- •2. Розв’язання:
- •2. На рисунку зображена схема підсилювача на оп, який інвертує.
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
- •2. Розв’язання:
2. Розв’язання:
f0 = 1(2RC) = 1(23,141001010-6) = 159,24 Гц 159 Гц
Відповідь: f0 = 159 Гц
5.
1. Пояснити роботу елементарногопідсилювача у режимі класу В, визначити коефіціент корисної дії
2. Частота одиничного посилення підсилювача дорівнює f(1) = 1 МГц, чутливість КU = 100.
Визначте смугу пропускання f0 (на рівні 3 дБ)
1. Приналежність режиму до відповідного класу В визначається вибором робочої точки спокою. На рис. 1 показаний (праворуч) колекторний струм транзистора при роботі в класі В. Робоча точка спокою обирається на початку навантажувальної прямої.
Рис. 1. Робота підсилювачау класі В
У цьому випадку форма колекторного струму набуває вигляду послідовності напівсинусоїд. Клас В застосовується в двотактних схемах підсилювачів потужності (де використовуються два транзистори, що працюють по черзі, при цьому непарні напівперіоди підсилює один транзистор, а парні — інший).
Підсилювач класу В в спокої споживає тільки невелику потужність у резисторах зсуву транзисторів, оскільки струм через транзистори не протікає.
Коефіцієнтом корисної дії підсилювача називають відношення потужності змінного струму на виході підсилювача Р до потужності Р=, що поступає від джерела постійного струму в колекторне коло:
= РР=.
При зворотному струмі колектора IK0 = 0 і відсутності сигналу колекторний струм відсутній. За наявності сигналу колекторний струм має форму синусоїдальних імпульсів. Половина частини періоду, виражена в градусах або радіанах, протягом якої струм не дорівнює нулю (протікає), називається кутом відсічки. У класі В = 90°.
Для синусоїдального імпульсу з амплітудою Iа K амплітуда струму першої гармоніки
IK1а = 1 IKа,
де 1 = () — коефіцієнт першої гармоніки. Для = 90° (клас В) 1 = 0,5.
Середнє значення струму колектора
IK ср = 0IаK,
де 0 = () — коефіцієнт постійної складової. Для = 90° (клас В) 0 = 1/.
Підставляючи ці значення у вираз для коефіцієнта використання колекторного струму, отримуємо:
= IаK1IK ср =1/0 = 2.
Отже, ккд у класі В рівний
= (4).
При граничному коефіцієнті використання колекторної напруги ( = 1) ккд у класі В
max = 78,5%.
2. Розв’язання:
f(1) f0 КU = 1106100 = 10 000 Гц = 10 кГц.
Відповідь: f0 = 10 кГц
6.
1. Пояснити метод зсуву елементарного підсилювача на БПТ фіксованим струмом бази, навести принципову схему, проаналізувати вибір опорів
2. На рисунку показана схема підсилювача на БПТ з фіксованим потенціалом бази.
Транзистор кремнієвий; UЖ = 10 В, h21Е = 100, IКн = 1 мА.
Визначте величини R1 й R2, за умови що струм дільника IД = 10 IБн.
1. Вивід бази через опір RБ приєднується до спільного з колом колектора джерела живлення UЖ (рис.1).
а)
б)
Рис. 1. Зсув фіксованим струмом бази: схема зсуву – а, повна схема – б
Якщо виконати умову RБ >> rВХ (де rВХ = h11е = rЕ – вхідний опір БПТ зі СЕ), то струм бази IБп визначатиметься величиною RБ і не залежатиме від змін опору rЕ.
Напруга зсуву задається таким чином:
1. Вибираємо напругу живлення UЖ, яка має бути меншою ніж UКЕдоп. Зазвичай UЖ визначається джерелами живлення, які є в наявності.
2. Вибираємо потрібну для робочої точки спокою величину колекторної напруги UКп. Зазвичай UКп береться рівною половині UЖ з метою отримання максимального розмаху вихідного сигналу.
3. Задаючи струм колектора IКп, розраховуємо опір резистора RК в колі колектора.
4. Вибираємо тип транзистора за значенням й іншими параметрами (Рдоп, UКЕдоп.). Значення визначаємо за технічними даними виробника або експериментально.
5. Розраховуємо опір резистора RБ в колі бази, який задає струм зсуву:
RБ = (UЖ – uБЕп)/IБп.
Напругу uБЕп знаходимо за вхідною характеристикою. У разі кремнієвого транзистора можна використовувати наближене значення uБЕп 0,7 В. При цьому похибка визначення RБ незначна.
