- •Методична розробка
- •Тема :Аналіз логічного елементу ттл.
- •Оцінка впливу умов експлуатації на параметри ттл елементів.
- •Інтегральні мікросхеми логічних елементів ттл різноманітних серій і їхні особливості.
- •Методика проведення заняття
- •1. Оцінка впливу умов експлуатації на параметри ттл елементів.
- •2. Інтегральні мікросхеми логічних елементів ттл різноманітних серій і їхні особливості.
2. Інтегральні мікросхеми логічних елементів ттл різноманітних серій і їхні особливості.
Різновиди базових ТТЛ елементів відрізняються від схеми, приведеної на рис. 11.4 головним чином номіналами опорів резисторів і деяких схемних особливостей, що ілюструються рис. 11.7 і 11.8. Так, паралельно входам підключені діоди Д1, Д2, які отрмали назву антидзвонних. Вони обмежують завадові викиди негативної полярності, що утворяться при відображенні сигналу від входу внаслідок непогодженості хвильового опору довгої сигнальної лінії і вхідного опору ЛЕ, а також у результаті взаємних наведень у сигнальних колах. Обмеження необхідне для захисту від пробою емітерних переходів Т1, а також для підвищення завадостійкості цифрових пристроїв шляхом "гасіння" коливальних процесів у електрично пов'язаних сигнальних колах.
Для
ЛЕ середньої і підвищеної споживаної
потужності, а також елементів ТТЛШ
типовим відмінним схемотехнічним
рішенням є підключення в коло емітера
Т2
динамічного навантаження, що складається
з R3,
R5 і Т5
(рис. 11.8).
Воно дозволяє одержати форму передатної
характеристики ЛЕ, близьку до прямокутної
(рис. 11.6, пунктирна лінія) за рахунок
звуження області підсилювального режиму
(В′С),
тому що транзистор Т2
може відкриватися лише при
.
Тим самим підвищується завадостійкість
до перешкоди, що включає.
Динамічне навантаження приводить до погіршення умов розсмоктування надлишкових зарядів у базі Т3 при вимиканні. Тому паралельно емітерному переходу Т2 підключають діод Д3 (рис. 11.7), що забезпечує низькоомне коло для базового струму транзистора, що виключає ТЗ: база ТЗ – діод Д3 − насичений транзистор Т1 − джерело сигналу.
І нарешті, з метою підвищення навантажувальної здатності ЛЕ замість діода зсуву Д4 застосовують транзистор Т6 (мал. 11.8), що разом з Т4 утворює складений (по-російські: составной ) транзистор.
Варіант 1.
Прізвище_________________________
Заповнити часову діаграму;
Для підкресленого моменту часу визначить cтан транзисторів та напрямок вихідного струму, рівень вихідної напруги;
На схемі указати коло протікання струму.
|
T1- ; T2- ;Т3- ;Т4- IВХ - ; UВИХ - |
Варіант 2.
Прізвище_________________________
Заповнити часову діаграму;
Для підкресленого моменту часу визначить cтан транзисторів та напрямок вихідного струму, рівень вихідної напруги;
На схемі указати коло протікання струму.
|
T1- ; T2- ;Т3- ;Т4- IВХ - ; UВИХ - |
Варіант 3.
Прізвище_________________________
Заповнити часову діаграму;
Для підкресленого моменту часу визначить cтан транзисторів та напрямок вихідного струму, рівень вихідної напруги;
На схемі указати коло протікання струму.
|
T1- ; T2- ;Т3- ;Т4- IВХ - ; UВИХ - |
Варіант 4.
Прізвище_________________________
Заповнити часову діаграму;
Для підкресленого моменту часу визначить cтан транзисторів та напрямок вихідного струму, рівень вихідної напруги;
На схемі указати коло протікання струму.
|
T1- ; T2- ;Т3- ;Т4- IВХ - ; UВИХ - |
