5.2.2 Вимкнення тиристорів

Виключення тиристора шляхом розриву анодного кола

Тиристор переходить до виключеного стану тільки після розсмоктування нерівноважних носіїв заряду в базах. Якщо перед закінченням процесу виключення знову до тиристора прикласти анодну напругу, прилад опиниться у ввімкненому стані. Тому, оскільки процес розсмоктування носіїв відбувається не миттєво, для виключення тиристора потрібен деякий час.

При виключенні тиристора шляхом розриву анодного кола розсмоктування відбувається тільки внаслідок рекомбінації, і тому час виключення тиристора великий і залежить від тривалості життя носіїв заряду.

Виключення за рахунок зміни полярності

анодної напруги

Очікуваний виграш часу при виключенні тиристора даним способом відбудеться лише при великих зворотних напругах (рис. 5.8).

Це зумовлено тим, що для прискорення процесу розсмоктування носіїв у базах треба забезпечити їх ефективну екстракцію через емітерні переходи. Для цього треба включити ЕП1 і ЕП2 у зворотному напрямі й значно підвищити їх потенційні бар’єри. Зробити це одразу, в момент подачі на анод зворотної напруги, неможливо, тому що поки носії у базах не розсмоктались, негативний заряд у n-базі та позитивний надлишковий заряд у p-базі підтримуватимуть емітерні переходи у відкритому стані. При помірних зворотних напругах практично відбувається підвищення потенційних бар’єрів ЕП1 та ЕП2. Крім того, перезаряд бар’єрної ємності КП також заважає швидкій зміні стану тиристора. Саме тому звичайно тиристор вими-кають шляхом подачі великої зворотної напруги на анод.

Рис. 5.8. – Залежність часу виключення тиристора від величини зворотної напруги.

Виключення за допомогою подачі напруги на керуючий електрод (за допомогою струму управління)

Д ля виключення тиристора необхідно відвести нерівноважні носії заряду з бази, з’єднаної з керуючим електродом. Анодний струм, що протікає через ще відкритий тиристор, постійно поповнює кількість нерівноважних носіїв заряду в базах. Тому значення струму управління (викликаного напругою на керуючому електроді зворотної полярності), яке необхідне для виключення тиристора, залежить від значення анодного струму через тиристор (рис. 5.9).

Рис. 5.9 – Залежність зворотного струму управління, необхідного для виключення тиристора, від прямого анодного струму

6. Оптоелектронні напівпровідникові прилади

6.1 Загальні відомості

Електронні пристрої та системи, в яких використовують разом із традиційними електричними ефектами неелектричні, лежать в основі нового напряму в електроніці – оптоелектроніки.

Оптоелектроніка – це область електроніки, в якій вивчаються як оптичні, так і електронні явища в кристалах, а також розглядаються питання перетворення оптичних сигналів у електричні й навпаки.

Практичною задачею оптоелектроніки є створення оптоелектронних приладів, до яких належать різноманітні джерела світла, фотоприймачі, індикатори, лінії зв’язку, оптрони тощо. Всі ці прилади знаходять широке застосування в галузі промислової електроніки.

Розглянемо деякі приклади оптоелектронних напівпровідникових приладів.