5. Интегральные транзисторы типа p-n-p. Основные параметры и особенности структуры.

Такой тип биполярного транзистора главным образом используется как нагрузочные приборы для n-p-n переключательных транзисторов.

Основным недостатком горизонтального p-n-p транзистора является сравнительно большая ширина базы и однородность распределения примеси в ней.

6 . Многоэмиттерные транзисторы имс. Принцип действия.

Многоэмиттерные n-p-n транзисторы (МЭТ) отличаются от рассмотренных выше одноэмиттерных прежде всего тем, что в их базовой области создают несколько (обычно 4...8) эмиттерных областей. Основная область применения МЭТ – цифровые микросхемы транзисторно-транзисторной логики. Главная особенность использования МЭТ в схемах ТТЛ состоит в том, что в любом состоянии схемы коллекторный переход МЭТ, включенного на ее входе, смещен в прямом направлении. Следовательно, отдельные транзисторы находятся в инверсном режиме, либо в режиме насыщения в зависимости от напряжения на соответствующем эмиттере. При использовании МЭТ в схемах ТТЛ требуется снижать инверсный коэффициент передачи, так как в этом режиме транзистор не должен проводить ток, а фактически находиться в режиме отсечки.Четыре эмиттера n+-типа расположены внутри общего базового слоя р-типа, ограниченного с боковых сторон коллекторным n-р переходом.

7.Имс повышенной степени интеграции. Многоколлекторные транзисторы.

Структура многоколлекторного транзистора (МКТ) является основной структурной единицей ИМС с инжекционной логикой, получивших название «сверхинтегрированных», поскольку в них структуры p-n-p и n-p-n транзисторов совмещены друг с другом. Коллектор одного транзистора

о дновременно выполняет функцию базы другого транзистора. При подаче напряжения смещения на инжектор (И) дырки, инжектируемые горизонтальным p-n-p транзистором в базу МКТ, приводят его в состояние насыщения, если этот базовый ток не отводится через электрод (Б). Таким образом, данный элемент имеет два устойчивых состояния: когда МКТ транзистор находится в режиме отсечки или в режиме насыщения – в зависимости от того, есть или нет тока через электрод (Б).

8 .Использование выпрямляющего контакта металл-полупроводник для увеличения быстродействия биполярных транзисторов. Транзисторы с диодом Шоттки.

Конструкция транзистора с диодом Шотки представлена на рис. 19.11, а. Диод Шотки шунтирует коллекторный переход транзистора. В отличие от обычного транзистора здесь базовое контактное отверстие расширено в сторону коллекторной области n-типа. Известно, что скорость переключения транзисторов ИМС, работающих в ключевом режиме, ограничена временем рассасывания избыточного объемного заряда, накапливающегося в областях базы и коллектора Для уменьшения этого времени в интегральных транзисторах используют транзисторы с диодом Шотки. Сравнение временных диаграмм, отражающих работу транзисторов в ключевом режиме показывает, что время рассасывания ключа на транзисторе с ДШ практически равно нулю. Таким образом, основная область применения транзисторов с ДШ – это цифровые микросхемы с повышенным быстродействием.