При уменьшении анодного напряжения до еа ГР и ниже сетка перехватывает большую часть тока эмиссии. В зоне, где еа < еа ГР, анодный ток зависит только от анодного напряжения (жирная прямая с крутизной SГР, исходящая из начала координат называется граничной линией).
|
|
|
|
iа ГР = SГР еа. |
(3.5) |
|
В точке излома справедливы оба соотношения (3.3) и (3.5): |
||||||
|
iа ГР = S(еС ГР + Dеа – ЕС0) = SГР еа ГР, |
|
||||
откуда |
eа ГР = |
S |
|
(еС ГР − ЕС0 ) = χ(eС ГР − |
ЕС0 ), |
|
SГР − |
DS |
|||||
|
|
|
|
|||
где χ = 1,5 − 2 – коэффициент, показывающий во сколько раз напряжение на аноде должно превышать напряжение на сетке, чтобы сеточным током можно было пренебречь.
Если принять D = 0, для аппроксимации статических характеристик ламп имеем два простых уравнения:
ia = S(EС – |
Е′ |
если ea > ea ГР, |
(3.6) |
C ), |
|||
ia = SГР ea, |
если ea < ea ГР |
|
|
Аппроксимация статических характеристик биполярных транзисторов
Статические характеристики токов коллектора iК и базы iБ биполярных транзисторов также идеализируются отрезками прямых (рис.3.5).
|
|
|
|
Рис. 3.5 |
|
|||||
|
|
iК = S (eБ – |
ЕБ′ ); |
(3.7) |
||||||
iК = SГР eК, |
|
|
если eК < eК ГР; |
|||||||
iК = S(EБ – ЕБ′ ), |
если eК > eК ГР; |
|||||||||
|
|
iБ = SБ (eБ – |
ЕБ′ ); |
|
||||||
S |
ГР |
= 1/ r |
|
; Е′ = 0,7В; |
|
|||||
|
|
НАС |
|
|
|
Б |
|
|||
S = |
iK |
= |
iБ |
|
|
iК |
= S β |
, |
||
|
|
|
|
|||||||
|
|
eБ |
eБ |
|
Б 0 |
|
||||
|
|
iБ |
|
|||||||
16