Билет № 10
Сорбционные методы очистки МЭТ.
Под сорбцией в общем случае понимают процессы поверхностного (адсорбция) и объемного (абсорбция) поглощения вещества на границе раздела двух фаз: твердой и жидкой, твердой и газообразной, жидкой и газообразной. Сорбционные процессы играют важную роль в современной технологии полупроводников и диэлектриков, поскольку позволяют разделять вещества с очень близкими физико-химическими свойствами (редкоземельные элементы, такие металлы, как цирконий и гафний, и т.д.).
Адсорбционная система состоит из адсорбента — вещества, на поверхности которого происходит поглощение, и адсорбата — вещества, молекулы которого поглощаются. По природе процессов различают физическую и химическую адсорбцию. При физической адсорбции молекулы адсорбата не вступают в химическое взаимодействие с адсорбентом и, таким образом, сохраняют свою индивидуальность на поверхности поглотителя; адсорбция в этом случае обусловлена действием сил Ван-дер-Ваальса. При химической адсорбции, или хемисорбции адсорбируемые молекулы вступают в химическую реакцию с адсорбентом с образованием на поверхности химических соединений. Обратный процесс — процесс удаления молекул с поверхности адсорбента называют десорбцией. Физическая адсорбция в отличие от хемисорбции обратима. Процесс десорбции также можно использовать как метод очистки. Адсорбция является избирательным процессом, т.е. на поверхности адсорбента адсорбируются только те вещества, которые понижают свободную энергию поверхностного слоя, или, другими словами, понижают поверхностное натяжение относительно окружающей среды. Таким образом, используя различную адсорбционную способность веществ, находящихся, например, в растворе, можно осуществить их разделение и очистку, поглотив одно из них адсорбентом и оставив другое в растворе. Количественной характеристикой адсорбционной системы является изотерма адсорбции. Она выражает связь между концентрацией вещества С в растворе и его количеством Cs, адсорбированным единицей поверхности адсорбента при постоянной температуре в условиях адсорбционного равновесия. 1. Поверхность адсорбента имеет ограниченное число независимых адсорбционных мест, причем каждое место может адсорбировать только одну молекулу.
2. . МОС-гидридная эпитаксия полупроводников.
С помощью МОС-технологии может выращиваться большинство полупроводниковых соединений A3B5, A2B6 и A4B6. В случае роста соединений A3B5 вместо металлоорганических соединений элементов пятой группы могут использоваться гидриды соответствующих элементов. В этом случае принято использовать термин МОС-гидридная технология. Некоторые металлоорганические соединения: Ga(CH3)3 – триметилгаллий (ТМГ), Ga(C2H5)3 – триэтилгаллий (ТЭГ), In(CH3)3 – триметилиндий (ТМИ), In(C2H5)3 – триэтилиндий (ТЭИ), Al(CH3)3 – триметилалюминий (ТМА) (в общем виде – MR3, где M – металл, R3 – (CH3) или (C2H5) – алкил). Гидриды: AsH3 – арсин, PH3 – фосфин.
Схематическое описание процессов при МОС-гидридной эпитаксии показано на рис. 2. Реакция происходит в газовом потоке при атмосферном или пониженном давлении в реакторе с холодными стенками. Газом-носителем обычно является водород. Отдельные стадии полной реакции имеют место уже в газовой фазе. Заключительные стадии и встраивание в решетку происходят на поверхности полупроводника. Типичные реакторы позволяют подключать несколько металлоорганических и гидридных источников, поэтому в едином ростовом цикле могут быть последовательно выращены чередующиеся слои разных материалов. Это дает возможность получать многослойные многокомпонентные эпитаксиальные структуры.
В технологическом процессе эпитаксии из металлоорганических соединений не участвуют травящие вещества, процесс роста при этом не является результатом конкуренции между осаждением и травлением, как в некоторых других методах эпитаксии из парогазовой фазы. Как следствие, обеспечиваются резкие границы между слоями, однородность растущих слоев по толщине и составу.
МОС-гидридная эпитаксия - самая простая из всех технологий получения эпитаксиальных слоев соединений AIIIBVиз газовой фазы. Суммарной реакцией образования соединений является реакция типа
Ga(CH3)3+AsH3→GaAs(тв)+3CH4↑,