
- •Содержание:
- •Общие представления об омических контактах.
- •Напыленные контакты.
- •Контакты, полученные методом ионного распыления.
- •Химическое нанесение.
- •Эффекты тепловой обработки.
- •Применение импульсного отжига для создания приборных структур: Получение омических контактов.
- •Дефекты и контроль качества омических контактов:
- •Приложение№1. Технология изготовления омических контактов к полупроводникам типа а3в5.
- •Материалы навесок, дающие омические контакты к различным полупроводникам при плавлении с помощью лазера.Приложение №2
- •Приложение №3. Параметры лазеров, использованных для отжига.
- •Список используемой литературы:
Приложение №3. Параметры лазеров, использованных для отжига.
Тип |
L, мкм |
tи |
Eи, Дж/см*см |
Порог поврежде-ния Дж/см*см |
Рубиновый одномодовый |
0.69 |
20 |
0.5-1.4 |
0.9 |
Рубиновый многомодовый |
0.69 |
30 |
0.2-1.2 |
0.8 |
Неодимовый многомодовый |
1.06 |
40 |
0.3-0.6 |
0.6 |
CO2 |
10.0 |
1000 |
0.9-30 |
>3 |
Список используемой литературы:
А. В. Двуреченский, Г. А. Кочурин, Е. В. Нидаев, Л. С. Смирнов
Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. Изд. " Наука", М., 1982.
В. И. Стриха, Е. В. Бузанева Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике. Изд. " Радио и связь", М., 1987.
Э. Х. Родерик Контакты металл-полупроводник. Изд. " Радио и связь", М., 1982.
С. Зи Физика полупроводниковых приборов М., Изд. " Мир", 1984.
В. И. Стриха, Г. Д. Попова Физические основы изготовления омических контактов металл-полупроводник Изд. " Наукова Думка", Киев 1975.