Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Борисенко С.И. Физика полупроводниковых наноструктур. Учебное пособие. 2010.pdf
Скачиваний:
126
Добавлен:
16.03.2016
Размер:
1.61 Mб
Скачать

θ(x)–функция Хевисайда, равная нулю при x<0 и равная 1 при x>0; m

полный набор квантовых чисел, определяющих состояние с данной энергией, с учетом спиновых составляющих.

3.1.Изолированные квантовые ямы и нити

Сучетом (2.8) формула для функции N(E) в изолированной КЯ принимает вид

N(E)= Nm(E),

(3.4)

m

 

где Nm (E)–число разрешенных состояний в подзоне номера m с энерги-

ей от Emin до E:

 

 

m

 

 

Nm (E)= 2θ(E Em (k ))=

Sm* (E Em )θ(E Em ).

(3.5)

k

π 2

 

Формула получена с помощью перехода от суммирования по k к инте-

грированию. Фактор 2 перед суммой учитывает наличие у электрона спина. С учетом (3.2) для плотности состояний, рассчитанной на единицу площади слоя КЯ, получаем

 

ρs (E)= ρsm (E)= ρs θ(E Em ),

(3.6)

 

m

 

m

 

где

ρs =

m*

 

(3.7)

π 2

 

 

 

–поверхностная (двумерная) плотность состояний в двумерной подзоне КЯ, не зависящая от энергии и номера подзоны. На рис. 3.1 представлена ступенчатая зависимость двумерной плотности состояний от энер-

ρs (E)

3ρs

2ρs

ρs

E1 E2 E3

E4

E

Рис. 3.1. Зависимость поверхностной плотности состояний в изолированной КЯ от энергии в окрестности дна зоны проводимости (вершины валентной зоны).

40

гии, определяемая формулой (3.6). Характерной особенностью этой зависимости является одинаковая высота ступенек, имеющая место в приближении14 независимости m* от номера подзоны.

С учетом формул (3.1) и (3.6), для поверхностной концентрации носителей заряда имеем

 

ns = nsm ,

 

(3.8)

 

m

 

 

 

 

где

 

 

 

 

 

Emax

 

 

F E

 

nsm = ρs f0

(E)θ(E Em )dE = ρs

f0 (E + Em )dE = Ns ln 1

 

k T

m

+ exp

 

Emin

0

 

 

0

 

 

 

(3.9)

 

 

 

 

–поверхностная концентрация в подзоне с номером m,

Ns = ρs k0T

эффективная плотность состояний в подзоне. В одноподзонном приближении, когда носители заряда в основном находятся в нижней под-

зоне ( k0T << E2 E1 ~ π2 22m* a2 )

 

 

 

ξ

 

 

 

ns = ρs

f0

(E)dE =Ns ln 1

 

 

 

,

(3.10)

 

+ exp k T

0

 

 

 

0

 

 

 

где ξ = F E1 –приведенный уровень Ферми. Для предельных случаев

невырожденного газа носителей заряда и вырожденного из формулы (3.10) для поверхностной концентрации в одноподзонном приближении получаем

 

 

 

 

 

ξ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ξ < −k0T

 

 

 

 

 

 

 

 

Ns exp

 

 

,

 

n

 

 

 

k0T

 

.

(3.11)

=

 

 

 

s

N

s

ξ

, 4k

T < ξ < E

E

 

 

 

 

 

 

k0T

 

0

 

2

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Формула (3.11) аналогична формуле для концентрации невырожденных электронов в трехмерных структурах, если в ней заменить трехмерную объемную плотность состояний на двумерную поверхностную.

Для квантовых нитей формула (3.5) с учетом (2.20) принимает следующий вид

14 При точных расчетах значение m* зависит от номера подзоны за счет проникновения волновых функций в барьеры, величина которого зависит от энергии.

