Варіант 1

І рівень

1. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?

а) в основному електронний; б) в основному дірковий;

в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.

2. Який тип мають напівпровідникові матеріали з донорними домішками?

а) в основному електронний; б) в основному дірковий;

в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.

3. Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?

а) напівпровідниковий кристал;

б) напівпровідниковий діод;

в) напівпровідниковий транзистор.

4. Як зміниться провідність металевого провідника і напівпровідника, якщо їх охолодити до температури рідкого гелію?

а) збільшиться в обох випадках; б) зменшиться в обох випадках;

в) майже не зміниться; г) у металевому провіднику зменшиться.

5. Яка область біполярного транзистора називається колектором?

а) середня область транзистора;

б) область транзистора, яка здійснює екстракцію (захоплення) з бази неосновних носіїв заряду;

в) область з боку відкритого р-п-переходу;

г) область з позитивним потенціалом.

6. Напругу, прикладену до напівпровідникового діода, підвищили в п разів. Як змінилася сила струму, що тече через напівпровідник?

а) не змінилася; б) зросла в п разів;

в) зросла в 2п раза; г) зросла нелінійно.

ІІ рівень

7. Охарактеризуйте основні особливості напівпровідників.

8.Поясніть, що таке ширина забороненої зони та на які властивості напівпровідників вона впливає.

9. Яка залежність електропровідності домішкових напівпровідників від температури? Відповідь обґрунтуйте.

10. Яка принципіальна схема пристрою і який принцип дії кремнієвого фотоелемента?

ІІІ рівень

11. Розв’яжіть задачу.

Визначте середню швидкість направленого руху електронів у мідному провіднику при густині струму в ньому 8,0 А/ мм²? Вважайте, що на кожний атом міді в металі припадає один вільний електрон.

12. Фоторезистор, який у темряві має опір 20 кОм, увімкнено послідовно з резистором, що має опір 2,5 кОм. Коли фоторезистор освітлили, сила струму в колі (при тій самій напрузі) збільшилася в 4,5 рази. У скільки разів зменшився опір фото резистора?

Варіант 2

І рівень

1. Який тип мають напівпровідникові матеріали з акцепторними домішками?

а) а) в основному електронний; б) в основному дірковий;

в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.

2. За різних температур концентрація носіїв заряду в напівпровідниках …

а) визначається наявністю домішок і прямо пропорційно залежить від температури і освітлення;

б) визначається наявністю домішок і обернено пропорційно залежить від температури й освітлення;

в) залишається майже сталою;

г) залежить від первинної структури напівпровідника.

3. Яка область біполярного транзистора називається базою?

а) середня область транзистора;

б) область з малою концентрацією;

в) область, у яку інжектують неосновні носії заряду.

4. Як зміниться провідність металевого провідника і напівпровідника, якщо їх охолодити до температури рідкого гелію?

а) збільшиться в обох випадках; б) зменшиться в обох випадках;

в) майже не зміниться; г) у металевому провіднику зменшиться.

5. Яка область біполярного транзистора називається колектором?

а) середня область транзистора;

б) область транзистора, яка здійснює екстракцію (захоплення) з бази неосновних носіїв заряду;

в) область з боку відкритого р-п-переходу;

г) область з позитивним потенціалом.

6. Напругу, прикладену до напівпровідникового діода, підвищили в п разів. Як змінилася сила струму, що тече через напівпровідник?

а) не змінилася; б) зросла в 10 разів;

в) зросла в 4п раза; г) зросла лінійно.

ІІ рівень

7. Чи може емітувати з урану електрон, що рухається зі швидкістю 2000 км/с терпен-дикулярно до поверхні металу, якщо робота виходу складає 3,74 еВ.

8. Охарактеризуйте основні особливості напівпровідників.

9. Поясніть, що таке ширина забороненої зони та на які властивості напівпровідників вона впливає.

10. Як впливають електрони на величину теплоємності металів та на теплопровідність твердих тіл?

ІІІ рівень

11. Розв’яжіть задачу.

До кінців кола, що складається з послідовно ввімкнених термістора та резистора опором 750 Ом подали напругу 20 В. При кімнатній температурі сила струму в колі була 10 мА. Коли термістор занурили в гарячу воду, сила струму стала 20 мА. У скільки раз змінився опір термістора.

12. Розв’яжіть задачу.

Концентрація вільних електронів в напівпровідникові при даній температурі п = 10 м ³, швидкість направленого переміщення 0,25 м/с. Визначити рухливість зарядів і їх концентрацію при напруженості зовнішнього електричного поля Е = 100 В/м, густина струму 4 10 ² А/м².

Варіант 3

І рівень

1. Як направлений струм в термоелементі з напівпровідника з дірковою провідністю? Напівпровідник у вигляді стержня:

а) від холодного кінця до гарячого; б) по напряму руху дірок;

в) від гарячого кінця до холодного; в) без напряму електронів.

2. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?

а) в основному електронний; б) в основному дірковий;

в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.

3. Який тип мають напівпровідникові матеріали з донорними домішками?

а) в основному електронний; б) в основному дірковий;

в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.

4. Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?

а) напівпровідниковий кристал;

б) напівпровідниковий діод;

в) напівпровідниковий транзистор.

5. Яка область біполярного транзистора називається базою?

