90.Как решается задача точного определения периода решетки в методе экстраполяции?

Экстраполяционные методы.

Эти методы применимы главным образом к высокосимметричным веществам, относящимся к кубической, гексагональной или тетрагональной сингониям /4/. Для кубических кристаллов с параметром элементарной ячейки а можно записать:

 а/а₀= -ctg  _i =f(),

где _i- сумма инструментальных смещений дифракционной линии. Тогда величина параметра элементарной ячейки равна: а = а₀[1+f()]. При  90⁰, ctg0 и, следовательно, f() 0. Кроме того, f() можно представить в виде некоторой простой функции от угла . Например, для центров тяжести пиков под углами  60⁰ с достаточной точностью можно положить f()= cos². Тогда величина параметра а является линейной функцией сos². Таким образом, нужно точно измерить положение нескольких пиков под углами  60⁰ (последний из них должен иметь угол  = 78-82⁰), для каждого из них определить значение параметра элементарной ячейки а и отложить эти значения в зависимости от cos². Пересечение прямой, соединяющей экспериментальные значения параметра а с осью 90⁰, определит значение параметра а_экстр, свободное от всех систематических погрешностей, исключая погрешности из-за вертикальной расходимости.

11 Раздел

92. Точность определения периодов кристаллической решетки по электронограмме невелика по сравнению с точностью, достигаемой в рентгеноструктурном анализе. Преимуществом электронографии является то,что в связи с малостью длины волны и сильным взаимодействием элект-

ронов с веществом электронографическим анализом можно получить резкие и интенсивные рефлексы при меньших размерах кристалликов и при меньшем количестве вещества, чем это возможно в рентгенографии.

93.эталон для определения постоянной электроннографа

94,95. C=(лямбда)*L постоянная электронографа L – расстояние от образца до пластинки

Лямбда - длина волны электронного пучка, зависящая от ускоряющего напряжения

96.в электронографии уравнение вульфа брега имеет специальный вид (r=ƛL/d_HKL) изза малости длин волн и следовательно малости углов тета

97. Точечную электронограмму можно рассматривать как практически неискаженную проекцию плоскости обратной решетки на плоскость фотографической пластинки. Узлы обратной решетки могут быть размыты в одном направлении из-за того, что кристалл имеет небольшую толщину. Так как длина волны (X) электронов мала, сфера отражения имеет очень малую кривизну возле узла 000 и может быть представлена как плоскость. Кроме того, условие интерференции смягчается в связи с тем, что сфера отражения может иметь конечную «толщину» изза расходимости пучка электронов и их некоторой немонохроматичности

Раздел 12.

102. В случае светлопольных изображений контраст создается прошедшими электронами. При формировании изображения по методу темного поля контраст формируется продифрагировавшими электронами.

103. Для перехода к темному полю апертурную диафрагму смещают так, чтобы через нее прошел один

из дифрагированных лучей (луч нулевого или центрального максимума при этом не проходит через диафрагму1). Предварительно получая дифракционную картину, можно выбрать определенный дифракционный максимум (HKL), в лучах которого при введении апертурной диафрагмы и последующем изменении режима работы промежуточной линзы получается темнопольное изображение

104.-

105. С применением промежуточной линзы связана возможность легкого перехода от наблюдения микроскопического изображения кристаллических объектов к наблюдению картины электронной дифракции. Первичное или дифракционное изображение объекта формируется в главной фокальной плоскости объектива. Поскольку в электронном микроскопе используют электронные лучи с длиной волны, меньшей,чем межплоскостные расстояния кристаллической решетки, в главной фокальной плоскости объектива должна возникать дифракционная картина, соответствующая кристаллической структуре объекта.

106. Для наблюдения дифракционной картины необходимо, чтобы апертура объектива была достаточно велика. При микроскопической работе апертура ограничивается специальной апертурной диафрагмой, которую устанавливают возле задней главной фокальной плоскости объектива. При переходе к наблюдению дифракционной картины эту диафрагму убирают в сторону, так как для

обычных объектов исследования в металловедении межплоскостные расстояния слишком малы, а углы дифракции слишком велики и дифрагированные лучи задерживаются апертурной диафрагмой.Края можно увидеть в режиме или собрания /освещения/собрания освещения.отражения

107. Меняя положение селекторной диафрагмы или перемещая объект, можно получать дифракционные картины с разных участков предмета.

108. В качестве конденсорной линзы, а также линз собственно микроскопа (объективной и проекционных) чаще всего применяют электромагнитные электронные линзы. Электромагнитная

линза представляет собой соленоид, заключенный в железный панцирь.Панцирь имеет так называемый воздушный зазор внутри соленойда где и создается сильное магнитное поле определенной конфигурации. Магнитным полем конденсорной линзы электронныймпучок концентрируется возле объекта

109.объективная линза – фокусирует изображение

110. промежуточная линза переносит изображение в плоскость полевой диафрагмы с небольшим увеличением(обычно до 10)

111.главная проекционная линза проецирует изображение на экран или на фотопленку

112. В просвечивающем электронном микроскопе можно исследовать объекты достаточно малой толщины (обычно менее 1000 А). В связи с этим широко применяют методы отпечатков (реплик), т. е. тонких пленок, более или менее подробно воспроизводящих рельеф металлографического шлифа. В этих случаях разрешение изображения лимитируется не разрешающей способностью микроскопа, а качеством воспроизведения рельефа репликой. Наиболее полное использование электронного микроскопа возможно при непосредственном изучении структуры металлов, приготовленных в виде тонкой (~0,1 мк) фольги.