- •Глава 7 полевые транзисторы
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом
- •7.2.1. Устройство и принцип действия
- •7.3. Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл - полупроводник
- •7.4. Идеализированная структура металл-диэлектрик - полупроводник
- •7.4.1. Общие сведения о мдп-структуре
- •7.4.2. Физические процессы в идеализированной мдп-структуре.
- •7.4.3. Особенности реальной мдп-структуры
- •7.5. Полевой транзистор с изолированным затвором
- •7.5.1. Уравнение тока стока и статические характеристики мдп-транзистора с индуцированным каналом
- •7.5.2. Мдп-транзистор со встроенным каналом
- •7.5.3. Параметры мдп-транзисторов
- •Крутизна стокозатворной характеристики
- •7.5.4. Особенности мдп-транзисторов с коротким каналом
- •7.6. Электрические модели полевых транзисторов
- •7.6.1. Статическая модель полевого транзистора с управляющим р-n-переходом
- •7.6.2. Нелинейная динамическая модель полевого транзистора с управляющим переходом
- •7.6.3. Малосигнальная модель полевого транзистора с управляющим р-n-переходом
- •7.6.4. Нелинейная динамическая модель мдп-транзистора
- •7.6.5. Малосигнальная модель мдп-транзистора
- •7.7. Шумы полевых транзисторов
- •7.7.1. Шумы полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом
- •7.7.2. Шумы мдп-транзисторов
7.5. Полевой транзистор с изолированным затвором
7.5.1. Уравнение тока стока и статические характеристики мдп-транзистора с индуцированным каналом
Вывод уравнения тока. Принцип работы, физические процессы, статические характеристики будут рассмотрены на примере МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа (см. рис. 7.7), поэтому целиком можно использовать результаты предыдущего рассмотрения МДП-структуры с подложкой р-типа. Однако добавление к этой структуре, показанной на рис. 7.8, истока и стока должно повлиять на процесс формирования инвертированного слоя (n-канала) и величину порогового напряжения.
Основное отличие двух структур (структуры МДП-транзистора и просто МДП-структуры) связано со временем образования инверсных слоев. В МДП-структуре (без истока) после скачка напряжения на затворе, превышающего пороговое напряжение (Uз>Unop), электроны, накапливающиеся в инверсном слое, возникают в результате тепловой генерации электронно-дырочных пар в обедненном слое, который сам образуется практически мгновенно (за время диэлектрической релаксации). Генерируемые дырки уносятся электрическим полем обедненного слоя в глубь подложки за пределы обедненного слоя, а электроны – в инверсный слой. Важную роль может также играть тепловая генерация носителей на поверхности, богатой различными дефектами. Ток тепловой генерации электронов обычно очень мал, поэтому формирование инверсного слоя в МДП-структуре без истока – процесс очень медленный, с длительностью от 1 мкс до 10 с.
В МДП-транзисторе, т.е. структуре с истоком, надо учитывать появившийся n+-р-переход между истоком и подложкой.
После скачка напряжения на затворе от Uз=0 до Uз>Uпор инверсный слой создается электронами, инжектируемыми из истока вследствие повышения поверхностного потенциала полупроводника под затвором, приводящего к снижению потенциального барьера n+-р-перехода исток – подложка. Это явление аналогично инжекции через р-n-переход, с той разницей, что прямое напряжение перехода исток – подложка возникает не по всей его площади, а только у поверхности (вблизи диэлектрика). Инверсный слой образуется быстро, за время пролета инжектированных электронов от истока до дальнего конца затвора (стока). Если длина затвора Lз и подвижность электронов μn, то время пролета пропорционально . Поэтому время формирования инверсного слоя при различныхL3 составляет от 0,01 до 100 мкс, что на много порядков меньше, чем в структуре без истока. Сказанное позволяет сделать вывод, что в МДП-транзисторе потенциал истока должен влиять на пороговое напряжение. Так, если на исток подать положительное напряжение по отношению к подложке, то n+р-переход исток-подложка окажется включенным в обратном направлении, что затруднит инжекцию электронов из истока. Для образования инверсного слоя под диэлектриком теперь потребуется большее положительное напряжение затвора, т.е. пороговое напряжение возрастет. Мы не будем приводить довольно сложные формулы для порогового напряжения, учитывающие влияние потенциала истока.
