Заключение.

Важная особенность фотодиодов – высокое быстродействие. Они могут работать на частотах до нескольких миллионов герц. Фотодиоды обычно изготовляют из германия или кремния.

Фотодиод является потенциально широкополосным приемником. Этим и обуславливается его повсеместное применение.

В будущем крайне важно повышение рабочей температуры фотодиодов. Оценивая сегодняшнюю оптоэлектронику в целом, можно сказать, что она скорее «криогенная», чем «комнатная».

Будущее оптоэлектроники находится в прямой зависимости от прогресса фотодиодных структур. Оптическая электроника бурно развивается, разрабатываются новые типы фотоприемников, и наверняка уже скоро появятся фотодиоды на основе новых материалов с большей чувствительностью, повышенным быстродействием и с улучшенными характеристиками в целом.

Список литературы

1. Тауц Я., Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках, пер. с чеш., М., 1962

2. ; Рывкин С. М., Фотоэлектрические явления в полупроводниках, М., 1963;

3. Пикус Г. Е., Основы теории полупроводниковых приборов, М., 1965;

4. Белиничер В. И., Стурман Б. И., Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии, "УФН", 1980, т. 130, с. 415;

5. Ивченко Е. Л., Пику с Г. Е., Фотогальванические эффекты в полупроводниках, в сб.: Проблемы современной физики. Сб. ст. к 100-летию со дня рождения А. Ф. Иоффе, Л., 1980;

6. Альперович В. Л. [и др.], Поверхностный фотогальванический эффект в твердых телах, "ЖЭТФ", 1981, т. 80, с. 2298;

7. Нормантас Э., Пикус Г. Е., Эффект увлечения при отражении света от поверхности, "ФТТ", 1985, т. 27, с. 3017;

8. Стурман Б. И., Фридкин В. М., Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления, М., 1992;

9. Ivchenko Е., Pikus G., Superlattices and other heterostructures. Symmetry and optical phenomena, B.- [a. o.], 1995.

25