как в обычном диоде.

У туннельного диода на участке 1–2 отрицательное сопротивление:

Если взять LC (колебательный) контур и включить в него туннельный диод, а потом подать такое напряжение, чтобы попасть на участок отрицательного сопротивления, то можно скомпенсировать потери и колебания не будут затухающими.

Туннельные диоды используются в усилителях, генераторах, переключательных схемах.

2.Вольтамперная характеристика диода.

Вольтамперная характеристика диода имеет вид (рисунок 3):

Рисунок 4. ВАХ диода

Одной из характеристик диода является динамическое сопротивление:

Во время работы диода может произойти три вида пробоя: лавинный, туннельный и тепловой. Первые два обратимы, а третий – нет. Рассмотрим каждый из них.