
- •Определения Правила Кирхгофа
- •Устройство
- •[Принцип работы
- •Основные параметры
- •Преимущества термопар
- •Вопрос 9
- •Вопрос 10
- •Вопрос 10 (продолжение…)
- •Как устроен магнитоэнцефалограф
- •Вопрос17
- •Вопрос18
- •Дифракция медленных электронов
- •Дифракция быстрых электронов
- •Положение на шкале электромагнитных волн
- •Биологическое воздействие
- •Природные источники
Дифракция медленных электронов
Основная статья: Дифракция медленных электронов
Дифракция медленных электронов сокр., ДМЭ, ДЭНЭ иначе дифракция электронов низкой энергии (англ. low-energy electron diffraction сокр., LEED) — метод исследования структуры поверхности твердых тел, основанный на анализе картин дифракции низкоэнергетических электронов с энергией 30–200 эВ, упруго рассеянных от исследуемой поверхности.
Дифракция быстрых электронов
Основная статья: Дифракция быстрых электронов
Дифракция быстрых электронов сокр., ДБЭ (англ. reflection high-energy electron diffraction сокр., RHEED) — метод исследования структуры поверхности твердых тел, основанный на анализе картин дифракции электронов с энергией 5–100 кэВ, упруго рассеянных от исследуемой поверхности под скользящими углами.
В соответствии с квантовомеханич. представлениями движение электрона с массой т и импульсом р= mv (v - его скорость) описывается плоской монохроматич. волной, длина к-рой определяется соотношением де Вройля:
ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ -совокупность методов исследования с помощью электронных микроскопов микроструктур тел (вплоть до атомно-молекулярного уровня), их локального состава и локализованных на поверхностях или в микрообъёмах тел электрич. и магн. полей ("микрополей"). Как самостоятельное научное направление Э. м. включает: усовершенствование и разработку новых электронных и др. корпускулярных микроскопов (напр., протонного микроскопа) и приставок к ним; разработку методик препарирования образцов, исследуемых в электронных микроскопах; изучение механизмов формирования электронно-оптич. изображений; разработку способов анализа разнообразной информации, получаемой с помощью электронных микроскопов.
Объекты
исследования в Э. м.- обычно твёрдые
тела. В просвечивающих электронных
микроскопах (ПЭМ), в к-рых электроны с
энергиями от 1 кэВ до 5 МэВ проходят
сквозь объект, изучаются образцы в виде
тонких плёнок, фольги (рис. 1), срезов и
т. п. толщиной от 1 нм до 10 мкм (от 10
до
105
).
Порошки, микрокристаллы, аэрозоли и т.
п. можно изучать, нанеся их предварительно
на подложку- тонкую плёнку для исследования
в ПЭМ или массивную подложку для
исследования в растровых электронных
микроскопах (РЭМ). Поверхностную и
припо-верхностную структуру массивных
тел толщиной существенно больше 1 мкм
исследуют с помощью РЭМ (рис. 2),
отражательных и зеркальных, а также ионных
проекторов и электронных
проекторов.
Поверхностная геом. структура массивных
тел изучается также и методом реплик: с
поверхности такого тела снимается
реплика-отпечаток в виде тонкой плёнки
углерода, коллодия, формвара и т. п.,
повторяющая рельеф поверхности, и
рассматривается в ПЭМ. Обычно предварительно
на реплику в вакууме напыляется
под скользящим углом слой сильно
рассеивающего электроны тяжёлого
металла (напр., Pt), оттеняющего выступы
и впадины геом. рельефа. Метод т. н.
декорирования позволяет исследовать
не только геом. структуру поверхностей,
но и электрическую, т. е. микро-поля,
обусловленные наличием дислокаций (рис.
3), скоплений точечных дефектов
(см. Дефекты ),ступенями
роста кристаллич. граней, доменной
структурой (см. Домены)и
т. д. При таком методе исследования на
поверхность образца вначале напыляется
очень тонкий слой декорирующих частиц
(атомы тяжёлого металла с большим
коэф. поверхностной
диффузии,
молекулы полупроводников или
диэлектриков), осаждающихся преим. на
участках сосредоточения микрополей, а
затем снимается реплика с включениями
декорирующих микрополя частиц.
Применение
электронной микроскопии в биологии позволило
изучить сверхтонкую структуру клетки
внеклеточных компонентов тканей. На
основании результатов, полученных с
помощью МЭ (максимальное разрешение
которых для биологических объектов
12 — 6А,
а увеличения — до
800 — 1200
тыс.), начиная с 40-х гг. было описано
тонкое строение мембран, митохондрий,
рибосом и других клеточных, а также
внеклеточных структур, выявлены некоторые
макромолекулы, например ДНК. Растровая
(сканирующая) Электронная
микроскопия дает
возможность изучать тонкое строение
поверхности клеток и тканевых структур
не только фиксированных объектов, но и
живых животных с твердым хитиновым
покровом, например ряда членистоногих.
Техника приготовления биологических
препаратов для Электронная
микроскопия включает
процедуры, сохраняющие ткань в условиях
глубокого вакуума под пучком электронов
и реализующие высокое разрешение МЭ.
Обычно объекты фиксируют химическими
реагентами (альдегидами, четырехокисью осмия или
др.), обезвоживают (спиртом, ацетоном),
пропитывают эпоксидными смолами и режут
на специальных микротомах на
ультратонкие срезы (толщиной 100 — 600
Вариант 34
Рентге́новское излуче́ние — электромагнитные волны, энергия фотонов которых лежит на шкале электромагнитных волн междуультрафиолетовым излучением и гамма-излучением, что соответствует длинам волн от 10−2 до 103 Å (от 10−12 до 10−7 м).[1]