Часть 6.

Рентгеновский количественный фазовый анализ основан на определении интенсивности линий исследуемой фазы, сравнении интенсивности линий определяемых фаз между собой или с интенсивностью линии эта-

лонного образца, полученной на одной рентгенограмме или дифрактограмме с линиями исследуемого образца (метод подмешивания эталона или метод независимого эталона).

53.сведения для количественного фаз.ан: Если образец содержит п фаз различной плотности, то относительная интенсивность линий какой-либо из этих фаз однозначно связана с количеством ее в образце. Это количество можно определить из сравнения интенсивности линий исследуемой фазы с интенсивностью линий независимого эталона. Для этого необходимо знать, как меняется отноше-

ние интенсивностей заданной пары линий эталона и определяемой фазы при изменении отношения количества эталона и исследуемой фазы

55.эталон: Затем по результатам фотометрирования следует построить график, связывающий размер эталона с отношением интенсивности линий сравнения, по которому легко найти значение а, соответствующее отношению интенсивностей, равному единице (см. рис. 56).

Часть 7.

Следует также обратить внимание на поло-

жение линии. При этом чем меньше углы дифракции первых линий, тем

больше элементарная ячейка и ниже симметрия данной фазы системы.

Раздел 8

61. Полюсной фигурой поликристаллического вещества называется стереографическая проекция нормалей (полюсов) к определенным атомным плоскостям (hkl), построенная для всех кристаллитов данного поли-

кристалла.

62. аксиальная стр-ра-зерна поликристалла выстраиваются определенным кристаллографическим направлением вдоль некоторого внешнего направления(текстура волочения)

63. Если бы рассматриваемая плоскость была не наклонной, а вертикальной (параллельной оси вращения), то вместо четырех отраженных лучей образовалось бы лишь два таких луча, лежащих на оси FF'.

64. Если же плоскость была бы горизонтальной (перпендикулярной оси вращения), то она не давала бы никаких отражений.

Рисунок 2 – Схема ППФ материала с аксиальной текстурой:

а) идеальная текстура; б) текстура с углом рассеяния 9ρ.

65.{100} (100) (010)(001)(-100)(0-10)(00-1)

<110> 45 45 90 45 45 90

66.{100} {110} того же образца

9 Раздел

70.Причины уширения линии : наличие микронапряжений ,измельчение блоков мозаики

Зная истинные физические уширения двух линий одного и того же вещества, полезно провести качественную оценку доли влияния факторов блочности и микронапряжений. В самом деле, если блоки мозаики недисперсны (крупнее 0,1 мк), то уширение вызвано только микронапряжениями

Если же в образце нет искажений, но блоки малы (меньше 0,1 мк),то все уширение вызвано только дисперсностью блоков

71.плотность обр.проп ширине в кубе

Раздел 10.

Как узнать, каковы причины уширения линий на рентгенограмме?

Мерой уширения является величина β (общее уширение), которая может меняться по закону косинусов, либо по закону тангенсов. В том случае, когда эта величина меняется по закону косинусов, то причиной уширения является дисперсность кристалла. Если же, эта величина меняется по закону тангенсов, то причиной уширения является наличие дислокаций.

Исследование типов твердого раствора и построение границы растворимости.

79. Какие типы твердых растворов вы знаете? На чем основано определение типа твердого раствора?

1)внедрения

2)замещения

3)вычитания

Схемы расположения атомов в твёрдых растворах: а - чистый элемент А; б - твёрдый раствор замещения элемента В в элементе А; в- химическое соединение АВ; г- твёрдый раствор замещения химического соединения АС в химическом соединении АВ; д - твёрдый раствор внедрения элемента D в элементе А; е - твёрдый раствор вычитания на базе химического соединения АВ, -А; -В; -С; -D.

Различают Т. р. замещения, внедрения и вычитания (рис. 1). В Т. р. замещения на основе кристаллич. решётки хим. элемента (металла) А атомы элемента В замещают часть атомов сорта А; в Т. р. замещения соединения АС в соединении АВ атомы или ионы сорта С замещают атомы или ионы сорта В (замещение происходит в В-подрешётке кристаллич. решётки). При образовании Т. р. замещения число атомов или ионов в элементарной ячейке остаётся постоянным.

В Т. р. внедрения атомы сорта D располагаются в междоузлиях кристаллич. решётки металла А, при этом число атомов в элементарной ячейке увеличивается. Для образования Т. р. внедрения необходимо, чтобы различие атомных размеров компонентов было достаточно велико.

В Т. р. вычитания на основе соединения АВ часть атомов или ионов сорта В отсутствует (возникают вакансии в В-подрешётке), число атомов в элементарной ячейке меньше, чем у исходного соединения стехиометрич. состава. Возможно одновременное сочетание 2 видов Т. р. (напр., Т. р. внедрения атомов D в Т. р. замещения атомов В в кристаллич. решётке, образованной атомами А). Определение типа твердого раствора основано на определении числа атомов (ионов) в элементарной ячейке его решетки. Если при образовании твердого раствора число частиц в ячейке остается неизменным, раствор построен по типу замещения. При образовании твердого раствора внедрения или вычитания среднее число частиц в ячейке соответственно растет или уменьшается.

80.Какая информация необходима для определения типа твердого раствора? Как вы ее можете получить?

Число частиц n в элементарной ячейке определяют из сопоставления рентгенографический данных об объеме элементарной ячейки Vяч и данных о плотности вещества ρ. Масса элементарной ячейки М=V яч* ρ. Вместе с тем M=n*mср где mср средняя масса частицы, равная Аср.*1.66*10^-24 г средневзвешенная атомная масса.

Отсюда n=Vя* ρ / Аср.*1.66*10^-24 г

Тип решетки (и период решетки можно найти с помощью индицирования рентгенограммы).

Изменения периода решетки рассчитывается с помощью прецизионных методов определения периода решетки

закон Вегарда a=a₀+ αc

С помощью этих данных найдем V яч.

81-83.Как меняется период решетки при изменении концентрации растворенного элемента в твердом растворе для твердого раствора типа внедрения, вычитания, замещения

При образовании растворов замещения периоды решетки изменяются в зависимости от разности атомных диаметров растворенного элемента и растворителя. Если атом растворенного элемента больше атома растворителя, то элементарные ячейки увеличиваются, если меньше – сокращаются. В первом приближении это изменение пропорционально концентрации растворенного компонента, выраженной в атомных процентах

84. На чем основано рентгенографическое определение границы растворимости?

Рентгенографическое определение границы растворимости основано на зависимости периода решетки твердого раствора от содержания растворенного компонента. В относительно небольшом интервале концентраций твердого раствора эту зависимость можно считать линейной.

a=a₀+ αc .где а- период решетки твердого раствора, a_{0- период решетки растворителя.} С-концентрация растворенного в-ва. α -коэффициент пропорциональности