5. Біполярні транзистори.Принцип дії та характеристики.

Эти характеристики характеризуют неуправляемые токи транзистора, связанные с обратными токами переходов. Обратный ток коллектора Iкбо – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и разомкнутом выводе эмиттера. Обратный ток эмиттера Iэбо – ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер – база и разомкнутом выводе коллектора. Обратный ток коллектор – эмиттер Iкэо – ток в цепи коллектор – эмиттер.

Обратные токи коллектора и эмиттера зависят от температуры переходов:

где Iкбо и Iэбо – обратные токи коллектора и эмиттера при 25°С;

к1 – коэффициент, равный 0,06..0,09 1/°С для германия и 0,08..0,12 1/°С для кремния;

Тп – температура перехода, °С.

Эти зависимости могут быть нарушены вследствие протекания тока

поверхностной утечки, особенно при низких температурах, когда объемные токи Iкбо и Iэбо малы, и больших напряжениях, когда поверхностные токи сравнительно велики. Обратный ток коллектора Iкбо является основным дестабилизирующим фактором в каскадах на транзисторах.

Малосигнальные параметры

Они характеризуют работу транзистора при воздействии малого сигнала,

возрастание амплитуды которого на 50% приводит к увеличению измеряемого параметра на малую величину соответственно заданной степени точности (обычно не более, чем на 10%). При воздействии малого сигнала транзистор рассматривают как линейный активный несимметричный четырехполюсник, у которого один из зажимов всегда является общим для входа и выхода. В зависимости от того, какой из электродов транзистора подключен к общему зажиму, различают включения с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором.

В соответствии с теорией четырехполюсников входные и выходные

напряжения и токи (U1, I1 и U2 , I2) однозначно связаны между собой системой

уравнений, содержащей четыре параметра четырехполюсника.

6. Варікапи. Принцип дії та характеристики.

Варикап – полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.

В кристалл кремния с одной его стороны вплавлен в вакууме алюминиевый столбик для получения p – n - перехода, а с другой стороны – сплав золото – сурьма для получения омического контакта. Эта структура вплавляется в вакууме в коваровый

золоченый кристаллодержатель. К алюминиевому столбику прикреплен

внутренний вывод. Соединение кристаллодержателя с баллоном и выводом осуществляется сплавлением в водороде. Для

использования свойств варикапа к нему необходимо подвести обратное напряжение.

Схема включения варикапа:

Основной характеристикой варикапа является зависимость его емкости от величины обратного напряжения (вольтфарадная характеристика). Типичная характеристика Сб = I (Собр). В зависимости от назначения величина номинальной емкости варикапов может быть в пределах от нескольких пикофарад до сотен пикофарад. Зависимость емкости варикапа от приложенного напряжения определяется технологией, изготовления р - n – перехода.