41

ρL (E)

E1

E2

E3

E4 E

Рис. 3.2. Зависимость линейной плотности состояний в изолированной КН от энергии в окрестности дна зоны проводимости (вершины валентной зоны).

Nm (E)= 2θ(E Em (kz ))= 2

Lz

 

 

2m* (E Em )

θ(E Em ), (3.12)

 

π

kz

 

 

 

где Lz –длина КН. Для плотности состояний, рассчитанной на единицу

длину КН–линейная плотность состояний–из формулы (3.2) с учетом

(3.3) и (3.12) получаем

 

 

 

 

 

θ(E Em )

 

 

ρL (E)= ρLm (E)=

 

2m*

 

.

(3.13)

 

π

 

 

 

 

 

 

 

E E

m

 

 

m

 

m

 

 

На рис. 3.2 представлена качественная зависимость функции ρL (E) для

изолированной КН. Из рисунка следует, что эта плотность состояний является аналогом плотности состояний трехмерных структур в однородном магнитном поле. Отличительной особенностью от трехмерного случая является отсутствие периодической зависимости в чередовании пиков, наличие которой в объемных полупроводниках определяется эквидистантным характером уровней Ландау.

Для линейной концентрации носителей заряда с учетом (3.1) и (3.13) после несложных преобразований получаем

 

2

 

 

 

f

 

(E + E

 

)

 

 

2m*

 

 

 

 

nL =

∑∫

 

0

m

(3.14)

π

E + Em

 

E

dE .

 

m 0

 

 

 

 

 

 

 

В одноподзонном приближении для предельных случаев вырождения из формулы (3.14) следует

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ξ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

NL exp k T , ξ < −k0T

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

.

(3.15)

L

=

2

 

 

ξ

1 / 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

, 4k0T < ξ < E2 E1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

π

 

NL k T

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

42

 

 

 

 

 

 

где NL =

2m* k0T

– линейная эффективная плотность состояний в

π 2

 

 

подзоне КН.

3.2. Сверхрешетки

Для сверхрешеток из КЯ, с учетом формулы (2.29) для энергетического спектра, формула (2.27) для числа разрешенных состояний в минизоне с энергией меньше E после несложных преобразований принимает вид

 

Vm*

π/ d

 

Nm (E)= 2θ(E Em (k))=

θ(E Em (kz ))dkz ,

(3.16)

2π2 2

k

−π/ d

 

где V = SLz = SNd –объем СР, состоящей из N периодов величиной d с

площадью слоя S. Расчет по этой формуле предполагает знание дисперсии энергии в минизоне, которая определяется из решения уравнения (2.2) с периодической функцией потенциальной энергии. В предельном случае слабо взаимодействующих КЯ (см. (2.34)), что соответствует ширине минизон близкой к нулю (m 0 ), формула (3.16) переходит в

формулу (3.5) умноженную на число периодов СР, равное числу КЯ:

N

m

(E)=

Vm*

(E E

m

)θ(E E

).

(3.17)

 

 

 

 

π 2d

 

m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для объемной плотности состояний в предельном случае получаем

формулу аналогичную (3.6)

 

 

 

 

 

 

 

ρV (E)= ρVm (E)= ρV θ(E Em ),

(3.18)

 

 

 

m

 

 

 

 

m

 

 

где

 

ρ

=

m*

 

 

 

 

(3.19)

 

π 2d

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

–объемная (трехмерная) плотность состояний в минизоне КЯ, не зависящая от энергии и номера минизоны. На рис. 3.3 представлена зависимость плотности состояний СР от энергии в окрестности дна зоны проводимости (вершины валентной зоны) в предельном случае и в случае m 0 . Из рисунка следует, что при наличие взаимодействия между КЯ

форма ступенек плотности состояний изменяется. Вместо скачка при подключении более высокой минизоны происходит непрерывный переход в пределах ширины этой минизоны. Очевидно, что с ростом взаимодействия между КЯ форма кривой плотности состояний непрерывно

43