- •Билет №1
- •1. Понятие о технологическом процессе. Классификация технологических процессов. Этапы процесса и комплекты документации.
- •2. Конвективная диффузия. Влияние газодинамических
- •Билет №2
- •2. Рост кристаллов при химическом взаимодействии на межфазной границе. Кинетический режим. Скорость гетерогенной реакции.
- •Билет №3
- •2. Зародышеобразование при росте кристаллов и полиморфных превращениях, начальные стадии роста.
- •Билет №4
- •1. Технологические процессы, связанные с явлениями на границе раздела
- •Билет №5
- •2. Кристаллизация из расплава (выращивание полупроводниковых кристаллов методом Чохральского, направленная кристаллизация, зонная плавка).
- •Билет №6
- •Билет №7
- •1. Классификация веществ по степени чистоты. Основные примесночувствительные свойства изделий эт.
- •Билет №8
- •1. Характеристика технологических процессов переработки сырьевых материалов.
- •Билет №9
- •2. Рост пленок полупроводниковых соединений из газовой фазы с
- •Билет № 10
- •Билет №11
- •2. Вакуумное осаждение и молекулярно-лучевая эпитаксия.
- •Билет №12
- •2. Физико-химические основы легирования полупроводниковых кристаллов и пленок.
- •Билет №13
- •Билет №14
- •2. Получение плёнок двуокиси кремния и фосфорно-силикатных стёкол методом полного окисления силана.
- •Билет №15
- •Билет №l6
- •Билет №17
- •2. Эпитаксия многослойных гетероструктур, содержащих сверхтонкие полупроводниковые слои.
- •Билет № 18
- •Билет №19
- •2.Способы формирования изделий из полимеров.
- •Билет №20
- •15. Чистые и особо чистые помещения
- •16. Технологическая одежда и поведение персонала в чистых помещениях. Методы контроля технологической гигиены
- •Билет №21
Билет №8
1. Характеристика технологических процессов переработки сырьевых материалов.
Тетр
Метод пиролиза (термической диссоциации) в проточной системе (при атмосферном и пониженном давлении).
Термическая диссоциация используется для веществ с не¬ большой энергией связи молекул. К ним относятся соединения элементов с водородом — гидриды (моносилан, арсин и т. д.), металлоорганические соединения. Термическая диссоциация моносилана в последнее время широко используется для полу¬ чения тонких эпитаксиальных слоев кремния. Многие из та¬ ких легко диссоциирующих веществ применяются в эпитакси¬ альной технологии полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе. Пиролиз моносилана происходит по реакции
SiH4(г ) «Si(тв) + 2H2(г )
и протекает при сравнительно низких температурах примерно 1000 °С, что обеспечивает получение слоев высокой чистоты за счет уменьшения диффузии примесей из подложки в растущий слой. Так, снижение температуры процесса от 1100 до 1000 °С уменьшает коэффициенты диффузии бора и фосфора в кремний в 10 раз. При пиролизе моносилана в системе реагентов не образуется галоидных соединений, способных переносить примеси из различных областей реакционной зоны к растущему слою.
Билет №9
1. Классификация основных процессов очистки п/п материалов и их соединений. Краткая характеристика процессов.
Общая характеристика и классификация методов очистки
В основе всех способов очистки материалов лежит различие физикохимических свойств разделяемых компонентов. Чем больше будет различие свойств компонентов, тем легче осуществляться их разделение. В настоящее время отсутствует четкая классификация методов очистки, это затрудняет выбор оптимального процесса в каждом конкретном случае. Наибольшее распространение получила следующая классификация основных процессов разделения и очистки материалов:
-Процессы, основанные на сорбции (включают в себя адсорбционные процессы, процессы ионного обмена и хроматографии);
-Процессы, связанные с экстракцией, в основном жидкостной;
-Кристаллизационные процессы;
-Процессы, связанные с перегонкой через газовую фазу (включает в себя процессы сублимации, дистилляции, ректификации, а также химического транспорта);
-Процессы, основанные на электролизе;
-Процессы, основанные на различии коэффициентов диффузии;
-Процессы избирательного осаждения, оксидирования и восстановления.
Выбор наиболее эффективного метода или их сочетания производят исходя из конкретных физико-химических свойств этого материала и его соединений. Например, для эффективной очистки кремния дистилляцией его переводят в четыреххлористый кремний и после дистилляции четыреххлористый кремний восстанавливают до исходного кремния. В общем случае очистку материалов проводят в две стадии. Вначале эти материалы переводят в промежуточные химические соединения и проводят их очистку. На второй стадии проводят восстановление химических соединений и, если необходимо, дополнительную очистку материалов, перечисленными способами, эффективность которых возрастает при работе с более чистыми материалами