Порядок проведения работы :

1. Ознакомиться со схемой лабораторного макета, его конструкцией, расположением контрольных приборов и органов управления и регулировки, а также инструкцией по эксплуатации измерительных приборов.

2. Собрать лабораторный стенд для экспериментального снятия СМХ. Рукоятки потенциометров R₃ и R₁₆ установить в крайнее левое положение. Включить приборы, установив на блоке питания напряжение 10 [В].

3. Снять в положении переключателя В1 «Вар» СМХ для модулятора на варикапе

f_ген =  (E_в). Напряжение на варикапе менять от 0 до 7 [B] через 0.5 [В] с помощью потенциометра R₃.

fген,[кГц]
Eв , [B]	1.0	1.5	2.0	2.5	3.0	3.5	4.0	4.5	5.0	5.5	6.0	6.5	7

Статическая модуляционная характеристика для модулятора на варикапе f_ген =  (E_в)

Установить переключатель В1 в положение «РТ» (реактивный транзистор); а переключатель В2 - в положение сначала «С», потом «L» и снять две СМХ для модулятора на реактивном транзисторе f_ген = ψ (I_э), изменяя плавно эммитерный ток реактивного транзистора I_э в пределах от 0 до 200 [мкА] с помощью потенциометра R₁₆.

fген, [кГц]
Iэ , [мкА]	0	25	50	75	100	125	150	175	200	225	250

«С»

fген, [кГц]
Iэ , [мкА]	0	25	50	75	100	125	150	175	200	225	250

«L»

Статические модуляционные характеристики для модулятора

на транзисторе реактивном транзисторе f_ген = ψ (I_э)

На построенных СМХ выделить линейные участки, середины которых принять за телефонные точки. ( E_т = 4.5 [В], I_{эт «С»} = I_{эт «L»} = 125 [мкА] )

4. Собрать лабораторный стенд для экспериментального снятия ДМХ.

5. Снять три ДМХ f =  ( U_) для частотных модуляторов на варикапе и на реактивном транзисторе (2 варианта – эквивалентные емкость или индуктивность) при соответствующих телефонной точке напряжении на варикапе E_т и эмиттерном токе реактивного транзистора I_эт. Амплитуду модулирующего напряжения U_ плавно менять от 0 до 1 [B] через 0.1 [В]. Частоту F принять равной 400 Гц.

Реактивный транзистор Реактивный транзистор

Варикап с эквивалентной «С» с эквивалентной «L»

U , [B]	f, [кГц]		АМ , %
	вверх	вниз
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0

U , [B]	f, [кГц]		АМ, %
	вверх	вниз
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0

U , [B]	f, [кГц]		АМ, %
	вверх	вниз
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0

Динамические модуляционные характеристики f =  ( U_) для варикапа

и реактивного транзистора ( с эквивалентыми ёмкостью и индуктивностью )

6. Снять три частотные модуляционные характеристики ЧМХ – зависимости вида

f =  (F) при U_ = const. Величину U_ согласовать с преподавателем после построения ДМХ. Частоту модулирующего сигнала F изменять от 100 [Гц] до

1.5 [кГц].

U_ = 0.6 [B]

Реактивный транзистор Реактивный транзистор

Варикап с эквивалентной «С» с эквивалентной «L»

F , [Гц]	f, [кГц]
100
300
500
700
1000
1250
1500
2000
2500
3000

F , [Гц]	f, [кГц]
100
300
500
700
1000
1250
1500
2000
2500
3000

F , [Гц]	f, [Гц]
100
300
500
700
1000
1250
1500
2000
2500
3000

Частотные модуляционные характеристики f =  (F) для варикапа

и реактивного транзистора ( с эквивалентыми ёмкостью и индуктивностью )

7. Вместо девиометра подключить осциллограф и при заданных преподавателем U_ и F замерить глубину паразитной амплитудной модуляции.

8. Рассчитать для различных случаев СМХ, а для схемы на варикапе и ДМХ. Сопоставить расчетные и экспериментально полученные характеристики. При расчетах необходимые параметры варикапа выяснить у преподавателя. Использовать также графики, приведенные на. Для транзистора КТ315Ж считать, что h_11э  40 [Ом] при I_э = 1 [мА], h_21э  100.