§ 9.2 Параметры, схемы включения и вах биполярного транзистора

При работе с транзисторными схемами используют два семейства вольт-амперных характеристик — входные и выходные.

При включении транзистора по схеме с общей базой ОБ входной сигнал подается на эмиттер, а выходной снимается с коллектора относительно базы. Входная характеристика транзистора в схеме с ОБ представляет собой зависимость тока эмиттера от напряжения между эмиттером и базой при постоянном напряжении на коллекторе:

I_Э = f(U_ЭБ) при U_КБ = const.

Выходная характеристика транзистора в схеме с ОБ представляет собой зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и базой при постоянном токе эмиттера:

I_К = f(U_КБ) при Iэ = const.

Рисунок 9.3 – Семейства входных (а) и выходных (б) характеристик транзистора в схеме с ОБ

С емейства входных и выходных характеристик транзистора в схеме с ОБ показаны на рисунке 9.3.

66

Большое распространение получили схемы включения транзисторов с общим эмиттером ОЭ и с общим коллектором ОК (рисунок 9.4, а, б). Семейства входных и выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ показаны на рисунке 9.5.

Рисунок 9.4 – Схемы включения транзистора с ОЭ (а) и ОК (б)

Рисунок 9.5 – Семейства входных (а) и выходных (б) характеристик транзистора в схеме с ОЭ

Примерные значения основных параметров транзисторов — входного Rвх и выходного Rвых сопротивлений, коэффициентов усиления напряжения К_U, тока K_I и мощности К_Р при включении по схемам с ОБ, ОЭ и ОК — приведены в таблице 9.1.

Наилучшими параметрами, как видно из таблицы 9.1, обладает транзистор в схеме с ОЭ, так как близкие значения входного и выходного сопротивлений облегчают согласование усилительных каскадов по мощности, а наибольшие усиления по напряжению и мощности позволяют уменьшать число каскадов усилителя. Схема с ОБ хотя и хуже схемы с ОЭ по этим показателям, однако широко применяется на повышенных частотах, при которых схема с ОЭ не работает. Схема с ОК обладает существенным достоинством — большим входным и малым выходным сопротивлением, что позволяет использовать ее для согласования высокоомного выхода одного каскада с низкоомным входом другого или с нагрузкой.

67

Таблица 9.1 – Основные параметры транзисторов при трех схемах включения

§ 9.3 Типы и маркировка транзисторов

Типы: дрейфовые и бездрейфовые (см. § 9.1), высокочастотные Символьное обозначение транзисторов:

D B1 X1 X₂ X₃ B₂

D - материал (цифра, буква) B1 - подкласс тиристоров B1 е {Т, П}

Т - биполярные

П- полевые X1 - цифра, определяющая основные функциональные возможности.

Обозначение	Мощность Pдоп	f гр, Мгц
		< 3 | < 30 | >30 | 30^300 | >300
Шестизначные	< 0,3 Вт 0,3 ■*■ 1,5Вт > 1,5 Вт	1 4 7	2 5 8	3 6 9
Семизначные	<1 Вт > 1 Вт		1 7		2 8	4 9

X₂ X₃ {X₄} - порядковый номер разработки технологического типа транзистора.

В₂ - определяет классификация по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

Запрещены буквы: З,О,Ч,Ы,Щ,Ь,Ъ,Э.

69

Тема 10 Многослойные полупроводниковые структуры и приборы на их основе