
- •Кристаллография
- •1.Какие отрезки отсекает на осях координат плоскость (hkl).
- •2. Определить индексы направления, параллельного плоскостям (h1k1l1) и (h2k2l2).
- •3. Какие семейства плоскостей принадлежат одной совокупности? Определить число плоскостей в совокупности {hkl} кубического кристалла.
- •4. Показать направление [uvw]. Координатные оси взять для указанной сингонии.
- •5. На схеме приведена нулевая плоская сетка обратной решетки кубического кристалла. Каковы индексы оси зоны, соответствующей этой сетке. Определить индексы отмеченных узлов ор.
- •6. Назовите основные свойства радиус-вектора обратной решетки.
- •7. Описать действие указанного элемента симметрии.
- •8. Определить кристаллическую систему и категорию указанного класса.
- •9. Как должны быть направлены координатные оси в кристаллах указанного класса.
- •10. По заданному базису построить элементарную ячейку указанной сингонии. Определить систему трансляций, записать стехиометрическую формулу соединения.
- •11. Чем отличаются указанные элементы симметрии?
- •13. Что такое указанная система трансляций?
- •23. Как соотносятся между собой длины волн .
- •24. Как соотносятся между собой интенсивности волн
- •25. Какие процессы приводят к формированию сплошного изучения рентгеновской трубки?
- •26. Какие процессы приводят к формированию характеристического изучения рентгеновской трубки?
- •Факторы интенсивности
- •32. Записать выражение для расчета интегральной интенсивности рентгеновской линии поликристалла и назвать множители интенсивности.
- •Характеристики рентгеновских отражений
- •Методы рентгеноструктурного анализа
- •54. Для чего нужен эталон при проведении количественного фазового анализа? Какая информация необходимо получить исследователю от эталона? Как она дальше будет спользоваться?
- •55. Объяснить, чем вызвано влияение симметрии решетки на чувствительность качественного фазового анализа.
- •56. Объяснить, чем вызвано влияение фактора повторяемости на чувствительность качественного фазового анализа.
- •57. Объяснить, чем вызвано влиение атомного номера на чувствительность качественного фазового анализа.
- •Исследование микронапряжений и блоков
- •75. В чем отличие дефектов 1-го и 2-го класса по классификации Криоглаза на вид дебаеграммы.
- •76. Для чего используется эталон в задачах, связанных с анализом уширения рентгеновских линий.
- •77 Каковы требования к эталону в задачах, связанных с анализом уширения рентгеновских линий.
- •78. Какие типы твердых растворов вы знаете? На чем основано определение типа твердого раствора?
- •79. Какая информация необходима для определения типа твердого раствора? Как вы ее может получить?
- •84. Какие эксперименты необходимо провести для построения границы растворимости и как обработать экспериментальные данные?
- •85. В каких случаях целесообразно применение метода исчезающей фазы при построении границы растворимости?
- •86. Сколько образцов необходимо иметь для построения трех точек границы растворимости?
- •87. Какие методы точного определения периода решетки вы знаете? На чем они основаны?
- •Электронография
- •121.Сравнить предельное разрешение во вторичных электронах, отраженных электронах и характеристическом рентгеновском излучении.
Исследование микронапряжений и блоков
70.Как узнать, каковы причины уширения линий на рентгенограмме.
Мерой уширения является величина β (общее уширение), которая может меняться по закону косинусов, либо по закону тангенсов. В том случае, когда эта величина меняется по закону косинусов, то причиной уширения является дисперсность кристалла. Если же, эта величина меняется по закону тангенсов, то причиной уширения является наличие дислокаций.
71. Обнаружено, что в процессе термообработки ширина линии увеличилась в 2 раза. Как изменилась плотность дислокаций в материале, если считать, что уширение связано с изменением плотности дислокаций?
в 4 раза увеличилась
72. Обнаружено, что в процессе термообработки ширина линии увеличилась в 2 раза. Как изменились размеры блоков в материале, если считать, что уширение связано с изменением блочности?
в 2 раза уменьшилась
73. Физическое уширение линии {400} Ni (a=3.52A), на излучении Сu K=1.54A) снятого составляет 0,5 градуса. Оцените физическое уширение линии {200}, считая что оно связано с блоками.
β{400} > β{200}
74. Физическое уширение линии {200} Ni (a=3.52A), на излучении Сu K=1.54A) снятого составляет 0,1 градуса. Оцените физическое уширение линии {400}, считая что оно связано с хаотически распределенными дислокациями.
75. В чем отличие дефектов 1-го и 2-го класса по классификации Криоглаза на вид дебаеграммы.
1 класса не вызывают изменения δ-образного распределения I дифракционных максимумов(т.е. уширение линий), но приводят к смещению линий одновременного изменения их Iint , следовательно появление дифракционного рассеяния.
2 класса приводят к исчезновению δ-образных( бреговских) составляющих на дифракционных картинах. Распределение I рассеяния становится плавным и в пределах ∞ кр. не может быть разбито на линии и фон.
76. Для чего используется эталон в задачах, связанных с анализом уширения рентгеновских линий.
Эталон нужен: чтобы определить геометрическое уширение, нужно снять дифрактограмму от эталона, в котором отсутствуют источники физического уширения. Исследуемую ширину сравнивают с эталонной.
Такой эталон получают, отжигая образец при температуре несколько превышающей температуру рекристаллизации.
77 Каковы требования к эталону в задачах, связанных с анализом уширения рентгеновских линий.
Эталон – образец, у которого физическая величина намного меньше, чем геометрическая либо отсутствует( для данных условий эксперимента).
Исследование Типов твердого раствора и построение границы р-сти
78. Какие типы твердых растворов вы знаете? На чем основано определение типа твердого раствора?
1)внедрения (а)
2)замещения (б)
3)вычитания (в)
Определение типа твердого раствора основано на определении числа атомов (ионов) в элементарной ячейке его решетки. Если при образовании твердого раствора число частиц в ячейке остается неизменным, раствор построен по типу замещения. При образовании твердого раствора внедрения или вычитание среднее число частиц в ячейке соответственно растет или уменьшается.