- •Запам'ятовуючі пристрої цифрових систем Основні відомості, класифікація та основні параметри напівпровідникових запам’ятовуючих пристроїв (зп).
- •Найважливіші параметри зп
- •Вхідні та вихідні сигнали мікросхеми пам’яті
- •Класифікація сучасних зп
- •Основні структури запам’ятовуючих пристроїв
- •Загальна характеристика постійної пам’яті
- •Мікросхеми постійних запам’ятовуючих пристроїв
- •Закріплення матеріалу
- •Sram типу к132ру9 та к541ру2.
- •Модуль динамічної пам’яті
- •Задачі для самоконтролю
- •Модуль статичної пам’яті
Найважливіші параметри зп
Пам’ять характеризується інформаційною ємністю, фізичним об’ємом, питомою ємністю і вартістю, шириною вибірки, споживаною потужністю і швидкодією.
Інформаційна ємність (Е) являє собою максимальний об’єм даних, який може одночасно зберігатися в пам’яті. Ємність виражається в бітах, байтах, кілобайтах (210 байт = 1 Кбайт), мегабайтах (210 Кбайт = 1 Мбайт) і гігабайтах (210 Мбайт = 1 Гбайт) (210 = 1024).
Організація ЗП – добуток числа зберігаємих слів на їх розрядність. Потрібно відмітити, що при одній і тій же інформаційній ємності, організація може бути різною.
Наприклад. Інформаційна ємність Е = 1024 біт.
Організація: 1024 х 1 біт;
512 х 2 біт;
254 х 4 біт;
128 х 8 біт;
таким чином організація є самостійним важливим параметром і записується парою чисел.
Питома ємність визначається відношенням інформаційної ємності ЗП до його фізичного об’єму.
Ширина вибірки подається числом розрядів, які записуються в ЗП або зчитуються з нього за одне звернення.
Споживану потужність – задають або для всього ЗП, або на зберігання одного біта інформації.
Швидкодія ЗП вимірюється часом записування і зчитування та тривалістю відповідних їм циклів.
Час записування tWR – це інтервал між моментами появи керуючого сигналу записування і установленням КП в стан, який задають вхідні сигнали.
Час зчитування – це інтервал між моментами появи керуючого сигналу читання tRD і даних на виході пам’яті. Мінімально допустимий інтервал між послідовними читаннями tCYR і записуваннями tCYW створює відповідний цикл.
Тривалість циклів може перевищувати час читання чи записування, оскільки після цих операцій необхідна додаткова затримка для встановлення початкового стану пам’яті.
У наш час використовують різні типи ЗП, які розрізняються принципами побудови та своїми характеристиками.
Вхідні та вихідні сигнали мікросхеми пам’яті
Мікросхеми ОП (оперативної пам’яті) мають типові виводи, на яких діють визначені адресні, інформаційні та керуючі сигнали.
а) статична пам’ять |
б) динамічна пам’ять |
Рис.1
Призначення виводів і сигналів:
А (Address) – входи адреси, k – розрядність адреси, N = 2k максимально можливе число даних (біт, байт, слів), що зберігаються в пам’яті і адресуються як єдине ціле;
DI (DATA INPUT) – шина вхідних даних;
D0 (DATA OUT) – шина вихідних даних;
DIO – спільний вивід для DI і DО;
(Write/Read)
– сигнал записування даних при
= 0 або зчитування при
= 1;
(Chip
Select)
або
(Chip
Enable)
сигнал дозволу при
(
)
= 0 або заборони
(
)
= 1;
(Row
Address Strobe)
– строб. сигнал виборки Ах
-
(Column
Address Strobe) -
строб. сигнал виборки Ау
Особливістю роботи динамічних ЗП є мультиплексування ША (рис.1 б). Адреса, наприклад, А = А15, А14, … А0 ділиться на старшу напівадресу Ах = А15, … А8 і молодшу Ау = А7, А6, … А0. Напівадреси подаються на одні й ті ж входи адреси мікросхеми пам’яті.Такий спосіб адресації зменшує число виводів корпусу ІМС.
