
- •Исходные данные 8
- •При комбинации на входе: 1111 11
- •При комбинации на входе: 0111 12
- •Расчёт структурной схемы:
- •Исходные данные:
- •1.2. Минимизация функций:
- •Общая функциональная схема:
- •Выбор серии микросхем для устройства.
- •Принципиальная схема на основе выбранных элементов
- •Расчёт параметров цифрового устройства:
- •Электрический расчёт цимс.
- •Исходные данные:
- •Расчёт токов и напряжений в схеме:
- •Расчёт потребляемых мощностей:
- •Результаты расчёта:
- •Разработка топологии имс.
- •3.1. Выбор активных элементов.
- •Выбор типа подложки и её нанесение:
- •3.3.1.Выбор метода заданной конфигурации плёночных элементов:
- •3.3.2. Выбор метода нанесения тонких плёнок.
- •3.3.3. Выбор подложки
- •Составление топологического чертежа:
-
Расчёт токов и напряжений в схеме:
Произведём расчёт для следующих входных сигналов:
x1 x2 x3 x4
0 0 0 0
1 1 1 1
0 1 1 1
Для выполнения расчётов, полагаем что:
-
,
-
-
Обратный ток диода - не больше 1мкА;
-
Ток БТ находящегося в режиме отсечки - не больше 1мкА
-
Напряжение между коллектором и эмиттером БТ, находящегося в режиме отсечки
=0,1В
-
Падение напряжения на диоде при прямом включении: 0,7 В
-
Напряжение на переходе эмиттер-база БТ при прямом включении: 0,7 В
-
Напряжение на переходе коллектор-база БТ при прямом включении: 0,6 В
-
Коэффициент передачи тока БТ в активном режиме
=50;
-
Коэффициент передачи тока БТ в инверсном режиме
=0,05;
2.3.1. Расчёт токов и напряжений при комбинации на входе: 0000
x1=x2=x3=x4=0
При
и
.
Расчёт в точке А:
Потенциал в точке:
Диоды VD1 и VD2 открыты, тогда потенциал в точке
состоит из
входного напряжения и падения напряжения
на диоде, которое примерно равно 0.7:
Ток в точке:
Расчёт в точке В:
Потенциал в точке:
Диоды VD6 и VD7 открыты, тогда потенциал в точке
состоит из
входного напряжения и падения напряжения
на диоде, которое примерно равно 0.7:
Ток в точке:
Расчёт в точке С:
Потенциал в точке:
Транзисторы VD3, VD4 закрыты, тогда полагая, что все три p-n-перехода VD3, VD4 и эмиттерный переход VT1 одинаковы, получаем напряжение на базе транзистора:
Ток в точке:
так как для открытия транзистора нужно
напряжение примерно 0.7 В, то
Расчёт в точке D:
Потенциал в точке:
Транзисторы VD5, VD8 закрыты, тогда полагая, что все три p-n-перехода VD5, VD6 и эмиттерный переход VT2 одинаковы, получаем напряжение на базе транзистора:
Ток в точке:
так как для открытия транзистора нужно
напряжение примерно 0.7 В, то
Расчёт в точке E:
Потенциал в точке будет равен разности напряжения на базе-эмитторе VT2 и напряжения питания:
Ток в точке:
ток в точке находится по формуле, током транзистора в режиме отсечки мы пренебрегаем, так как оно на несколько порядков меньше (1мкА),
.
Результат расчёта:
2.3.2. Расчёт токов и напряжений при комбинации на входе: 1111
x1=x2=x3=x4=0
При
.
Расчёт в точке А:
Потенциал в точке:
При подаче
на входы «логической 1», диоды VD1
и VD2 будут включены в
обратном направлении (закрыты), через
них будет протекать обратный ток, который
не больше 1мкА (так как он на несколько
порядков ниже токов в схеме мы им
пренебрегаем). Основной же ток будет
протекать через диоды VD3
и VD4 и эмиттерный переход
транзистора, на каждом из p-n-переходов
падает напряжение 0.7В, поэтому:
Ток в точке:
Расчёт в точке В:
Потенциал в точке:
При подаче
на входы «логической 1», диоды VD6
и VD7 будут включены в
обратном направлении (закрыты), через
них будет протекать обратный ток который
не больше 1мкА (так как он на несколько
порядков ниже токов в схеме мы им
пренебрегаем). Основной же ток будет
протекать через диоды VD5
и VD8 и эмиттерный переход
транзистора, на каждом из p-n-переходов
падает напряжение 0.7В, поэтому:
Ток в точке:
Расчёт в точке С:
Потенциал в точке:
Потенциал в точке будет равняться падению напряжения на диоде, т.к. VD3, VD4 открыты:
,
следовательно, на базу будет подаваться
напряжение достаточное для открытия
транзистора и перехода его в режим
насыщения
Ток на резисторе R3:
Расчёт в точке D:
Потенциал в точке:
Потенциал в точке будет равняться падению напряжения на диоде, т.к. VD5, VD8 (открыты):
,
следовательно, на базу будет подаваться
напряжение достаточное для открытия
транзистора и перехода его в режим
насыщения
Ток на резисторе R5:
Расчёт в точке Е:
Потенциал в точке:
Транзисторы VT1 и VT2 находятся в режиме насыщения, тогда напряжение на их коллекторах будет примерно равно:
,
что соответствует «логическому 0» на
выходе.
Ток в точке:
Результаты расчёта:
2.3.3. Расчёт токов и напряжений при комбинации на входе: 0111
x1=0, x2=x3=x4=1,
При
и
.
Расчёт в точке А:
При подаче на вход x1 «Логического 0» VD1 открыт, а VD2 будет закрыт и ток от источника питания будет проходить через диод VD1, и напряжение в точке А тогда:
Ток в точке:
Расчёт в точке В:
Потенциал в точке:
При подаче на
входы диодов VD6 и VD7
«логической 1», они будут включены в
обратном направлении, через них будет
протекать обратный ток. Основной же ток
будет протекать через диоды VD5
и VD8 и эмиттерный переход
транзистора, на каждом из p-n-переходов
падает напряжение 0.7В, поэтому:
Ток в точке:
Расчёт в точке С:
Потенциал в точке:
Полагая, что все три p-n-перехода VD3, VD4 и эмиттерный переход VT1 одинаковы, получаем напряжение на базе транзистора:
Ток в точке:
так как для открытия транзистора нужно
напряжение примерно 0.7 В, то
Расчёт в точке D:
Потенциал в точке:
Потенциал в точке будет равняться падению напряжения на диоде:
,
следовательно, на базу будет подаваться
напряжение достаточное для открытия
транзистора и перехода его в режим
насыщения
Ток на резисторе R5:
Расчёт в точке Е:
Потенциал в точке:
Транзистор VT1 находится в режиме отсечки, а VT2 находится в режиме насыщения, тогда напряжение на их коллекторах будет примерно равно:
,
что соответствует «логическому 0» на
выходе.
Ток в точке:
Результаты расчёта: