Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
2модуль КС.docx
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.03.2025
Размер:
214.39 Кб
Скачать
  1. Структура зу типа 2d-m

Запоминающие устройства типа 2D-M. Запоминающие эле­менты таких ЗУ имеют два входа и один выход (рис. 4.8, а). При наличии хотя бы одного пустого сигнала ~ на входах ЗЭ при записи находится в режиме хранения (как в ЗУ 3D). Сигнал чтения Чт опрашивает состояние ЗЭ (так же как и в ЗУ типа 2D). Сигналы записи Зап и Зап О устанавливают ЗЭ в состояние О, а Зап и Зап1 — в состояние 1 (так же, как и в ЗУ типов 2D и 2,5D). Обычно у запоминающих элементов ЗУ типа 2D-M выход объединяется со входом записи, как это показано для ЗЭ на рис. 4,8, б. Структура одноразрядного ЗУ типа 2D-M представ­лена на рис. 4.8, в. Как и в ЗУ типа 2,5 D, код адреса г'-й ячейки разделяется на две части: i' и i", одна из которых поступает на АдрФ, а другая — на разрядно-адресный коммутатор РАдрК. Если на АдрФ и РАдрК не приходит сигнал обращения к памяти Обр, то на их выходных линиях не возникают действующие на ЗЭ сигналы и все ЗЭ находятся в режиме хранения. При на­личии сигнала Обр выполняется считывание или запись в за­висимости от значения сигнала Чт/Зап. При считывании АдрФ выдает по линии /' сигнал выборки для считывания, по которому со всех ЗЭ линии i' сигналы их состояний поступают на РАдрК. Коммутатор РАдрК мультиплексирует эти сигналы и передает на выход ИнфВых сигнал с линии i". При записи АдрФ выдает по линии i' сигнал выборки для записи. Коммутатор РАдрФК в зависимости от значения ИнфВх выдает сигнал записи 0 или 1 на линию i" и сигналы, не воздействующие на ЗЭ, в остальные линии. В результате запись производится только в ЗЭ, лежащий на пересечении координатных линий i' и i"', причем i'/i" = L Построив схему, аналогичную схеме на рис. 4.7, б, получим ЗУ для п-разрядных ячеек. Наиболее экономична такая схема при r= (k— r) log2 п. Структура типа 2D-Mнаиболее удобна для построения полу­проводниковых ЗУ и широко используется в настоящее время как в оперативных, так и в постоянных ЗУ.

  1. Структура зу типа 3d

Запоминающие устройства типа 3D. Некоторые ЗЭ имеют не один, а два конъюнктивных входа выборки. В этом случае адрес­ная выборка осуществляется только при одновременном появле­нии двух сигналов. Использование таких ЗЭ позволяет строить ЗУ с трехкоординатным выделением ЗЭ. Запоминающий массив ЗУ типа 3D выполнен в виде про­странственной матрицы, составленной из п плоских матриц, представляющих собой ЗМ для отдельных разрядов ячеек памя­ти. Запоминающие элементы для разряда сгруппированы в квад­ратную матрицу из \2к рядов по ~\j2kЗЭ в каждом. Структура матрицы /-го разряда в ЗУ типа 3D представлена на рис. 4.6. Для адресной выборки ЗЭ задаются две его коорди­наты в 3Mj. Код адреса i-й ячейки памяти разделяется на стар­шую и младшую части (i' и I"), каждая из которых поступает на свой адресный формирователь. Адресный формирователь АдрФ1 выдает сигнал выборки на линию ?, а АдрФ2 — на линию i". В результате в 3Mjоказывается выбранным ЗЭ, находящий­ся на пересечении этих линий (двух координат), т. е. адресуемый кодом i=i'/i". Адресные формирователи управляются сигнала­ми Чт и Зап. и в зависимости от них выдают сигналы выборки для считывания или записи. При считывании сигнал о состоянии выбранного ЗЭ поступает по /'-й линии считывания к УсСч (третья координата ЗЭ). При записи в выбранный ЗЭ будут занесены 0 и 1 в зависимости от сигнала записи в /-и разряд, поступающего по /-й линии от УсЗап (третья координата ЗЭ при записи). Для полупроводниковых ЗУ, как отмечалось выше, характерно объединение в одну линию разрядных линий записи и считывания. Для построения «-разрядной памяти используется п матриц рассмотренного вида. Адресные формирователи при этом могут быть общими для всех разрядных ЗМ. Запоминающие устройства типа 3D более экономичны, чем ЗУ типа 2D. Действительно, сложность адресного формировате­ля с mвходами пропорциональна 2т. Поэтому сложность двух адресных формирователей ЗУ типа 3D, пропорциональная 2'2*/2, значительно меньше сложности адресного формирователя ЗУ типа 2D, пропорциональной 2*. В связи с этим структура типа 3D позволяет строить ЗУ большего объема, чем структура 2D. Однако ЗЭ с тремя входами, используемыми при записи, не всегда удается реализовать.