Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Для конспекта.doc
X
- •Введение
- •1 Выращивание монокристаллов
- •1.1 Метод Чорхальского
- •1.2 Метод зонной плавки (метод перекристаллизации)
- •2 Изготовление пластин
- •2.1 Резка стальными полотнами и дисками
- •2.2 Резка диском с наружной алмазной кромкой
- •2.3 Резка диском с внутренней алмазной кромкой
- •2.4 Резка при помощи ультразвука
- •2.4 Лазерное разделение пластин
- •3 Обработка поверхности пластин
- •3.1 Шлифовка
- •3.2 Обезжиривание поверхности
- •3.3 Полировка
- •4 Фотолитография
- •5 Методы получения полупроводниковых слоев и переходов
- •5.1 Эпитаксия
- •5.2 Диффузионное легирование
- •5.3 Ионное легирование
- •6 Технология полупроводниковых биполярных и мдп имс
- •6.1 Элементы имс
- •6.2 Изготовление биполярных имс с изоляцией p-n переходами
- •6.3 Изготовление биполярных имс с диэлектрической изоляцией
- •6.4 Изготовление биполярных имс с комбинированной изоляцией
- •6.5 Изготовление толстооксидных p-моп-имс и n-моп-имс
6.5 Изготовление толстооксидных p-моп-имс и n-моп-имс
Рассмотрим наиболее простые типовые процессы изготовления ИМС с металлическими затворами и толстой пленкой оксида между металлизацией и пластиной кремния. Это уменьшает паразитные емкости, а также дает некоторые другие преимущества перед ранее применяемой тонкооксидной технологией.
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]