Контрольные вопросы

1. Объяснить механизмы формирования тока через p-n – переход.

2. При каких допущениях получено соотношение (1.1), описывающее вольтамперную характеристику полупроводникового диода.

3. Какими факторами ограничивается ток прямо смещенного перехода.

4. К чему приводит увеличение мощности, выделяемой в полупроводниковой структуре, в высоковольтной области вольтамперной характеристики.

5. Указать основные отличия реального полупроводникового диода от идеального.

Рекомендуемая литература

1. Аваев Н.А., Шишкин Г.Г. Электронные приборы. Учебник для вузов.– Под ред. Г.Г. Шишкина. – М.: Издательство МАИ. 1996. 544 с.

2. Морозова И.Г. Физика электронных приборов: Учебник для вузов. – М.: Атомиздат. 1980. 392 с.

3. Шалимова К.В. Физика полупроводников. Учебник для вузов. – М.: Энергоатомиздат. 1985. 392 с.

Работа 2

Барьерная емкость полупроводникового диода и

электронная перестройка частоты

колебательного контура

Цель работы

I. Расчет и построение зависимости емкости обратно смещенного p – n-перехода от напряжения.

II. Определение диапазона электронной перестройки частоты колебательного контура для заданных электрофизических параметрах перехода.

Исходные представления расчетные соотношения

Известно, что при обратном напряжении на p–n- переходе в обедненном слое по обе стороны границы областей возникают объемные заряды, обусловленные ионами примесей, которые равны по величине и противоположны по знаку. При изменении приложенного напряжения изменяются толщина обедненного слоя и величина заряда в слое, что свидетельствует о том, что p–n- переход обладает электрической емкостью. Это барьерная емкость перехода, которая проявляется при подаче на переход изменяющегося во времени напряжения.

Зависимость барьерной емкости p - n-перехода от обратного напряжения положена в основу действия полупроводниковых диодов, называемых варикапами. Такие диоды применяют в качестве элементов с электрически управляемой емкостью в схемах перестройки частоты колебательных контуров, деления и умножения частоты, в устройствах обработки радиосигналов при частотной модуляции и в параметрических усилителях и генераторах.

Простейшая схема включения варикапа для изменения частоты колебательного контура представлена на рис. 2.1. Управляющее напряжение подается на диод через высокоомный резистор , который уменьшает шунтирующее действие на диод и колебательный контур источника напряжения. Диод подключается параллельно колебательному контуру, при этом разделительный конденсатор большой емкости предназначен для исключения постоянного тока через индуктивность колебательного контура. При изменении обратного напряжения на диоде изменяется суммарная емкость и, следовательно, резонансная частота колебательного контура. Основным полупроводниковым материалом для изготовления варикапов является кремний, а также арсенид галлия, позволяющий использовать такие полупроводниковые структуры в СВЧ диапазоне.

Основной характеристикой полупроводникового диода, обеспечивающего электронную перестройку частоты, является зависимость емкости перехода от обратного напряжения. Эта зависимость позволяет определить диапазон перестройки частоты и произвести выбор рабочей точки на вольт-фарадной характеристике варикапа. В зависимости от электрофизических параметров перехода могут быть получены необходимые значения емкостей для перестройки частоты колебательных контуров как с сосредоточенными, так и распределенными параметрами.