Перейдем к рассмотрению вольтамперных характеристик МДП-транзисторов с индуцированным каналом n-типа.
Будем считать, что n-канал существует, т.е.напряжение затвора больше порогового значения (Uз > Unop). Однако напряжение между истоком и стоком возьмем небольшим, чтобы канал между истоком и стоком был практически однородным (одинакового сечения). Одинаковой будет везде и толщина обедненного слоя между каналом и подложкой. Распределение электронов в канале по всей длине можно считать слабо зависящим от координаты у на рис 7.12,а.
Дрейфовый ток в однородном канале можно просто вычислить по формуле [18]:
(7.41)
где Qк – полный заряд электронов в объеме канала; tnp – время пролета носителей в канале. Время пролета есть частное от деления длины канала L на дрейфовую скорость VДР = μnЕу, где Еу – продольная составляющая напряженности поля:
(7.42)
Следовательно, время пролета с учетом (7.42)
(7.43)
Полный заряд электронов в канале, имеющем ширину w,
(7.44)
где Qn – удельный (на единицу площади) заряд, который можно выразить через емкость окисла Сок:
(7.45)
Емкость окисла – это удельная емкость диэлектрика под затвором:
(7.46)
где Хок – толщина слоя диэлектрика. Подставив (7.46) в (7.45), с учетом (7.44) определим полный заряд электронов в канале:
(7.47)
Используя (7.41), (7.43) и (7.47), получаем формулу для тока стока в случае малых стоковых напряжений Uси:
(7.48)
где
(7.49)
– проводимость канала между стоком и истоком, пропорциональная эффективному напряжению затвора (превышение Uз над пороговым напряжением Uпор).
Таким образом, при однородном канале, т.е. при малых напряжениях Uси, ток стока линейно зависит от Uси (как в обычном резисторе), а проводимость определяется эффективным напряжением на затворе и параметрами μn, w, L, Сок. Чем меньше длина канала L, больше подвижность носителей μn, ёмкость Сок и ширина w, тем больше проводимость однородного канала и ток стока.
Когда напряжение стока Uc нельзя считать пренебрежимо малым по сравнению с напряжением затвора Uз, результаты приведенного рассмотрения становятся неверными, так как стоковое напряжение Uc влияет на сечение канала вблизи стока. Ширина обедненного слоя вблизи стока оказывается больше, чем около истока, канал соответственно сужается к стоку и перестает быть однородным (см. рис. 7.12,б). Сужение канала приводит к уменьшению полного заряда в канале.
В рассматриваемом случае неоднородного канала (при Uc > (Uз - Uпор)) выражение для тока стока можно найти путем решения дифференциального уравнения подобно тому, как это делалось для полевого транзистора с управляющим р-n-переходом. Рассмотрение также проводится в предположении плавной аппроксимации канала, т.е. считается, что электрическое поле в направлении протекания тока значительно слабее поля в перпендикулярном направлении. Это позволяет воспользоваться результатами анализа одномерной МДП-структуры для нахождения концентрации носителей и толщины обедненной области под каналом.
Падение напряжения на омическом сопротивлении dR участка канала dy
(7.50)
где дифференциал сопротивления
(7.51)
определяется зарядом электронов в сечении у Qn(y) < 0, который является функцией потенциала канала в этом сечении Uk(у), а также напряжения затвора Uз. Подставив (7.51) в (7.50), можно получить
(7.52)
Разделяя переменные и интегрируя уравнение (7.52) на интервале от истока (у = 0, Uк = Uи) до стока (у = L, Uк = Uc), получаем
(7.53)
Обычно используется приближенное выражение для заряда в канале:
(7.54)
Это выражение получено в предположении, что плотность заряда обедненного слоя не изменяется при смещении от истока к стоку, т.е. остается таким же, как около истока, несмотря на изменение толщины перехода. Подставив (7.54) в (7.53) и произведя интегрирование, получим
(7.55)
где Uси = Uc – Uи – разность потенциалов между стоком и истоком. Заметим, что при малых значениях Uси, когда Uси < (Uз – Uпор), формула (7.55) переходит в (7.48) для однородного канала.
