- •Курс лекцій
- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •Передмова
- •1. Елементи фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Електронна провідність напівпровідників
- •Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя
- •1.1.5 Види струмів у напівпровідниках
- •1.2 Електонно - дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика
- •1.2.5 Параметри p-n-переходу
- •Реальна вах р-n-переходу
- •1.3 Різновиди електричних переходів та контактів
- •1.3.1 Гетеропереходи
- •1.3.2 Та переходи
- •1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками
- •1.3.5 Омічні контакти
- •2. Напівпровідникові діоди
- •2.1 Класифікація та система позначень діодів
- •2.2 Випрямні діоди
- •2.3 Напівпровідникові стабілітрони
- •2.4 Універсальні діоди
- •2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •2.6. Тунельні та обернені діоди
- •2.7 Варикапи
- •2.8 Діоди Шотткі
- •3. Біполярні транзистори
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори
- •3.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи транзистора на h21б.
- •3.1.5. Схема включення транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •3.1.6 Модель Еберса-Молла
- •3.2. Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •3.2.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
- •3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
- •3.2.5 Граничні режими транзистора
- •3.2.6 Диференційні параметри біполярного транзистора
- •3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному режимі
- •3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •3.3.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •3.3.4 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •3.3.5 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •3.4 Деякі різновиди біполярних транзисторів
- •3.4.1 Одноперехідний транзистор
- •3.4.2 Високочастотні малопотужні транзистори
- •3.4.3 Потужні транзистори
- •3.5 Біполярні транзистори з ізольованим затвором (бтіз)
- •4. Польові транзистори
- •4.1. Польові транзистори з керуючим p-n-переходом
- •4.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •4.2.1 Ефект поля
- •4.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури.
- •4.4 Динамічний режим роботи польових транзисторів
- •4.4.1 Каскад на польовому транзисторі: розрахунок у статиці і динаміці
- •4.4.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •4.5 Потужні польові транзистори
- •4.6 Польові прилади з зарядовим зв’язком
- •5. Тиристори
- •5.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •5.1.1 Загальні відомості
- •5.1.2 Диністорний режим
- •5.1.3 Триністорний режим
- •5.1.4 Симістори
- •5.2 Способи комутації тиристорів
- •5.2.1 Включення тиристорів
- •5.2.2 Вимкнення тиристорів
- •6. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •6.1 Загальні відомості
- •6.2 Випромінювальні діоди
- •6.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •6.3.1 Фоторезистори
- •6.3.2 Фотодіоди
- •6.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •6.4 Оптрони та їх застосування
- •7. Основи мікроелектроніки
- •7.1 Основні поняття і визначення
- •7.2 Гібридні інтегральні схеми
- •7.3 Напівпровідникові інтегральні схеми
- •7.3.1 Технологія
- •7.3.2 Технологія виготовлення інтегральних мдн структур.
- •7.3.3 Біполярні транзистори.
- •7.3.4 Мон (мдн) транзистори.
- •7.3.6 Резистори.
- •7.3.7 Конденсатори.
- •7.4 Інтегральні схеми з інжекційним живленням.
- •7.5 Схемотехнічні особливості мікроелектроніки – вступ у мікросхемотехніку.
- •Позначення основних величин
- •Список скорочень
- •Список літератури
- •Передмова 3
- •1. Елементи фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів 5
- •2. Напівпровідникові діоди 44
- •3. Біполярні транзистори 71
- •4. Польові транзистори 172
- •5. Тиристори 211
- •6. Оптоелектронні напівпровідникові прилади 225
- •7. Основи мікроелектроніки 241
- •Позначення основних величин 269
- •Список скорочень 274
- •Список літератури 275
3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
Вхідні
характеристики БТ в ССК
показано на рисунку 3.27.
Рис. 3.27 – Статичні вхідні характеристики БТ
зі спільним колектором
При
ЕП включено у зворотному напрямі, і
через базу протікає лише зворотний
струм колектора
.
При
ЕП відкривається, струм бази змінює
свій напрям і збільшується при зменшенні
напруги
.
Це відбувається тому, що при зменшенні
зростає напруга
,
оскільки вихідна напруга
підтримується постійно. Але це приводить
до зростання струму емітера
і зв’язаного з ним струму бази
.
Вихідні
характеристики транзистора зі спільним
колектором
при
майже
нічим не відрізняються від вихідних
характеристик схеми зі спільним
емітером, тому що
,
а
.
3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
Температурна залежність вихідних або вхідних характеристик зумовлена зміною відповідно колекторного або емітерного струму при зміні температури.
Схема зі спільною базою
У ССБ, згідно з рівнянням (3.10), зміна колекторного струму при постійному струмі емітера
Відносна зміна
струму колектора
=
.
(3.39)
Коефіцієнт передачі струму емітера від температури майже не залежить, тому температурна зміна не впливає на дрейф характеристик. Другий доданок у формулі (3.39) визначає температурний дрейф характеристик, викликаний температурною зміною зворотного струму колектора :
,
(3.40)
де
- зворотний струм при температурі
;
- зворотний струм при температурі
;
для германію;
для кремнію.
У практичних
розрахунках вважається, що величина
подвоюється при зростанні температури
на 10
С
для германієвих БТ і на 8
С
для кремнієвих БТ. Але вплив другого
доданка формули (3.39) на
температурний дрейф вихідних характеристик
є незначним, оскільки для більшості
транзисторів
.
Саме тому температурні зміни вихідних характеристик БТ зі спільною базою невеликі (рис. 3.28).
Рис. 3.28 – Температурний дрейф вихідних характеристик БТ зі спільною базою
Значно більшої температурної зміни зазнають вхідні характеристики.
Відомо, що
,
де
-
зворотний струм емітера, залежність
якого від температури така сама, як і
струму
.
Унаслідок цього залежність емітерного струму від температури набуває вигляду
.
(3.41)
Тому збільшення температури супроводжується зростанням струму емітера і зміщенням вхідних характеристик у бік більших струмів (рис. 3.29). Звичайно вважають, що при зміні температури на один градус характеристики зміщуються вліво на 1-2 мВ.
Рис. 3.29 – Температурний дрейф вхідних характеристик БТ зі спільною базою
Схема зі спільним емітером
Для оцінки температурної зміни вихідних характеристик БТ в ССЕ визначимо повний диференціал від рівняння (3.20):
(3.42)
,
оскільки в вихідних характеристиках
=
const.
Оскільки
,
то
.
Отже,
Оскільки
і
,
то врешті отримуємо
(3.43)
З цього виразу видно, що температурний дрейф вихідних характеристик БТ зі спільним емітером в разів більший, ніж у ССБ. Це суттєвий недолік схеми зі спільним емітером (рис. 3.30).
Рис. 3.30 – Вплив температури на вихідні характеристики БТ зі спільним емітером
Вхідні
характеристики БТ у ССЕ також зазнають
змін при зміні температури (рис.
3.31). Збільшення температури
викликає зростання струмів
та
,
які спрямовані у колі бази назустріч
один одному. Тому вхідні характеристики,
зняті при різних температурах,
перетинаються при малих струмах бази
(т.
на рисунку 3.31).
Рис. 3.31 – Вплив температури на вхідні характеристики БТ зі спільним емітером
