Лекція. Загальна класифікація запам‘ятовуючих пристроїв та їх характеристикa. Організація запам‘ятовуючих пристроїв.Статична оперативна память.
Пам'ять може бути внутрішньої і зовнішньої. Зовнішньої називають пам'ять на магнітних, оптичних дисках, стрічках і т.п. Внутрішня пам'ять виконується, найчастіше, на мікросхемах. Внутрішня або основна пам'ять може бути двох типів: оперативний запам'ятовуючий пристрій (ОЗУ) або ЗУ з довільною вибіркою (ЗУПВ) і постійне ЗУ (ПЗУ). ОЗУ, крім того, позначається - (RAM, Random Access Memory), а ПЗУ - (ROM, Read Only Memory). Одержала також поширення Флэш(Flash) пам'ять, що має особливості й ОЗУ і ПЗУ й енергонезалежна пам'ять (Nonvolatile - NV). Остання назва умовна, тому що ПЗУ і Флэш пам'ять, також энергонезалежні. В ОЗУ коди відповідно до розв'язуваних задач постійно змінюються і цілком пропадають при вимиканні харчування. У ПЗУ зберігаються керуючі роботою ЕОМ стандартні програми, константи, таблиці символів і інша інформація, що зберігається і при вимиканні компъютера. ОЗУ підрозділяються на статичну пам'ять (SRAM), динамічну (DRAM), регістрову (RG). ПЗУ можуть бути: масочными - запрограмованими на заводі виготовлювачі (ROM), одноразово-програмувальними користувачем ППЗУ (PROM або OTP), багаторазово-програмованими (репрограмованими) користувачем РПЗУ з ультрафіолетовим стиранням (EPROM) або c електричним стиранням (EEPROM,Flash). Широке поширення знайшли також програмувальні логічні матриці і пристрої (PLM, PML, PLA, PAL, PLD, FPGA і т.д.) з великим вибором логічних елементів і пристроїв на одному кристалі.
У залежності від типу ЗУ елементом пам'яті (ЭП) може бути: триггер, мініатюрний конденсатор, транзистор з " затвором, щоплаває,", плавка перемичка (або її відсутність). Упорядкований набір ЭП утворить комірку пам'яті (ЯП). Кількість елементів пам'яті в осередку (довжина слова) звичайно кратно 2n (1,4,8,16, 32,64..), причому величини понад 8-ми досягаються, звичайно, угрупованням мікросхем з меншою кількістю ЭП. Кількість ЭП у ЯП іноді називається довжиною слова. Основними характеристиками микрсхем пам'яті є: інформаційна ємність, швидкодія й енергоспоживання. Ємність ЗУ найчастіше виражається в одиницях кратних числу 210 = 1024 = 1K. Для довжини слова рівної бітові (одному двоичному розрядові) або байтові (наборові з восьми біт) ця одиниця називається кілобит або кілобайт і позначається Kb або KB.
Кожної з двох у ступені "n" комірок пам'яті однозначно відповідає "n"- розрядне двйкове число, називане адресою КП. Наприклад, адресою 511-ої осередку буде число 1 1111 1111(BIN) = 511(DEC) = 1FF(HEX). У програмах адреси вживаються в 16-ном форматі. Ємність ЗУ часто виражається добутком двох чисел 2n * m, де 2n - число комірок пам'яті, а m - довжина слова осередку, наприклад 8K * 8 (м/с 537РУ17), тобто 8192 осередку розміром в один байт. У деяких довідниках для цієї ж мікросхеми приводиться позначення ємності одною цифрою 64Kбит, що ніяк не відбиває внутрішню організацію цієї мікросхеми, таку ж ємність можуть мати м/с з організацією 16K * 4, 64K * 1 і т.д.