а) середня область транзистора;

б) область з малою концентрацією;

в) область, у яку інжектують неосновні носії заряду.

6. Який тип мають напівпровідникові матеріали з акцепторними домішками?

а) в основному електронний; б) в основному дірковий;

в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.

ІІ рівень

7. Охарактеризуйте основні особливості напівпровідників.

8. Поясніть, що таке ширина забороненої зони та на які властивості напівпровідників вона впливає.

9. Поясніть, що таке ширина забороненої зони та на які властивості напівпровідників вона впливає.

10. Як впливають електрони на величину теплоємності металів та на теплопровідність твердих тіл?

ІІІ рівень

11. Розв’яжіть задачу.

Визначте середню швидкість направленого руху електронів у мідному провіднику при густині струму в ньому 8,0 А/ мм²? Вважайте, що на кожний атом міді в металі припадає один вільний електрон.

12. Розв’яжіть задачу.

Концентрація вільних електронів в напівпровідникові при даній температурі п = 10 м ³, швидкість направленого переміщення 0,25 м/с. Визначити рухливість зарядів і їх концентрацію при напруженості зовнішнього електричного поля Е = 100 В/м, густина струму 4 10 ² А/м².

Варіант 4

І рівень

1. Який тип мають напівпровідникові матеріали з акцепторними домішками?

а) а) в основному електронний; б) в основному дірковий;

в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.

2. За різних температур концентрація носіїв заряду в напівпровідниках …

а) визначається наявністю домішок і прямо пропорційно залежить від температури і освітлення;

б) визначається наявністю домішок і обернено пропорційно залежить від температури й освітлення;

в) залишається майже сталою;

г) залежить від первинної структури напівпровідника.

3. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?

а) в основному електронний; б) в основному дірковий;

в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.

4. Який тип мають напівпровідникові матеріали з донорними домішками?

а) в основному електронний; б) в основному дірковий;

в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.

5. Яка область біполярного транзистора називається базою?

а) середня область транзистора;

б) область з малою концентрацією;

в) область, у яку інжектують неосновні носії заряду.

6. Який тип мають напівпровідникові матеріали з акцепторними домішками?

а) в основному електронний; б) в основному дірковий;

в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.

ІІ рівень

7. Охарактеризуйте основні особливості напівпровідників.

8. Поясніть, що таке ширина забороненої зони та на які властивості напівпровідників вона впливає.

9. Наведіть графіки залежності опору металів і напівпровідників від температури.

10. Як пояснити різку відмінність залежності питомого опору металів і напівпровідників від температури, маючи розуміння їх будови (наявність кристалічної гратки та вільних електронів).

ІІІ рівень

11. Розв’яжіть задачу.

Концентрація електронів в деякому металі складає 10 м ³. Визначити максимальне значення енергії для любого електрона в цьому зразку при 0 К (рівень Фермі).

12. Розв’яжіть задачу.

Визначте середню швидкість направленого руху електронів у мідному провіднику при густині струму в ньому 12,0 А/ мм²? Вважайте, що на кожний атом міді в металі припадає один вільний електрон.

Варіант 5

І рівень

1. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?

а) в основному електронний; б) в основному дірковий;

в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.

2. Який тип мають напівпровідникові матеріали з донорними домішками?

а) в основному електронний; б) в основному дірковий;

в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.

3. Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?

а) напівпровідниковий кристал;

б) напівпровідниковий діод;

в) напівпровідниковий транзистор.

4. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?

а) в основному електронний; б) в основному дірковий;

в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.

5. Яка область біполярного транзистора називається базою?

а) середня область транзистора;

б) область з малою концентрацією;

в) область, у яку інжектують неосновні носії заряду.

6. Який тип мають напівпровідникові матеріали з акцепторними домішками?

а) в основному електронний; б) в основному дірковий;

в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.

ІІ рівень

7. Чи може емітувати з урану електрон, що рухається зі швидкістю 2000 км/с терпен-дикулярно до поверхні металу, якщо робота виходу складає 3,74 еВ.

8. Охарактеризуйте основні особливості напівпровідників.

9. Поясніть, що таке ширина забороненої зони та на які властивості напівпровідників вона впливає.

10. Знаючи, що мікрокристали срібла мають кубічну гранецентрировану решітку. Виз-начте число найближчих «сусідів» кожного атому срібла; постійну решітки; найменшу відстань між частинками.

ІІІ рівень

11. Розв’яжіть задачу.

До кінців кола, що складається з послідовно увімкнених термістора і резистора опором 1 кОм, подано напругу 20 В. При кімнатній температурі сила струму в колі була 5 мА. Коли термістор опустили в гарячу воду, сила струму в колі стала 10 мА. У скільки раз змінився в результаті нагрівання опір термістора?

12. Розв’яжіть задачу.

До кінців кола, що складається з послідовно ввімкнених термістора та резистора опором 750 Ом подали напругу 20 В. При кімнатній температурі сила струму в колі була 10 мА. Коли термістор занурили в гарячу воду, сила струму стала 20 мА. У скільки раз змінився опір термістора?

Варіант 6

І рівень

1. При якому з’єднанні резистора і напівпровідникового термістора, опір якого зменшується з нагріванням, опір всієї ділянки в певному інтервалі не залежить від температури?

а) при паралельному; б) при послідовному;

в) при будь-якому; г) варіант з’єднання неможливий.