Статические характеристики. На рис. 7.13,а показаны рассчитанные по формуле (7.55) зависимости Iс от Uси при различных значениях Uз > Uпор. Статические характеристики имеют максимальный наклон в начале координат, где проводимость а можно определить по (7.49), а токи по (7.48) для случая однородного канала.
Веерообразность начальных участков характеристик при малых значениях Uси, когда канал можно считать однородным, объясняется тем, что с уменьшением напряжения затвора Uз сечение канала, его проводимость уменьшаются, а ток стока убывает в соответствии с формулой (7.48).
При повышении Uси заряд в канале и проводимость уменьшаются вследствие сужения канала к стоку, а характеристики представляют собой в соответствии с (7.55) параболические кривые, имеющие максимум в точках, для которых Uси = Uз – Uпор. При Uси > (Uз – Uпор) кривые изображены пунктирными линиями, так как они не имеют физического смысла. Падающие участки кривых явились результатом принятого при записи выражения (7.54) приближения.
Как же тогда реально идут характеристики при Uси > (Uз – Uпор)? Сначала следует напомнить, что приближающиеся к стоку электроны не встречают никакого потенциального барьера. Напротив, при Uси > (Uз – Uпор) они попадают в область сильного электрического поля обедненного слоя, где ускоряются в направлении к стоку, так что скорость их стремится к предельной для полупроводников дрейфовой скорости – скорости насыщения (см. § 18.1). Поэтому прежнее значение тока стока может создаваться меньшим числом электронов, поступающих из канала на границу с областью сильного поля. В первом приближении считается, что число поступающих электронов не зависит от напряжения сток-исток Uси. Поэтому принимают, что ток стока при Uси > (Uз – Uпор) остается постоянным, т.е. наблюдается «насыщение» тока стока. За начало участков насыщения принимают максимум кривых, изображенных на рис. 7.13,а. Напряжения Uси соответствующие максимумам, называют напряжениями насыщения Uси нас значения которых зависят от напряжения на затворе Uзи. При приближении Uз к пороговому значению Uси нас уменьшается. Теория устанавливает, что ток стока при Uси = Uси нас на основе (7.55) составляет
(2.56)
Такой же ток будет и при Uси > Uси нас. На рис. 7.13,б изображены окончательные графики выходных характеристик Iс =f(Uси). Штриховой линией соединены точки характеристик, соответствующие абсциссам Uси = Uси нас, т.е. значениям Iс, определяемым выражением (7.56).
На рис. 7.12,б показана область канала и обедненная область при Uси > Uси нас. Конец канала находится уже не в точке у = L, а в некоторой точке у = L' < L, для которой напряжение канала оказывается равным Uси нас. С ростом Uси величина L' уменьшается, а ток Iс несколько возрастает. Эту зависимость можно учесть, заменяя в (7.56) L на L', как это делалось в полевом транзисторе с управляющим переходом. Рост тока можно объяснить увеличением дрейфовой скорости на участке L – L', так как здесь «падает» излишек напряжения Uси – Uси нас и возрастает напряженность электрического поля.
Помимо выходных характеристик МДП-транзистора широко используются передаточные (стокозатворные) характеристики Iс = f(Uзи) при постоянном напряжении Uси (рис. 7.14).
При значениях Uси, соответствующих пологой области выходных характеристик (Uси > Uси нас), передаточные характеристики квадратичны: токи стока в этой области определяются формулой (7.56) и пропорциональны (Uзи – Uпор)2. Нижняя характеристика на рис. 7.14,а соответствует малому напряжению (Uси < Uси нас), т.е крутым участкам выходных характеристик на рис. 7.13,б. Эта характеристика линейна, так как она относится к однородному каналу, когда в нем нет перекрытия.
Если транзистор имеет вывод от подложки, то используется также семейство стокозатворных характеристик, снятых для выбранного значения Uси в области насыщения, но при различных напряжениях на подложке относительно истока Uпи. В транзисторе с индуцированным каналом n-типа (рис. 7.14,б) увеличение отрицательного напряжения Uпи смещает характеристики параллельно вправо, так как происходит увеличение порогового напряжения.