Двумерное моделирование транзисторов в TCAD №3740

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

ПРИМЕР ОФОРМЛЕНИЯ КОМАНДНОГО ФАЙЛА ДЛЯ SEMSIM

DOPN: Распределение доноров и акцепторов считывается из указанного ниже файла

FILE='P0000032.3D'}

#BAS: Сетка, число узлов по Х и Y, размеры по Х, Y и Z, начальный шаг по Y.

MESH:NX=80,NY=80,XX=2,YY=2,ZZ=1,HY0=0.01,MESH=2;

SOLV: Параметры численного решения, ключ исполнения BATC=1 без остановки вывода на каждом шагу, точность решения для остановки в долях kT, ограничение числа итераций.

COMM='NMOS transistor ',BATC=1,GRES=0.1,GUMM=10;}

#ELE: Электроды, имя обязательно: первая буква используется для индексации токов и напряжений, номер электрода, расположение – 1 – потолок (top), 2 – дно (bottom), левый и правый края электрода. Возможные типы электродов: OHMI – омический, GATE – изолированный затвор с параметрами диэлектрика, SCHO – выпрямляющий контакт металл–полупроводник.

OHMI:NAME='Bulk',NUM=1,LOC=2,XLT=0,XRT=2; OHMI:NAME='Source',NUM=2,LOC=1,XLT=0,XRT=0.3; GATE:NAME='Gate',NUM=3,LOC=1,XLT=0.4,XRT=1.6,TOX=0.02,

XQS=1e-2, AQS=1e-2,QSH=0,QSG=0,VSN=1e-15,VSP=1e-15,FIM=4.55;

OHMI:NAME='Drain',NUM=4,LOC=1,XLT=1.7,XRT=2; }

#IVD: Генерация точек вольт-амперных характеристик

IVDA:TEXT='Id-Vg curve',

Наименование вольт-амперной характеристики, далее: номер электрода, на котором будет изменяться напряжение, число точек ВАХ, шаг по напряжению. Напряжения должны быть заданы также на всех остальных контактах в каждой из IVDA-директив.

NUMC=3,NPNT=10,VSTE=0.2,V4=0.6,V1=0,V3=0,

V2=0;

81

Далее две выходных ВАХ при разных напряжениях на затворе

V3=0.8 и V3=1.2 IVDA:TEXT='Id-Vd

curve',NUMC=4,NPNT=10,VSTE=0.3,V4=0,V1=0,V3=0.8,

V2=0; IVDA:TEXT='Id-Vd

curve',NUMC=4,NPNT=10,VSTE=0.3,V4=0,V1=0,V3=1.2,

V2=0;

}

$

82

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

ВИЗУАЛИЗАЦИЯ РЕЗУЛЬТАТОВ МОДЕЛИРОВАНИЯ

ИРАБОТА С ФАЙЛАМИ

1.Просмотр 2D и 3D файлов в МicroТeс

Часто возникает необходимость просмотра результатов моделирования на другой машине, например, созданных дома проектов в терминальном классе и наоборот. Для этого можно перенести файлы 2D и 3D на дискеты (флэшки) и просматривать их в следующем порядке.

1.Скопировать ваши 2D и 3D файлы в любую другую область диска D: /, но не в МicroТeс.

2.Открыть sibgraf 2D для любого проекта, в котором уже активны кнопки 2D и 3D;

вызывают обычное меню выбора кривых из загруженного вами файла. После загрузки 2D и 3D из области D: / файлы текущего проекта МicroТeс уже недоступны. После окончания просмотра следует закрыть Sibgraf и кнопкой exit выйти из МicroТeс. После этого загружен-

ные файлы отсоединяются от МicroТeс. Просмотр 3D файлов аналогичен.

2. Перенос графиков в текст КП

Кнопкой Print Screen поместить содержимое экрана в буфер обмена.

ДВУМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРОВ В TCAD MICROTEC

Методическое руководство

Редактор Т.П. Петроченко

Выпускающий редактор И.П. Брованова Компьютерная верстка Н.М. Шуваева

Подписано в печать 02.12.2009. Формат 60 × 84 1/16. Бумага офсетная Тираж 150 экз. Уч.-изд. л. 4,88. Печ. л. 5,25. Изд. № 192. Заказ № Цена договорная

Отпечатано в типографии Новосибирского государственного технического университета

630092, г. Новосибирск, пр. К. Маркса, 20