- •1 . Igbt-транзистори. Структура та принцип дії.
- •2. Mosfet-транзистори. Структура та принцип дії.
- •3. Біполярні транзистори. H-параметри.
- •4. Біполярні транзистори. Принцип дії та параметри.
- •5. Біполярні транзистори.Принцип дії та характеристики.
- •6. Варікапи. Принцип дії та характеристики.
- •7. Види електропровідності напівпровідників. Особливості домішкової електропровідності.
- •8. Види напівпровідникових діодів на основі р-n переходу.
- •9. Види пробою p-n переходу.
- •10. Види р-n переходів та їх параметри.
- •11. Випрямні діоди. Принцип дії та характеристики.
- •12. Гетероперехід.
- •13. Гібридні мікросхеми. Технологія виготовлення.
12. Гетероперехід.
Гетеропереход — контакт двух различных полупроводников. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах).
Модулированно-легированные гетероструктуры используют для получения двумерного электронного газа с высокой подвижностью, который необходим для исследований дробного квантового эффекта Холла, а также для создания полевых и биполярных транзисторов для сверхбыстрой электроники. Комбинируя различные полупроводники, можно создать и другие интересные структуры: сверхрешётки, структуры с множественными квантовыми ямами. Если полупроводники обладают различными постоянными решётки, то возможно создание структур с самоформирующимися квантовыми точками.
13. Гібридні мікросхеми. Технологія виготовлення.