
- •Курс лекцій
- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •Передмова
- •1. Елементи фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Електронна провідність напівпровідників
- •Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя
- •1.1.5 Види струмів у напівпровідниках
- •1.2 Електонно - дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика
- •1.2.5 Параметри p-n-переходу
- •Реальна вах р-n-переходу
- •1.3 Різновиди електричних переходів та контактів
- •1.3.1 Гетеропереходи
- •1.3.2 Та переходи
- •1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками
- •1.3.5 Омічні контакти
- •2. Напівпровідникові діоди
- •2.1 Класифікація та система позначень діодів
- •2.2 Випрямні діоди
- •2.3 Напівпровідникові стабілітрони
- •2.4 Універсальні діоди
- •2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •2.6. Тунельні та обернені діоди
- •2.7 Варикапи
- •2.8 Діоди Шотткі
- •3. Біполярні транзистори
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори
- •3.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи транзистора на h21б.
- •3.1.5. Схема включення транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •3.1.6 Модель Еберса-Молла
- •3.2. Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •3.2.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
- •3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
- •3.2.5 Граничні режими транзистора
- •3.2.6 Диференційні параметри біполярного транзистора
- •3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному режимі
- •3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •3.3.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •3.3.4 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •3.3.5 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •3.4 Деякі різновиди біполярних транзисторів
- •3.4.1 Одноперехідний транзистор
- •3.4.2 Високочастотні малопотужні транзистори
- •3.4.3 Потужні транзистори
- •3.5 Біполярні транзистори з ізольованим затвором (бтіз)
- •4. Польові транзистори
- •4.1. Польові транзистори з керуючим p-n-переходом
- •4.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •4.2.1 Ефект поля
- •4.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури.
- •4.4 Динамічний режим роботи польових транзисторів
- •4.4.1 Каскад на польовому транзисторі: розрахунок у статиці і динаміці
- •4.4.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •4.5 Потужні польові транзистори
- •4.6 Польові прилади з зарядовим зв’язком
- •5. Тиристори
- •5.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •5.1.1 Загальні відомості
- •5.1.2 Диністорний режим
- •5.1.3 Триністорний режим
- •5.1.4 Симістори
- •5.2 Способи комутації тиристорів
- •5.2.1 Включення тиристорів
- •5.2.2 Вимкнення тиристорів
- •6. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •6.1 Загальні відомості
- •6.2 Випромінювальні діоди
- •6.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •6.3.1 Фоторезистори
- •6.3.2 Фотодіоди
- •6.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •6.4 Оптрони та їх застосування
- •7. Основи мікроелектроніки
- •7.1 Основні поняття і визначення
- •7.2 Гібридні інтегральні схеми
- •7.3 Напівпровідникові інтегральні схеми
- •7.3.1 Технологія
- •7.3.2 Технологія виготовлення інтегральних мдн структур.
- •7.3.3 Біполярні транзистори.
- •7.3.4 Мон (мдн) транзистори.
- •7.3.6 Резистори.
- •7.3.7 Конденсатори.
- •7.4 Інтегральні схеми з інжекційним живленням.
- •7.5 Схемотехнічні особливості мікроелектроніки – вступ у мікросхемотехніку.
- •Позначення основних величин
- •Список скорочень
- •Список літератури
- •Передмова 3
- •1. Елементи фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів 5
- •2. Напівпровідникові діоди 44
- •3. Біполярні транзистори 71
- •4. Польові транзистори 172
- •5. Тиристори 211
- •6. Оптоелектронні напівпровідникові прилади 225
- •7. Основи мікроелектроніки 241
- •Позначення основних величин 269
- •Список скорочень 274
- •Список літератури 275
3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
Теоретично
статичні характеристики БТ в ССБ можуть
бути одержані за допомогою рівнянь
Еберса – Молла. Але в цих рівняннях не
враховуються опір бази і модуляція її
товщини залежно від зміни напруги
.
Тому на практиці застосовують
експериментально зняті статичні
характеристики. Схему для зняття
характеристик БТ зі спільною базою
зображено на рисунку 3.12.
Слід зауважити,
що при одержанні характеристик для
транзистора
потрібно змінити полярність напруги
і
.
Рис. 3.12 – Схема лабораторного зняття статичних характеристик БТ зі спільною базою
Вхідні характеристики
Це залежності
.
Графіки сім’ї характеристик показано
на рисунку 3.13.
Рис. 3.13 – Статичні вхідні характеристики БТ
зі спільною базою
При =0 (колектор замкнуто з базою) вхідна характеристика відтворює пряму гілку ВАХ ЕП
=
.
