- •Электроника
- •Содержание
- •1.1 Основы алгебры логики………………………………………………..5
- •1 Цифровые интегральные микросхемы
- •1.1 Основы алгебры логики
- •1.1.1 Основные определения
- •1.1.2 Некоторые логические функции и реализующие их логические элементы
- •Распределительный закон
- •1.2 Параметры цифровых интегральных микросхем
- •1.2.1 Параметры цифровых интегральных микросхем (цимс), имеющие размерность напряжение.
- •1.2.2 Параметры, соответствующие размерности тока.
- •1.2.3 Параметры, имеющие размерность мощности.
- •1.1.3 Основные законы и соотношения алгебры логики
- •Сочетательный закон
- •1.2.4 Параметры, имеющие размерность время.
- •Характеристики цимс
- •1.3 Диодно-транзисторная логика
- •1.3.1 Принцип работы.
- •1.3.2 Характеристики дтл.
- •1.4 Транзисторно – транзисторная логика.
- •1.5 Ттл со сложным инвертором.
- •1.6 Ттл с открытым коллекторным выходом.
- •1.7 Ттл с тремя состояниями на выходе
- •1.8 Транзисторно-транзисторная логика Шоттки
- •1.9 Комплиментарная мдп логика
- •2 Операционные усилители
- •2.1 Параметры и характеристики оу
- •Структура оу
- •2.3 Дифференциальный усилитель
- •2.4 Составной транзистор
- •2.5 Источник тока
- •2.6 Схема сдвига уровня
- •2.7 Эмиттерный повторитель
- •2.8 Инвертирующий усилитель на оу.
- •2.9 Неинвертирующий усилитель
- •3 Технологические основы производства полупроводниковых интегральных микросхем
- •3.1 Подготовительные операции
- •3. 2 Эпитаксия
- •3.3 Термическое окисление
- •3.4 Литография
- •3.5 Легирование
- •3.5.2 Ионная имплантация.
- •Нанесение тонких пленок
- •3.6.1 Термическое (вакуумное) напыление.
- •3.6.2 Катодное напыление.
- •3.6.3 Ионно-плазменное напыление.
- •4 Полупроводниковые
- •4.1 Методы изоляции элементов в ппимс
- •4.1.1 Изоляция элементов обратно смещенными pn-переходами.
- •4.1.2 Резистивная изоляция.
- •4.1.3 Диэлектрическая изоляция
- •4.2 Планарно-эпитаксиальный биполярный транзистор
- •4.2.1 Этапы изготовления
- •4.2.2 Распределение примесей.
- •4.2.3 Эквивалентная схема.
- •4.3 Планарно-эпитаксиальный биполярный транзистор
- •4.4 Разновидности биполярных транзисторов
- •4.4.1 Многоэмиттерный транзистор.
- •4.4.2 Транзистор с барьером Шоттки.
- •4.4.3 Транзисторы р-n-р
- •4.5 Интегральные диоды
- •4.6 Полевые транзисторы
- •4.6.1 Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
- •4.6.3 Мноп-транзистор.
- •4.7 Полупроводниковые резисторы
- •4.7.1 Диффузионные резисторы.
- •4.7.2 Ионно-легированные резисторы.
- •4.8 Полупроводниковые конденсаторы
- •Гибридные интегральные микросхемы
- •5.1 Подложки гимс.
- •5.2 Резисторы.
- •5.3 Конденсаторы
- •5.4 Катушки индуктивности
- •Пленочные проводники и контактные площадки
- •Навесные компоненты
- •Методы формирования заданной конфигурации пленочных элементов.
- •Метод свободной маски.
- •Метод контактной маски.
- •Метод фотолитографии
1.1.3 Основные законы и соотношения алгебры логики
При проектировании цифровых устройств часто требуется преобразовать структурные формулы. Для этой цели используются соотношения, вытекающие из законов алгебры логики.
С помощью таблиц 2-4 легко могут быть проверены свойства
л
огического
сложения, умножения и инверсии:
(1.5),
(1.6),
(1.7).
О
Переместительный закон
x y=yx, x y=y x. (1.8)
Сочетательный закон
(x y) z=x (y z), (x y) z=x (y z). (1.9)
Распределительный закон
z(x y)=x z y z, (z x)(z y)=z (x y). (1.10)
Закон двойственности (Правило де Моргана)
(1.11)
На основании правила де Моргана логическое сложение может быть заменено умножением и, наоборот, при соответствующем инвертировании переменных и всей логической функции. На практике часто пользуются другой интерпретацией указанного правила: функции логического сложения и умножения реализуются одним и тем же логическим элементом, который в зависимости от кодировки сигналов на его входе и выходе может выполнять или функцию И, или функцию ИЛИ.
Все законы алгебры логики легко проверяются подстановкой возможных комбинаций значений 0 и 1 в левую и правую части.
Для преобразования структурных формул применяется ряд тождеств, важнейшие из которых определяют правила поглощения
x xy = x, x(x y) = x (1.12)
и склеивания
xy
=
x,
(x
y)
(x
)
= x.
(1.13)
Приведем еще несколько полезных соотношений:
x = xy (1.14)
x
y=
(x
y), (1.15)
x
z=
(x
v z). (1.16)
Соотношения (1.12 – 1.16) могут быть доказаны с помощь (1.5) - (1.11).
1.2 Параметры цифровых интегральных микросхем
1.2.1 Параметры цифровых интегральных микросхем (цимс), имеющие размерность напряжение.
Напряжение питания ЕПИТ. Напряжение соответствующее логическому 0 и логической 1. При позитивной логике низкий уровень напряжение U0 соответствует логическому 0, а высокий уровень U1- логической 1. Логический перепад напряжений U= U1 -U0 (рисунок 1.2).
а) б)
Рисунок 1.2
1.2.2 Параметры, соответствующие размерности тока.
I0ВХ- входной ток, соответствующий логическому 0 на входе, I1ВХ- входной ток, соответствующий логической 1 на входе, I0ВЫХ- выходной ток, соответствующий логическому 0 на выходе, I1ВЫХ -выходной ток, соответствующий логической 1 на выходе, I0ПОТР- ток потребляемый Рисунок 1.3 микросхемой, соответствующий логическому 0 на выходе, I1ПОТР- ток потребляемый микросхемой, соответствующий логической 1 на выходе. Токи, втекающие в микросхему, считаются положительными, вытекающие – отрицательные.
1.2.3 Параметры, имеющие размерность мощности.
Р0ПОТР= I0ПОТРЕПИТ, Р1ПОТР= I1ПОТРЕПИТ, РПОТР СР =(Р0ПОТ +Р1ПОТР)2
