
- •1.Химическая обработка кремния
- •1.1. Природа процессов травления
- •1.2. Количественная характеристика травления
- •1.2.2.Химическая реакция.
- •1.2.3.Скорость суммарного процесса.
- •1.3. Методы химобработки
- •1.3.1.Изотропное травление в жидкой фазе
- •1.3.2.Газовое травление и травление в паровой фазе
- •1.3.3. Вытравливание дефектов
- •1.3.4.Анизотропное травление в жидкой фазе
- •1.3.4.1. Кремний с ориентацией (100)
- •1.3.4.2. Кремний ориентации (110)
- •1.3.4.3. Маскирующие покрытия при анизотропном травлении
- •1.4. Состав травителей
1.3.4.1. Кремний с ориентацией (100)
Плоскость (100) является единственной из главных плоскостей, при пересечении которой плоскостями (110), (111), (100) и (211) образуются фигуры с прямоугольной симметрией. Поэтому этой плоскости отдается предпочтение при создании приборов, которые изготавливаются с использованием методов анизотропного травления. Плоскость (100) пересекается четырьмя плоскостями (111) под углом 54°44’ (54°74’). При ориентации сторон окна вдоль направления [100] или перпендикулярно ему (параллельно следу плоскости (111)) получаются фигуры травления пирамидальной формы с боковыми стенками, ограниченными плоскостями (111), и дном, ограниченным плоскостью (100) (рис.7).
Анизотропные травители растворяют кремний в плоскости (100) до тех пор, пока травление не дойдет до плоскостей {111}, начинающихся у края окна в пленке SiO2 и встречающихся так, что они образуют V-образный профиль (рис.1). Глубина V-образной канавки зависит от ширины окна на пластине кремния, полученного с помощью фотолитографии (рис.2). Травление прекращается, когда участки плоскостей {100}, выходящие на поверхность, стравливаются. Регулируя время травления, можно изменять профиль канавки трапецеидального до V-образного.
Рис. 2. Форма
вытравливаемой канавки на пластине
ориентации: а) – (100); б) – (100);
поперечное сечение канавки,
пересечение плоскостей {111} с поверхностью
пластины.
На рис. 3 показана форма лунок, анизотропно вытравленных в кремнии (100) через окна различной геометрии в маскирующей пленке. Если травление по времени достаточно, то лунка на поверхности кремния представляет собой прямоугольник, ограниченный окном в маскирующей пленке. Вытравленные лунки ограничены четырьмя сходящимися плоскостями {111}, каждая из которых образует угол 54°74’ (arctg√2) с поверхностью (100).
Рис.3. Форма лунок, вытравленных в кремнии ориентации (100) через окна различной геометрии.
1.3.4.2. Кремний ориентации (110)
Пластина кремния
(110) пересекается шестью плоскостями
{111}, из которых четыре перпендикулярны
поверхности (110), а остальные две пересекают
плоскость (110) под углом 35°26’. Плоскости
(1
)
и (
)
перпендикулярны поверхности (110) и
пересекаются между собой под углом
109°48’. Процесс травления канавки на
кремнии ориентации (110) – самоостанавливающийся
процесс и приостанавливается, когда
канавка ограничивается шестью плоскостями
(111): четырьмя вертикальными и двумя
наклонными. Наклонные плоскости {111}
препятствуют травлению. Если дно канавки
ограничено плоскостью (110), то самоограничения
травления еще не наступило.
Фигуры травления на подложках кремния с ориентациями (100) и (110) в зависимости от ориентационных условий приведены в таблице 1. При ориентации системы параллельных полос, расположенных вдоль [100], образуются трапецеидальные или V-образные канавки с (111) боковыми стенками под углом 35°16’ к начальной поверхности (100).
Таблица 1.
Ориентационные условия и полиэдры на подложках кремния с ориентациями {100} и {110}.
Ориентация подложки |
Форма шаблона и его расположение на подложке |
Фигуры травления |
||
Начальный |
Промежуточный |
Предельный |
||
{100} |
Квадрат со стороной а, расположенной вдоль <110> |
|
|
|
{100} |
Квадрат со стороной а, расположенной вдоль <100> |
|
|
|
{100} |
Круг диаметра а |
|
|
|
{100} |
Система параллельных полос, расположенных вдоль <110> |
|
|
|
Продолжение табл.1 |
||||
{110} |
Круг диаметра а |
|
|
|
{110} |
Ромб с углом 70°32’, расположенных большой диагональю вдоль [001] |
|
|
|
{110} |
Система
параллельных полос, расположенных
вдоль [ |
|
|
|
{110} |
Система параллельных полос, расположенных вдоль [100] |
|
|
|