17)Естественный и поляризованный свет.Двойноелучепреломление.Призма Николя

Следствием теории Максвелла является поперечность световых волн: векторы напряженностей электрического ? и магнитного Н полей волны взаимно перпендикулярны и колеблются перпендикулярно вектору скорости v распространения волны (перпендикулярно лучу). Поэтому для описания закономерностей поляризации света достаточно знать поведение лишь одного из векторов. Обычно все рассуждения ведутся относительно светового вектора - вектора напряженности Е электрического поля (это название обусловлено тем, что при действии света на вещество основное значение имеет электрическая составляющая поля волны, действующая на электроны в атомах вещества).Свет представляет собой суммарное электромагнитное излучение множества атомов. В данном случае равномерное распределение векторов Е объясняется большим числом атомарных излучателей, а равенство амплитудных значений векторов Е - одинаковой (в среднем) интенсивностью излучения каждого из атомов. Свет со всевозможными равновероятными ориентациями вектора Е (и, следовательно, Н) называется естественным.

Свет, в котором направления колебаний светового вектора каким-то образом упорядочены, называется поляризованным. Так, если в результате каких-либо внешних воздействий появляется преимущественное (но не исключительное!) направление колебаний вектора Е, то имеем дело с частично поляризованным светом. Свет, в котором вектор Е (и, следовательно, Н) колеблется только в одном направлении, перпендикулярном лучу, называется плоскополяризованным (линейно поляризованным).

18)Контакт двух полупроводников р и n-типов. Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на явлениях, происходящих на границе двух полупроводников с различными типами электропроводности. Рассмотрим структуру, состоящую из полупроводниковых областей р- и n-типа (рис. 3.4, а). В состоянии равновесия отрицательный заряд ионов-акцепторов скомпенсирован положительным зарядом дырок, а положительный заряд ионов-доноров — отрицательным зарядом свободных электронов, и каждая из областей полупроводника является электрически нейтральной.

Концентрацию основных Носителей—дырок в р-области,— установившуюся при некоторой температуре, обозначим через pp0, а неосновных носителей —электронов — через np0. Концентрацию основных носителей — электронов — и неосновных носителей — дырок в n-области — обозначим соответственно через nn0 и pn0. Будем считать, что концентрации основных и неосновных носителей р-области соответственно равны концентрациям основных и неосновных носителей n-области, т. е. pp0=nn0 и pn0=np0. Предположим, что р- и n-области соединены друг с другом (рис. 3.4, б). Так как в р-области дырок значительно больше, чем в n-области, будет происходить их диффузия из р-области в n-область. Этот процесс аналогичен диффузии подвижных частиц в жидкости и воздухе. Вследствие разности концентраций электронов в р- и n-областях будет происходить их диффузия из n-области в р-область. Диффузия основных носителей через границу между р- и n-областями создает электрический ток. Этот ток называют диффузионным. Он содержит электронную и дырочную составляющие и направлен из р-области в n-область.