- •Прохождение сигналов через линейные цепи.
- •Характеристики этих сигналов.
- •П рохождение линейных сигналов через простейшие rc-цепи.
- •Прохождение импульсных сигналов через простейшие rc-цепи.
- •Связь между fн и спадом плоской вершины.
- •Связь между fв и tф.
- •Полупроводники.
- •Чем обусловлен ток в полупроводнике:
- •Эквивалентная схема замещения диода.
- •Упрощенная схема замещения.
- •Условное обозначение транзисторов.
- •Входные и выходные характеристики транзистора.
- •Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора.
- •Малосигнальная т-образная схема замещения транзистора (для переменного сигнала).
- •Связь н-параметров с физическими параметрами т-образной схемы замещения.
- •Частотные свойства транзисторов.
- •Предельные эксплутационные параметры транзистора.
- •Электрические параметры:
- •Назначение элементов:
- •Расчет по постоянному току.
- •Расчет каскада по переменному току.
- •Входная цепь.
- •В ыходная цепь.
- •Расчет по переменному току.
- •Э квивалентная схема замещения
- •Эквивалентная cхема
- •Усилительные каскады на полевых транзисторах.
- •Малосигнальная модель полевого транзистора.
- •Э квивалентная схема полевого транзистора для малого переменного сигнала.
- •Общий эмиттер
- •Помехоустойчивость ключа – инвертора
- •Расчет элементов связи в транзисторных ключах
- •Первый случай
- •Второй случай
- •Ключ на биполярном кремниевом транзисторе с непосредственной связью
- •Переходные процессы при открывании ключа
- •Способы повышения быстродействия Применение ускоряющего конденсатора.
- •Применение нелинейной обратной связи
- •Достоинства кспт:
- •С точки зрения схемотехники:
- •Главный недостаток кспт:
- •Передаточная характеристика:
- •Переходные процессы в моп ключе с резистивной нагрузкой.
- •Моп ключ с нелинейной нагрузкой.
- •Переходные процессы.
- •Ключевой элемент на взаимодополняющих (комплементарных) транзисторах мдп (кмдп).
- •Условия работы схемы:
- •Передаточная характеристика:
- •Переходные процессы.
- •Самая быстродействующая схема.
- •Обозначения:
- •Основные параметры логических схем:
- •Ттл схема со сложным инвертором.
- •Статический режим работы:
- •Передаточная характеристика:
- •Входная характеристика:
- •Характеристика потребления:
- •Выходные характеристики:
- •Модификация ттл элементов.
- •Ттлш (быстродействующая схема Шоттки).
- •Д остоинства:
- •Недостатки:
- •Область применения:
- •Недостатки:
- •Схемы с тремя состояниями.
- •Работа ттл на емкостной нагрузке.
- •Токовый ключ.
- •Достоинства:
- •Недостатки:
- •Логика “или”. (т1-1, т1-2, . . . . , т1-m)
- •Передаточная характеристика:
- •Особенности вентеля (инвертора):
- •Упрощенная схема “или-не”.
- •Реальная схема, реализующая две операции: “или-не”,”и”.
- •Условные обозначения:
- •Достоинства схем и2л:
- •Недостатки схем и2л:
- •Эквивалентная схема замещения:
- •Достоинства:
- •Классификация
- •Асинхронные rs-триггеры
- •Асинхронные rs-триггеры на элементах и-не
- •Тактируемый rs-триггер.
- •Тактируемый d-триггер
- •Псевдодвухтактовый rs-триггер (ms-триггер)
- •Универсальный jk-триггер
- •Назначение триггеров
- •Регистр заполнения
- •Счетчик
- •Реверсивный счетчик
- •Условное обозначение
- •Основные параметры
- •Основные схемы применения Инвертирующий усилитель
- •Практические замечания.
Передаточная характеристика:
Eп
I II III
Uвх
Переходные процессы в моп ключе с резистивной нагрузкой.
При подаче напряжения на затвор канал формируется почти мгновенно.
Все задержки фронтов связаны с перезарядом паразитной емкости Сн.
Rc
и Cн определяют фронты выходного
импульса, т.е.
определяют быстродействие
транзистор закрылся заряд Сн.
Моп ключ с нелинейной нагрузкой.
Недостаток предыдущей схемы – большое Rc большие размеры области резистора на схеме в интегральном исполнении. Для уменьшения Rc заменяют транзистором (пока заменяем Rc на транзистор для экономии места в интегральной схеме).
Tн - нагрузочный транзистор
Ty - управляющий транзистор
U0н – напряжение, при котором открывается Тн
Линией нагрузки будет стоко-затворная
характеристика (*) Тн.
Пусть Uвх =0. Оба транзистора
закрыты.
(1)=(2)
передаточная характеристика для схемы с Rc
передаточная характеристика для схемы с Tн
Еп
Еп-Uон
III
I II
I область: Ту – закрыт. На входе
II область: Ту – открыт и работает в пологой области. (Tн всегда работает в пологой области)
III область: Ту – открыт и работает в крутой области.
Переходные процессы.
Переходные процессы главным образом определяются процессом перезаряда паразитной емкости Сн.
Ту – открывается мгновенно, после
подачи “1”
точка А переходит на характеристику,
где
U0н
В.
Т.к. на выходе “1” , то С заряжен до
напряжения на “1”. После подачи на вход
“1” , С начинает разряжаться через Ту
током iразряда.
После момента времени t1 Ty
закрыт
потечет через Сн
заряд емкости
уменьшается до 0.
По быстродействию получили худшую схему, чем когда нагрузкой было Rc. Как улучшить эту схему?
Хорошо бы, чтобы Тн работал в крутой области. Для этого на затвор Тн подается повышенное напряжение.
Тн со встроенным Uиз=0. Рабочая точка
Тн работает в крутой каналом. всегда постоянна.
области.
Ключевой элемент на взаимодополняющих (комплементарных) транзисторах мдп (кмдп).
Tн – транзистор с индуцированным р-каналом.
ТУ – транзистор с индуцированным n-каналом.
Условия работы схемы:
Если на выходе “1”, то ток через транзисторы не протекает транзисторы в статике не потребляют энергии.
Ток через транзисторы практически не
протекает
ключ не потребляет энергии от
источника питания .
Ic
Uзи1= Еп
Ic20 Uзи2=0
Uси1
Еп