Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Электроника.doc
Скачиваний:
6
Добавлен:
21.09.2019
Размер:
6.91 Mб
Скачать

Передаточная характеристика:

Eп

I II III

Uвх

Переходные процессы в моп ключе с резистивной нагрузкой.

  1. При подаче напряжения на затвор канал формируется почти мгновенно.

  2. Все задержки фронтов связаны с перезарядом паразитной емкости Сн.

Rc и Cн определяют фронты выходного импульса, т.е. определяют быстродействие

транзистор закрылся заряд Сн.

Моп ключ с нелинейной нагрузкой.

Недостаток предыдущей схемы – большое Rc большие размеры области резистора на схеме в интегральном исполнении. Для уменьшения Rc заменяют транзистором (пока заменяем Rc на транзистор для экономии места в интегральной схеме).

Tн - нагрузочный транзистор

Ty - управляющий транзистор

U– напряжение, при котором открывается Тн

Линией нагрузки будет стоко-затворная характеристика (*) Тн.

Пусть Uвх =0. Оба транзистора закрыты.

(1)=(2)

передаточная характеристика для схемы с Rc

передаточная характеристика для схемы с Tн

Еп

Еп-Uон

III

I II

I область: Ту – закрыт. На входе

II область: Ту – открыт и работает в пологой области. (Tн всегда работает в пологой области)

III область: Ту – открыт и работает в крутой области.

Переходные процессы.

Переходные процессы главным образом определяются процессом перезаряда паразитной емкости Сн.

Ту – открывается мгновенно, после подачи “1” точка А переходит на характеристику, где U В.

Т.к. на выходе “1” , то С заряжен до напряжения на “1”. После подачи на вход “1” , С начинает разряжаться через Ту током iразряда.

После момента времени t1 Ty закрыт

потечет через Сн заряд емкости уменьшается до 0.

По быстродействию получили худшую схему, чем когда нагрузкой было Rc. Как улучшить эту схему?

Хорошо бы, чтобы Тн работал в крутой области. Для этого на затвор Тн подается повышенное напряжение.

Тн со встроенным Uиз=0. Рабочая точка

Тн работает в крутой каналом. всегда постоянна.

области.

Ключевой элемент на взаимодополняющих (комплементарных) транзисторах мдп (кмдп).

Tн – транзистор с индуцированным р-каналом.

ТУ – транзистор с индуцированным n-каналом.

Условия работы схемы:

Если на выходе “1”, то ток через транзисторы не протекает транзисторы в статике не потребляют энергии.

Ток через транзисторы практически не протекает ключ не потребляет энергии от источника питания .

Ic

Uзи1= Еп

Ic20 Uзи2=0

Uси1

Еп