Создание рисунка проводников на слоях дпп.

Применяя пленочный фоторезист, получают защитные изо­бражения - маски рисунка схем при различных способах изготовле­ния плат.

Рассмотрим три технологии получения проводящего рисунка двухслойных печатных плат с применением пленочного фоторези­ста:

1. на основе субтрактивного негативного метода;

2. субтрактивного «тентинг» метода;

3. на основе субтрактивного метода с применением метало-резиста, позитивного метода.

По субтрактивной технологии рисунок печатных плат полу­чают травлением по защитному изображению в пленочном фоторе­зисте или по металлорезисту, осажденному на поверхности гальва­нически сформированных проводников в рельефе пленочного фото­резиста на поверхности фольгированных диэлектриков.

На рисунках 2, 3, 4 приведены варианты технологических схем получения проводящего рисунка печатных плат по субтрак­тивной технологии с применением пленочного фоторезиста.

Первый вариант (рис.2) - получение проводящего рисунка травлением медной фольги на поверхности диэлектрика по защит­ному изображению в пленочном фоторезисте при изготовлении двухсторонних плат без переходов.

ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ СХЕМА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДПП СУБТРАКТИВНЫМ

МЕТОДОМ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФОТОРЕЗИСТА (СПФ)

ЗАГОТОВКА ФОЛЬГИРОВАННОГО ДИЭЛЕКТРИКА

ПОЛУЧЕНИЕ ЗАЩИТНОГО РИСУНКА В СПФ

(НАСЛАИВАНИЕ ЭКСПОНИРОВАНИЕ, ПРОЯВЛЕНИЕ)

ТРАВЛЕНИЕ МЕДНОЙ ФОЛЬГИ В ОКНАХ РИСУНКА ИЗ СПФ

УДАЛЕНИЕ ЗАЩИТНОГО РИСУНКА СПФ

РИС.2.

Второй вариант (рис.3) - получение проводящего рисунка двухсторонних плат с межслойными переходами, т.е. с металлизи­рованными отверстиями, путем травления медной фольги с гальва­нически осажденным слоем меди по защитному изображению рисунка схемы и с защитными завесками над металлизированными от­верстиями в пленочном фоторезисте. В этом, так называемом «ентинговом» процессе, или образования завесок, в заготовке фольгированного диэлектрика, сверлятся отверстия и, после химической металлизации стенок отверстий, производят электролитическое доращивание меди в отверстиях и на поверхности фольги фольгированного диэлектрика до требуемой толщины.

ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ СХЕМА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДПП МЕТОДОМ "ТЕНТИНГ"

С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СУХОГО ПЛЕНОЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА

ЗАГОТОВКА ФОЛЬГИРОВАННОГО ДИЭЛЕКТРИКА

С ПРОСВЕРЛЕННЫМИ ОТВЕРСТИЯМИ

ХИМИКО-ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ МЕТАЛЛИЗАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ И СТЕНОК ОТВЕРСТИЙ ВСЕЙ

НАСЛАИВАНИЕ ПЛЕНОЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА

ПОЛУЧЕНИЕ ЗАЩИТНОГО РИСУНКА В СПФ (ЭКСПОНИРОВАНИЕ,ПРОЯВЛЕНИЕ)

ТРАВЛЕНИЕ МЕДНОЙ ФОЛЬГИ В ОКНАХ СПФ

УДАЛЕНИЕ ЗАЩИТНОГО РИСУНКА СПФ — СЛОЙ ГО ТОВ.

РИС.3.

После этого наслаивается фоторезист для получения защитно­го изображения схемы и защитных завесок над металлизированны­ми отверстиями.

По полученному защитному изображению в пленочном фото­резисте производят травление меди с пробельных мест схемы. Об­разованные фоторезистом завески защищают металлизированные отверстия от воздействия травящего раствора в процессе травления.

В этом процессе используются свойства пленочного фоторе­зиста наслаиваться на сверленые подложки без попадания в отвер­стия и образовывать защитные завески над металлизированными отверстиями.

Третий вариант (рис.4) - вытравливание проводящего рисунка по металлорезисту, осажденному на поверхность медных проводни­ков, сформированных в рельефе пленочного фоторезиста, и на стен­ки металлизированных отверстий.

ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ СХЕМА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДПП СУБТРАКТИВНЫМ МЕТОДОМ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТАЛЛОРЕЗИСТА (ОЛОВО-СВИНЕЦ)

ЗАГОТОВКИ ФОЛЬГИРОВЙННОГО ДИЭЛЕКТРИКА С ПРОСВЕРЛЕННЫМИ ОТВЕРСТИЯМИ

ХИМИЧЕСКАЯ И ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ МЕТАЛЛИЗАЦИЯ ВСЕЙ ПОВЕРХНОСТИ И СТЕНОК ОТВЕРСТИЙ

П0ЛУЧЕНИЕ ЗАЩИТНОГО РИСУНКА В СПФ (НАСЛАИВАНИЕ ЭКСПОНИРОВАНИЕ,ПРОЯВЛЕНИЕ)

ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ СПЛАВА ОЛОВО — СВИНЕЦ В ОКНА СПФ

УДАЛЕНИЕ ЗАЩИТНОГО РИСУНКА СПФ

ТРАВЛЕНИЕ МЕДНОЙ ФОЛЬГИ В ОКНАХ РИСУНКА ИЗ МЕТАЛЛОРЕЗИСТА

РИС.4.

Как и во втором варианте, пленочный фоторезист наслаивает­ся на заготовки фольгированного диэлектрика, прошедшие предва­рительно операции сверления отверстий, металлизации медью сте­нок отверстий и всей поверхности фольги. В этом процессе защит­ный рельеф из пленочного фоторезиста получают на местах поверх­ности фольги, подлежащей последующему удалению травлением.

Проводящий рисунок формируется последовательным осаж­дением меди и металлорезиста по рисунку освобождений в рельефе пленочного фоторезиста и на поверхность стенок отверстий. После удаления рельефа пленочного фоторезиста незащищенные слои ме­ди вытравливаются.

В этом процессе, как и ранее, используются свойства пленоч­ного фоторезиста наслаиваться на сверленые заготовки без попада­ния в отверстия, а также образовывать изображения с глубоким рельефом. Это позволяет производить гальваническое наращивание проводников на значительную толщину без разрастания их в шири­ну. Поэтому обеспечивается высокое разрешение.

Травление по защитному рельефу пленочного фоторезиста проводится в струйной конвейерной установке типа Хемкат 568. Профиль поперечного сечения проводников, сформированный трав­лением по защитному изображению в фоторезисте, имеет форму трапеции, расположенной большим основанием на поверхности ди­электрика.

При применении в качестве металлорезиста никеля сложность процесса в том, что слой никеля остается на поверхности проводни­ка и несколько шире его медной части. Поэтому применение метал­лорезиста сплава олово-свинец с последующим его удалением явля­ется более технологичным процессом.