(7.2)
При негативній напрузі на колекторі характеристика зміщується вгору, в бік більших струмів емітера. Причина цього зміщення:
при збільшенні негативної зменшується активна ширина бази , зростає градієнт концентрації дірок у базі (рис. 3.14), і тому при незмінній напрузі збільшується ;
Рис. 3.14 – Модуляція товщини бази БТ та її вплив на розподіл концентрації неосновних носіїв
при збільшенні запірної напруги на КП зростає зворотний струм колектора , який, протікаючи через розподілений опір бази
, створює на ньому падіння напруги зворотного зв’язку
(рис. 3.15). Ця напруга, узгоджена з напругою за напрямом, сприяє більшому відкриванню ЕП і зростанню внаслідок цього струму . Під впливом перерахованих причин у емітерному колі БТ при =0 і негативній напрузі на колекторі протікає невеликий струм емітера. Для того щоб його усунути, треба до емітера прикласти невелику негативну напругу.
Вихідні характеристики БТ у ССБ – це графіки залежності
,
зображені на рисунку 3.16.
Рис. 3.15 – Утворення напруги зворотного зв’язку на розподіленому опорі бази
Вихідні характеристики
Ураховуючи вплив напруги на зворотний струм колектора, рівняння для струму колектора (3.10) можна записати у вигляді
.
(3.35)
Одержана формула описує вихідні характеристики при різних струмах емітера.
Межею між режимом відсічки ( <0) і активним режимом ( >0) є характеристика при =0, яка є зворотною віткою ВАХ КП. При збільшенні негативної напруги струм колектора швидко досягає значення . Подальше зростання зумовлюється зростанням струмів генерації та витоку КП. При деяких високих напругах (для транзистора МП14 при =0 ці напруги перевищують 15В) у КП виникає пробій, що супроводжується значним зростанням колекторного струму.
Рис. 7.6 – Статичні вихідні характеристики БТ
зі спільною базою
При
>0
вихідні характеристики зменшуються
в бік більших колекторних струмів на
величину
згідно з формулою (3.35). У загальному
випадку це зміщення має нееквідистантний
характер, тобто рівним приростам
вхідного струму
відповідають нерівні прирости вихідного
струму
.
Це явище викликане залежністю
,
зображеною на рисунку 3.6, яка свідчить,
що статичний коефіцієнт передачі струму
не є постійною величиною для різних
струмів емітера. Для більших колекторних
та емітерних струмів пробій КП
відбувається при менших напругах і
може перетворитися в тепловий. З метою
унеможливлення пробою режим роботи
приладу треба вибирати нижче кривої
максимально допустимої потужності
,
що розсіюються колектором (пунктирна
гіпербола на рисунку 3.16).
При >0 та >0 переходи транзистора включаються у прямому напрямі, і прилад переходить до режиму насичення. В цьому режимі різко зменшується , тому що зростає інжекційна складова колекторного струму, яка компенсує керовану, екстракційну складову.
Характеристики прямої передачі
Це залежності
(рис.
3.17).
Рис. 3.17 – Сім’я характеристик прямої передачі БТ зі спільною базою
Вони грунтуються
на рівняннях (3.10) або
(3.35). З рівняння (3.35) видно, що при
=0
характеристика починається з точки,
яка є початком координат (
=0,
=0),
а нахил цієї характеристики визначається
залежністю
від
.
При
<
0 характеристика починається з точки
=
,
а зміна її нахилу зумовлюється залежністю
(рис.
3.7). Характеристику прямої передачі
можна одержати з сім’ї вихідних
характеристик, фіксуючи
.
Характеристики зворотного зв’язку
Сім’я характеристик зворотного зв’язку
показана на рисунку 3.18. При збільшенні зменшується активна
Рис. 3.18 – Сім’я характеристик зворотного зв’язку БТ зі спільною базою
ширина бази транзистора
,
і за рахунок зростання градієнта
концентрації дірок у базі (див. рис.
3.14) зростає струм
.
Для підтримання його постійного
значення, як того вимагають умови зняття
характеристик, потрібно зростання
компенсувати зменшенням напруги
.
Ця обставина зумовлює від’ємний нахил
характеристик. У базі транзистора
зменшення
приводить при збільшенні
до відновлення попереднього градієнта
концентрації дірок, тобто нахилу графіка
(рис.
3.19).
Рис. 3.19 – Розподіл концентрації дірок у базі при знятті характеристик зворотного зв’язку БТ
зі спільною базою